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公开(公告)号:JP6759379B2
公开(公告)日:2020-09-23
申请号:JP2019016942
申请日:2019-02-01
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/06 , H03K3/356
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公开(公告)号:JP6754579B2
公开(公告)日:2020-09-16
申请号:JP2016021680
申请日:2016-02-08
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G11C11/418 , G11C11/405 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , G11C11/408
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公开(公告)号:JP2020127219A
公开(公告)日:2020-08-20
申请号:JP2020070733
申请日:2020-04-10
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H03K19/00 , H03K19/0944 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/82 , H03K3/356
Abstract: 【課題】論理回路に保持回路を設けることで、パワーゲーティングを可能にする。 【解決手段】保持回路は、第1端子、ノード、容量素子、および第1乃至第3トランジス タを有する。第1トランジスタは第1端子と論理回路の入力端子との間の導通状態を制御 する。第2トランジスタは論理回路の出力端子とノードとの間の導通状態を制御する。第 3トランジスタはノードと論理回路の入力端子との間の導通状態を制御する。第1トラン ジスタのゲートと第2トランジスタのゲートとが電気的に接続されている。データ保持期 間、ノードは電気的に浮遊状態になる。ノードの電圧は容量素子によって保持される。 【選択図】図4
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公开(公告)号:JP2017212022A
公开(公告)日:2017-11-30
申请号:JP2017099875
申请日:2017-05-19
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/10 , H01L29/786 , G11C11/4096
CPC classification number: G06F13/40 , G06F12/0246 , G06F12/0831 , G06F13/10 , G06F13/4256 , G06F15/80 , G11C15/04 , G11C5/025 , G11C7/1039 , G11C11/4091 , G11C14/0027 , G11C14/0036 , G11C14/0054 , G11C14/0072 , G11C14/0081
Abstract: 【課題】パイプライン動作が可能なメモリを有する半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、プロセッサコア、バス、メモリ部を有する。メモリ部は第1メモリを有する。第1メモリは複数のローカルアレイを有する。ローカルアレイは、センスアンプアレイと、これに積層されたローカルセルアレイとを有する。ローカルセルアレイには1トランジスタ1容量素子型のメモリセルが設けられている。トランジスタは酸化物半導体トランジスタであることが好ましい。第1メモリは待機信号を生成する機能をもつ。プロセッサコアから、2クロックサイクル連続して、同じローカルアレイへのデータの書き込み要求を受けたときに、待機信号は生成される。待機信号はバスを経てプロセッサコアに送信される。プロセッサコアは、待機信号に基づいて、メモリ部に対する要求を待機する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017055461A
公开(公告)日:2017-03-16
申请号:JP2016250258
申请日:2016-12-23
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 上杉 航
IPC: H03K19/0944
Abstract: 【課題】回路規模が小さい半導体装置を提供する。 【解決手段】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を有し、第2 のトランジスタのゲートは第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接 続され、容量素子の一対の電極のうちの一方は第2のトランジスタのゲートと電気的に接 続され、容量素子の一対の電極のうちの他方は第2のトランジスタのソース又はドレイン の一方と電気的に接続され、第1のトランジスタがオフ状態となることによって、第2の トランジスタのゲートが浮遊状態となる半導体装置である。第1のトランジスタのチャネ ルは酸化物半導体に形成される構成とすることができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6068748B2
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:JP2013049833
申请日:2013-03-13
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 上杉 航
IPC: H01L29/786 , H03K19/0944
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公开(公告)号:JP2016015475A
公开(公告)日:2016-01-28
申请号:JP2015106167
申请日:2015-05-26
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/06 , G06F9/48 , H01L27/088 , H01L27/08 , H01L29/786 , H01L27/10 , H01L21/8242 , H01L27/108 , G06F9/34 , H01L21/8234
CPC classification number: G06F12/00 , G06F9/44 , G06F9/4423 , G11C5/00 , H01L21/00 , Y02B60/144
Abstract: 【課題】データの処理と低消費電力化に優れた新規な構成の半導体装置を提供する。 【解決手段】プロセッサ10は、第1の回路13(記憶回路)と、第2の回路14(記憶回路)と、を有するレジスタ12を有する。第1の回路は、プロセッサの演算処理によって得られたデータを保持する。第2の回路は、異なるルーチンごとにプロセッサの演算処理によって得られたデータを保持することができる複数の記憶部を有する。レジスタ制御部11は、割り込み信号に従って異なるルーチンを切り替える。レジスタ制御部は、ルーチンを切り替える毎に、第1の回路に保持したデータを、第2の回路のルーチンに対応する複数の記憶部のいずれか一に保持させる。また、レジスタ制御部は、ルーチンを切り替える毎に、第2の回路のルーチンに対応する複数の記憶部のいずれか一に保持したデータを、第1の回路に保持させる。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种数据处理和功耗降低优异的新型结构的半导体器件。解决方案:处理器10包括具有第一电路13(存储电路)和第二电路14(存储电路)的电阻12, 。 第一电路保留通过处理器的算术处理获得的数据。 第二电路具有多个存储部件,其能够保存关于每个例程的处理器的算术处理获得的数据。 处理器10包括一个电阻控制部分11,用于根据中断信号切换彼此不同的例程。 电阻控制部分每次切换多个存储部分中的任何一个,其对应于第二电路的例程以保留保留在第一电路中的数据。 此外,电阻控制部分每当切换例程时,使第一电路保持与多个存储部分中的任一个相对应的数据,该数据对应于第二电路的例程。
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公开(公告)号:JP6917141B2
公开(公告)日:2021-08-11
申请号:JP2016250210
申请日:2016-12-23
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H03K19/0175 , G09G3/20 , G09G3/36 , G09G3/3233 , H01L51/50 , H05B33/14 , H03K19/0185
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公开(公告)号:JP2020194561A
公开(公告)日:2020-12-03
申请号:JP2020127848
申请日:2020-07-29
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/00 , G06F3/044 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , G06F3/041
Abstract: 【課題】高い画素数を有し、且つ表示部用の駆動回路とタッチセンサ用の駆動回路が1つ のICで形成されたタッチセンサ付き表示装置を提供する。 【解決手段】表示部と、タッチセンサと、複数のICと、を有する表示装置である。複数 のICは、それぞれ第1回路を有する。複数のICのいずれか一は、第2回路及び第3回 路を有する。第1回路は、表示部に映像信号を出力する機能を有する。第2回路は、タッ チセンサが有するセンサ素子を駆動する信号を出力する機能を有する。第3回路は、セン サ素子から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換する機能を有する。 【選択図】図1
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