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    半導体装置
    2.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020148599A1

    公开(公告)日：2021-12-09

    申请号：JPIB2020050043

    申请日：2020-01-06

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 田島 亮太 ,  高橋 圭 ,  井上 広樹 ,  上妻 宗広 ,  福留 貴浩

    IPC: H01M10/48 ,  H02J7/00 ,  H02J7/04 ,  H02J7/10 ,  H01M10/44

    Abstract: 二次電池の劣化を抑制する半導体装置を提供する。二次電池モジュールと、第1の回路と、を備える半導体装置である。二次電池モジュールは、二次電池と、センサと、を有する。第1の回路は、可変抵抗を有する。センサは、二次電池の温度を検知する機能を有する。第1の回路は、二次電池の充電電圧を判定し第1の結果を出力する機能と、センサが検出する二次電池の温度を判定し第2の結果を出力する機能と、第1の結果および第2の結果に基づいて可変抵抗の大きさを決定する機能と、可変抵抗を介して充電電圧を放電させる機能と、充電電圧が指定された電圧に達すると放電を停止させる機能と、を有する。

    半導体装置
    4.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020167743A

    公开(公告)日：2020-10-08

    申请号：JP2020113734

    申请日：2020-07-01

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 上妻 宗広 ,  池田 隆之 ,  黒川 義元 ,  青木 健 ,  岡本 佑樹

    IPC: H03K19/00

    Abstract: 【課題】低電圧駆動に適した半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、第1トランジスタ、第2トランジスタ、電源線、回路、およ び記憶回路を有する。第1トランジスタは回路と電源線間の導通状態を制御する。記憶回 路は、第1トランジスタのゲート電位を設定するためのデータを記憶する。第2トランジ スタは記憶回路の出力ノードと第1トランジスタのゲート間の導通状態を制御する。第2 トランジスタはオフ電流が極めて小さいトランジスタ、例えば酸化物半導体トランジスタ である。回路を動作させる期間では、電源線に第1電位が入力され、かつ第2トランジス タはオフ状態にされる。第1トランジスタのゲート電位を更新する期間では、電源線に第 2電位が入力される。第2電位は第1電位よりも高い。 【選択図】図1

    半導体装置、及び、集積回路
    5.
    发明专利
    半導体装置、及び、集積回路 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020107891A

    公开(公告)日：2020-07-09

    申请号：JP2020022276

    申请日：2020-02-13

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 上妻 宗広 ,  青木 健 ,  米田 誠一 ,  黒川 義元

    IPC: G06F7/57 ,  H03K19/17748 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/82

    Abstract: 【課題】新規な構成の半導体装置を提供すること。 【解決手段】異なる演算処理の切り替えが可能な複数の演算回路と、演算回路間での接続状態の切り替えが可能な複数のスイッチ回路と、コントローラと、を有する。演算回路は、第1のコンテキスト信号の切り替えに応じて複数の演算処理に用いる重みパラメータに相当するデータを記憶する第1のメモリを有する。演算回路は、コンテキストに応じて重みデータを切り替えることで積和演算を実行する。スイッチ回路は、第2のコンテキスト信号の切り替えに応じて複数の接続状態を切り替えるためのデータを記憶する第2のメモリを有する。コントローラは、第1のコンテキスト信号を基に第2のコンテキスト信号を生成する。第2のメモリに記憶されるデータは、演算回路の第1のメモリに記憶されるデータより少なくすることができる。 【選択図】図6

    ニューラルネットワーク回路
    6.
    发明专利
    ニューラルネットワーク回路 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2018189620A1

    公开(公告)日：2020-02-27

    申请号：JPIB2018052250

    申请日：2018-04-02

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 岡本 佑樹 ,  上妻 宗広 ,  黒川 義元 ,  池田 隆之

    IPC: G06N3/063

    Abstract: 新規な構成のニューラルネットワーク回路を提供すること。レジスタ、メモリ、乗算回路および加算回路を有する複数の演算回路を複数設ける。メモリは、コンテキスト信号の切り替えに応じて異なる重みデータを出力する。乗算回路は、重みデータと、レジスタに保持される入力データと、の乗算データとを出力する。加算回路は、別の演算回路における加算回路で得られた積和演算で得られるデータに、得られた乗算データを加算することで積和演算を行う。得られた積和演算のデータは、別の演算回路における加算回路に出力することで、異なる重みデータおよび入力データの積和演算を行う構成とする。

    半導体装置
    8.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018180975A

    公开(公告)日：2018-11-15

    申请号：JP2017080290

    申请日：2017-04-14

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 岡本 佑樹 ,  上妻 宗広

    IPC: G06N3/063 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H03K19/177 ,  G06F17/10

    Abstract: 【課題】効率的に積和演算を行うことが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】乗算器と、加算器と、スイッチと、を有する半導体装置である。乗算器は第1の数と第2の数との乗算結果を出力する。加算器は乗算結果と第3の数との加算結果を出力する。乗算器は不揮発性メモリを有する。不揮発性メモリは、第1の数が奇数の場合の乗算結果が書き込まれる。第1の数が偶数の場合の乗算結果は、不揮発性メモリに書き込まれたデータをビットシフトすることで読み出される。スイッチにより、電源電圧の供給が停止される。不揮発性メモリは、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを含む。 【選択図】図3

    半導体装置、電子部品、および電子機器
    10.
    发明专利
    半導体装置、電子部品、および電子機器 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018129796A

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：JP2018006458

    申请日：2018-01-18

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 上妻 宗広 ,  黒川 義元

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H03K19/177

    Abstract: 【課題】動作の安定したFPGAとして機能することができる半導体装置を提供すること。 【解決手段】非導通状態とすることで情報に応じた電圧を保持する第1トランジスタと、ゲートに情報に応じた電圧が与えられ、ソース又はドレインの一方にコンテキスト信号が与えられる第2トランジスタと、第2トランジスタのソース又はドレインの他方の電圧がゲートに与えられる第3トランジスタと、ソースまたはドレインの一方が第3トランジスタのゲートに電気的に接続された第4トランジスタと、を有し、第4トランジスタは、非導通状態でソースとドレインとの間を流れるリーク電流を利用して第3トランジスタのゲートが電気的に浮遊状態となることを抑制する機能を有する、プログラマブルルーティングスイッチ回路を備えた半導体装置とする。 【選択図】図3

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