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    半導体装置
    1.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017174842A

    公开(公告)日：2017-09-28

    申请号：JP2016055705

    申请日：2016-03-18

    Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

    Inventor： 兼近 将一 ,  冨田 一義 ,  上田 博之 ,  森 朋彦 ,  長里 喜隆 ,  富田 英幹

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

    Abstract: 【課題】ヘテロ接合が構成されている半導体装置において、電流コラプス現象を抑制する。 【解決手段】半導体装置100は、半導体層10と、アノード電極16と、カソード電極12と、p型半導体層18を備えている。半導体層10は、第1半導体層6と第2半導体層8を有している。第2半導体層8は、第1半導体層6上に設けられているとともに第1半導体層6よりバンドギャップが広い。アノード電極16は、半導体層10上に設けられており、半導体層10にショットキー接触している。カソード電極12は、アノード電極16から離れて半導体層10上に設けられている。p型半導体層18は、アノード電極16に対して、カソード電極12の反対側で半導体層10上に設けられている。 【選択図】図1

    成膜装置および半導体装置の製造方法
    5.
    发明专利
    成膜装置および半導体装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019129298A

    公开(公告)日：2019-08-01

    申请号：JP2018011943

    申请日：2018-01-26

    Applicant: 株式会社豊田中央研究所

    Inventor： 成田 哲生 ,  冨田 一義

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

    Abstract: 【課題】反応室の圧力に影響されずに、反応室に供給されるガス中の成膜用原料の濃度を測定する。 【解決手段】基板の表面に膜を成長させる成膜装置である。成膜装置は、原料ガス供給装置と、反応室と、原料ガス供給装置と反応室とを接続している第1配管と、第1配管に設置されており、第1配管を流れるガスの流量を制御する流量制御器と、流量制御器の上流側で第1配管から分岐する第2配管と、第2配管内を流れるガス中の原料の濃度を測定する濃度測定器と、濃度測定器よりも下流側の第2配管に設置されている第1圧力制御器と、を備えている。第1圧力制御器は、第1圧力制御器および流量制御器よりも上流側の領域であって原料ガス供給装置よりも下流側の領域であって濃度測定器を含んだ領域の圧力を、反応室の圧力とは独立して制御可能である。 【選択図】図1

    窒化物半導体とリセスゲート電極を利用する電界効果型トランジスタ
    6.
    发明专利
    窒化物半導体とリセスゲート電極を利用する電界効果型トランジスタ 有权
    使用氮化物半导体和闭孔电极的场效应晶体管

    公开(公告)号：JP2015211063A

    公开(公告)日：2015-11-24

    申请号：JP2014090052

    申请日：2014-04-24

    Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー

    Inventor： 菊田 大悟 ,  伊藤 健治 ,  成田 哲生 ,  冨田 一義 ,  松井 正樹 ,  大竹 伸幸 ,  樋口 安史

    IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/338

    Abstract: 【課題】ゲート電極がゲート絶縁膜を介して窒化物半導体に対向する電界効果型トランジスタの閾値電圧を引き上げてノーマリオフとするために、リセスを形成し、リセスにゲート電極を埋め込み、リセスの底面に負固定電荷を導入するのが有効であるが、閾値電圧が意図せずに上昇する。 【解決手段】負固定電荷導入領域22の形成範囲がリセス18aの底面全域に広がらず、ゲート電極16の下面16aの形成範囲に留まる関係とする。意図した閾値電圧でチャネルが形成されてソース・ドレイン間抵抗が低下する。閾値電圧が揃っているトランジスタを歩留まりよく量産できる。 【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题为了解决这样一个问题，尽管形成凹槽是有效的，但是在凹槽中嵌入栅电极，并且将负固定电荷引入到用于场效应晶体管的常闭操作的凹槽的底表面 其中栅电极通过栅极绝缘膜面对氮化物半导体，通过提升其阈值电压，但阈值电压无意中上升。解决方案：负固定电荷引入区22的形成范围不会扩散到整个区域 但是被限制在栅电极16的下表面16a的形成范围内。通道形成有预期的阈值电压，并且源极 - 漏极之间的电阻降低。 具有排列的阈值电压的晶体管可以以良好的产量大量生产。

    窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法
    8.
    发明专利
    窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020181891A

    公开(公告)日：2020-11-05

    申请号：JP2019084049

    申请日：2019-04-25

    Applicant: 株式会社豊田中央研究所

    Inventor： 冨田 一義 ,  成田 哲生

    IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

    Abstract: 【課題】窒化物半導体において品質の高いp型領域を形成することができる技術を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置は、ドレイン電極を備える。窒化物半導体装置は、ドレイン電極の上方に配置されている第1のn型GaN層を備える。窒化物半導体装置は、第1のn型GaN層の上面に配置されている低濃度p型GaN層を備える。窒化物半導体装置は、低濃度p型GaN層の上面に配置されている第2のn型GaN層を備える。窒化物半導体装置は、第2のn型GaN層の上面から低濃度p型GaN層まで到達しているトレンチを備える。窒化物半導体装置は、トレンチ内に配置されているコンタクト領域であって、低濃度p型GaN層よりもp型不純物濃度が高い高濃度p型GaNで形成されているコンタクト領域を備える。窒化物半導体装置は、コンタクト領域の少なくとも一部に接するソース電極を備える。 【選択図】図1

    半導体装置
    10.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017152655A

    公开(公告)日：2017-08-31

    申请号：JP2016036276

    申请日：2016-02-26

    Applicant: 株式会社豊田中央研究所

    Inventor： 冨田 一義 ,  兼近 将一

    IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L33/10 ,  H01L33/04 ,  H01L29/812

    Abstract: 【課題】電流コラプス現象の影響を効率的に低減することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 第1素子T11を含む第1素子領域R11と、素子分離領域R12と、を備えており、第1素子領域R11は、第1素子T11のチャネルとなる2次元電子ガスが形成されるヘテロ接合を有する第1半導体積層106であって、第1半導体層108と、その第1半導体層108上に設けられているとともに第1半導体層108とは異なるバンドギャップを有する第2半導体層110と、を有する第1半導体積層106と、第1半導体積層106内に光を照射するように構成されている第1発光部120と、を有しており、素子分離領域R12は、第1素子領域R11の第1半導体積層106の側面に接する第1反射膜142、を有しており、第1反射膜142は、第1発光部120が照射する光を反射するように構成されている、半導体装置。 【選択図】図1

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