公开(公告)号：JP2017521549A

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：JP2016562266

申请日：2015-03-31

Applicant: エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ,  エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ.

Inventor： トム イー． ブロムバーグ ,  トム イー． ブロムバーグ ,  リンダ リンドルース ,  リンダ リンドルース ,  ハンヌ フオタリ ,  ハンヌ フオタリ

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L23/48 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0001

Abstract: 基板にフッ素含有薄膜を堆積するための原子層堆積(ALD)プロセスは、複数のスーパーサイクルを含むことができる。各スーパーサイクルは、金属フッ化物サブサイクルと還元サブサイクルとを含むことができる。金属フッ化物サブサイクルは、基板を金属フッ化物と接触させるステップを含むことがある。還元サブサイクルは、基板を還元剤および窒素反応体と交互に逐次的に接触させるステップを含むことがある。【選択図】図1

公开(公告)号：JP6151860B2

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：JP2016533328

申请日：2014-07-30

Applicant: マイクロン テクノロジー, インク.

Inventor： リー,ホンキ ,  ジンダル,アヌラーグ ,  リゥ,ジン ,  ラマリンガム,シャム

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JPWO2015146516A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：JP2015537039

申请日：2015-03-04

Applicant: Jx金属株式会社

Inventor： 小田　国博 ,  国博 小田

IPC: C23C14/34 ,  C22F1/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22D21/06 ,  C21D8/0221 ,  C21D8/0273 ,  C21D9/0062 ,  C22C27/02 ,  C22F1/18 ,  C23C8/24 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/14 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 【要約書】タンタルスパッタリングターゲットのスパッタ面の(100)面の配向率が30〜90%であり、(111)面の配向率が50%以下であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。溶解鋳造したタンタルインゴットを、鍛造及び再結晶焼鈍した後、圧延及び熱処理し、タンタルスパッタリングターゲットの(100)面の配向率が30〜90%であり、(111)面の配向率が50%以下である結晶組織を形成することを特徴とするタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。ターゲットの結晶配向を制御することにより、タンタルターゲットのバーンイン積算電力量を減少させて、プラズマを発生し易くし、成膜速度を安定化させ、膜の抵抗変動を減少させる効果を有する。【選択図】なし

公开(公告)号：JP6087236B2

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：JP2013153338

申请日：2013-07-24

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 佐々木 寛子 ,  和村 有 ,  小堆 正人

IPC: C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76856

公开(公告)号：JP6076020B2

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：JP2012223966

申请日：2012-10-09

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 宇野 哲史 ,  土屋 秀昭 ,  横川 慎二

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/94 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3656

公开(公告)号：JP2017014615A

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：JP2016105216

申请日：2016-05-26

Applicant: ラム リサーチ コーポレーション ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： ローレンス・シュロス ,  シャオラン・バ

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/14

CPC classification number: H01L21/76876 ,  H01L21/76841

Abstract: 【課題】低フッ素のタングステン含有膜を基板上に堆積する方法の提供。 【解決手段】フッ素含有タングステン前駆体と還元剤との交互のパルスに基板を曝露し、これによってタングステン含有膜を前記基板に堆積させることを含み、前記フッ素含有タングステン前駆体がパルスを発生させている間、前記基板を収容しているチャンバのチャンバ圧力は、10トル未満に維持されてよい。また、チャンバ圧力は、7トル未満、あるいはそれよりも低い5トル未満などに維持されてよい。フッ素含有タングステン前駆体を用いて実施されてもよいが、堆積された層中のフッ素は極めて少量または検出不可能な量になることがあるタングステン含有膜の形成方法。 【選択図】図3

Abstract translation: 本发明提供一种用于低氟含钨膜沉积在基板上的方法。 由此，含氟钨前体通过脉冲调制方法包括在所述衬底上沉积含钨膜的将衬底暴露于含氟钨前驱物的交替脉冲和还原剂， 是期间，含有底物腔室压力室可维持在小于10乇。 此外，腔室压力小于7托，或者可以以如此低的下面比5托被维持。 氟可以使用含有前体的钨来实现，但在氟的含钨膜的沉积层的形成方法可以是非常小的或不可检测的量。 点域

公开(公告)号：JPWO2014024849A1

公开(公告)日：2016-07-25

申请号：JP2013539033

申请日：2013-08-05

Applicant: 積水化学工業株式会社

Inventor： さやか 脇岡 ,  さやか 脇岡 ,  弘章 中川 ,  弘章 中川 ,  善雄 西村 ,  善雄 西村 ,  周治郎 定永 ,  周治郎 定永

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/29 ,  C08K9/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76841 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本発明は、ボイドを抑制して高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該半導体装置の製造方法に用いられるフリップチップ実装用接着剤を提供することを目的とする。本発明は、半田からなる先端部を有する突起電極が形成された半導体チップを、接着剤を介して基板上に位置合わせする工程1と、前記半導体チップを半田溶融点以上の温度に加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを溶融接合させるとともに、前記接着剤を仮接着させる工程2と、前記接着剤を加圧雰囲気下で加熱してボイドを除去する工程3とを有し、前記接着剤は、示差走査熱量測定及び小澤法によって求めた活性化エネルギーΔEが100kJ/mol以下、260℃2秒後における反応率が20%以下、260℃4秒後における反応率が40%以下である半導体装置の製造方法である。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种制造能够通过抑制空隙实现高可靠性的半导体器件的方法。 本发明的目的还在于，提供一种倒装芯片安装在半导体器件的制造方法中使用的粘合剂。 本发明是具有突起电极与由焊料的前端部形成有半导体芯片，所述步骤1通过粘合剂将衬底对齐，通过将半导体芯片加热到焊料比温度的熔点高 ，与熔融的接合凸块电极和半导体芯片的基板的电极部，第2步中，其暂时粘结到粘合剂，和通过加压气氛下加热粘合剂除去空隙的步骤3一起 已经粘合剂，差示扫描量和活化能ΔE由小泽方法100千焦/摩尔或更小，20％的响应率260℃2秒钟或更少之后确定，260℃4秒钟后，反应速率 有一种制造半导体器件的方法是小于40％。

公开(公告)号：JP5915504B2

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：JP2012244509

申请日：2012-11-06

Applicant: 日亜化学工業株式会社

Inventor： 友成 政勝 ,  小川 利昭 ,  湊 俊介

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76841 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/8092 ,  H01L23/28 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/26 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2933/0016 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

公开(公告)号：JP5909852B2

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：JP2011036638

申请日：2011-02-23

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 渡邉 和人 ,  松下 篤志 ,  堀越 浩 ,  杉浦 巌 ,  西村 雄二 ,  山端 祥太

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/146 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/48463 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025

公开(公告)号：JP5862353B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：JP2012033310

申请日：2012-02-17

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 石坂 忠大 ,  五味 淳 ,  鈴木 健二 ,  波多野 達夫 ,  水澤 寧

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/522 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76841 ,  C23C14/02 ,  C23C14/046 ,  C23C16/02 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/02126