公开(公告)号：JP2020080557A

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：JP2020020492

申请日：2020-02-10

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 筒井 直昭 ,  磯部 敦生 ,  上杉 航 ,  王丸 拓郎

IPC: H03K3/356 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H03K3/037

Abstract: 【課題】トランジスタのゲートリークにより保持容量に保持されたデータを十分な時間に わたり保持することが困難になってきている。 【解決手段】Siトランジスタで構成された第1の記憶回路と、Siトランジスタで構成 された選択回路と、OSトランジスタと保持容量とによって構成された第2の記憶回路と 、を有し、第2の記憶回路は、直列に接続している2つのOSトランジスタの接続部に保 持容量の片側の端子を接続する構成とし、第2の記憶回路の出力が選択回路の第2の入力 端子に接続され、第2の記憶回路の入力は、選択回路の第1の入力端子又は第1の記憶回 路の出力端子に接続されている構成とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018196152A

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2018161346

申请日：2018-08-30

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 筒井 直昭 ,  磯部 敦生 ,  上杉 航 ,  王丸 拓郎

IPC: H03K3/356 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786 ,  H03K3/037

CPC classification number: G11C11/4093 ,  G11C11/24 ,  G11C11/401 ,  G11C11/403

Abstract: 【課題】トランジスタのゲートリークにより保持容量に保持されたデータを十分な時間に わたり保持することが困難になってきている。 【解決手段】Siトランジスタで構成された第1の記憶回路と、Siトランジスタで構成 された選択回路と、OSトランジスタと保持容量とによって構成された第2の記憶回路と 、を有し、第2の記憶回路は、直列に接続している2つのOSトランジスタの接続部に保 持容量の片側の端子を接続する構成とし、第2の記憶回路の出力が選択回路の第2の入力 端子に接続され、第2の記憶回路の入力は、選択回路の第1の入力端子又は第1の記憶回 路の出力端子に接続されている構成とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6047650B2

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：JP2015240739

申请日：2015-12-10

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 筒井 直昭 ,  磯部 敦生 ,  上杉 航 ,  王丸 拓郎

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  G11C11/405

CPC classification number: G11C11/4093 ,  G11C11/24 ,  G11C11/401 ,  G11C11/403

公开(公告)号：JP2016085783A

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：JP2015240739

申请日：2015-12-10

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 筒井 直昭 ,  磯部 敦生 ,  上杉 航 ,  王丸 拓郎

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  G11C11/405

CPC classification number: G11C11/4093 ,  G11C11/24 ,  G11C11/401 ,  G11C11/403

Abstract: 【課題】トランジスタのゲートリークにより保持容量に保持されたデータを十分な時間に わたり保持することが困難になってきている。 【解決手段】Siトランジスタで構成された第1の記憶回路と、Siトランジスタで構成 された選択回路と、OSトランジスタと保持容量とによって構成された第2の記憶回路と 、を有し、第2の記憶回路は、直列に接続している2つのOSトランジスタの接続部に保 持容量の片側の端子を接続する構成とし、第2の記憶回路の出力が選択回路の第2の入力 端子に接続され、第2の記憶回路の入力は、選択回路の第1の入力端子又は第1の記憶回 路の出力端子に接続されている構成とする。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：解决由于晶体管的栅极泄漏足够长时间而难以将存储在存储电容器中的数据保持的问题。解决方案：一种存储器件，包括：第一存储器电路，包括Si 晶体管; 包括Si晶体管的选择电路; 以及包括OS晶体管和存储电容器的第二存储器电路。 第二存储器电路具有其中存储电容器的一个端子连接到串联连接的两个OS晶体管的连接的结构，第二存储器电路的输出连接到选择电路的第二输入端子，并且输入 的第二存储器电路连接到选择电路的第一输入端或第一存储电路的输出端。选择图：图1

公开(公告)号：JP6901831B2

公开(公告)日：2021-07-14

申请号：JP2016100358

申请日：2016-05-19

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 筒井 直昭

IPC: G11C11/401 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  G06F11/10

公开(公告)号：JP6856788B2

公开(公告)日：2021-04-14

申请号：JP2020017046

申请日：2020-02-04

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 筒井 直昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G08C15/00 ,  G06F15/78 ,  G06F1/3225 ,  G06F1/3287

公开(公告)号：JP2020077373A

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：JP2019163214

申请日：2019-09-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 上杉 航 ,  熱海 知昭 ,  筒井 直昭 ,  田村 輝 ,  石津 貴彦 ,  王丸 拓郎

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10 ,  G11C14/00 ,  G11C11/405 ,  G11C11/412 ,  G06F9/48 ,  G06F9/34

Abstract: 【課題】データの処理の効率化に優れ、低消費電力化に優れる新規な構成の半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置100、はレジスタ制御部11と、プロセッサ10と、を有する。プロセッサ10のレジスタ12は、記憶回路13と記憶回路14とを有する。記憶回路13は、プロセッサの演算処理によって得られたデータを保持する。記憶回路14は、異なるルーチンごとにプロセッサの演算処理によって得られたデータを保持する複数の記憶部14_1〜14_nを有する。レジスタ制御部11は、割り込み信号に従って異なるルーチンを切り替え、ルーチンを切り替える毎に、記憶回路13に保持したデータを、記憶回路14のルーチンに対応する複数の記憶部のいずれか一に保持させる。また、レジスタ制御部11は、ルーチンを切り替える毎に記憶回路14のルーチンに対応する複数の記憶部のいずれか一に保持したデータを、記憶回路13にロードする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020102227A

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：JP2020017046

申请日：2020-02-04

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 筒井 直昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G08C15/00 ,  G06F15/78 ,  G06F1/3225 ,  G06F1/3287

Abstract: 【課題】新規な半導体装置の提供、または消費電力の低減が可能な半導体装置の提供。 【解決手段】半導体装置は、センサ部、記憶部、制御部を有する。記憶部は、複数の検出 データを記憶し、制御部に送信する機能を有する。そのため、センサ部においてセンシン グされた検出データを一定量保持し、所望のタイミングで制御部に送信することができる 。これにより、情報の検出の度に制御部を駆動させる必要がなく、制御部に供給される電 力の全部または一部を遮断することが可能な半導体装置を提供することができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019036280A

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：JP2018033052

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  岩城 裕司 ,  筒井 直昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  G11C11/405 ,  G06F12/00

Abstract: 【課題】新規な半導体装置、GPU又はコンピュータの提供。消費電力の小さい半導体装置、GPU又はコンピュータの提供。高速動作が可能な半導体装置、GPU又はコンピュータの提供。 【解決手段】記憶回路を有し、記憶回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を有し、第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第2のトランジスタのゲート及び容量素子と電気的に接続され、第1のトランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を含むGPU。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018190998A

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2018134772

申请日：2018-07-18

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 王丸 拓郎 ,  筒井 直昭

IPC: H01L27/04 ,  G01R31/28 ,  H01L21/822

CPC classification number: G11C29/00 ,  G01R31/318597

Abstract: 【課題】遅延の発生が抑制された信号を記憶回路に供給することができる。論理回路に与 える負荷が低減された新規な半導体装置を提供する。 【解決手段】複数のデータ信号と選択信号が供給される記憶回路が、2つの組み合わせ回 路を接続する構成を有する。そして、当該記憶回路が選択信号により複数のデータ信号か ら一を選択する機能を備える構成に想到した。選択回路を記憶回路と組み合わせ回路の間 に設ける必要がない。その結果、組み合わせ回路は遅延の発生が抑制された信号を記憶回 路に供給することができる。 【選択図】図1