公开(公告)号：KR102232756B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020140059966A

申请日：2014-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  김상우 ,  이강혁 ,  박혜정 ,  조은비

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66015 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547

Abstract: 그래핀-반도체 멀티 접합을 갖는 전자소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 전자소자는 적어도 하나의 그래핀 돌기를 갖는 그래핀층과 이러한 그래핀층을 덮는 반도체층을 포함한다. 상기 그래핀 돌기의 측면은 비평면으로 멀티 에지(edge)를 가질 수 있는데, 상기 그래핀 돌기는 계단식 측면을 가질 수 있다. 상기 그래핀층은 복수의 나노 결정(nano-crystal) 그래핀을 포함한다. 상기 그래핀층은 복수의 나노 결정 그래핀을 포함하는 하부 그래핀층과 상기 하부 그래핀층 상에 형성된 상기 그래핀 돌기를 포함한다. 상기 반도체층은 전이금속 디켈코게나이드(Transition Metal Dichalcogenide)(TMDC)층을 포함할 수 있다. 상기 복수의 그래핀 돌기는 각각 복수의 나노 결정 그래핀을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR20210030775A

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020190112370A

申请日：2019-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김창현 ,  김상우 ,  변경은 ,  신현진 ,  손아름 ,  정재환

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02631 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/324 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595

Abstract: 금속 칼코게나이드 박막의 형성방법 및 이를 포함하는 소자의 제조방법을 개시한다. 본 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법은, 스터퍼링 공정으로 금속 칼코게나이드 박막을 기판상에 증착시키고, 증착된 금속 칼코게나이드 박막을 열 처리하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR20210027893A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020190108930A

申请日：2019-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  울산과학기술원

Inventor： 이창석 ,  신현석 ,  신현진 ,  홍석모 ,  마경열

IPC: C30B29/38 ,  C30B30/00 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66

CPC classification number: C30B29/38 ,  H01L21/0254 ,  C01B21/0641 ,  C01B21/0643 ,  C01B21/0646 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/342 ,  C23C16/50 ,  C30B25/105 ,  C30B25/165 ,  C30B29/403 ,  C30B30/00 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66015 ,  C01P2004/40

Abstract: 800℃ 이하의 비교적 저온에서 육방정계 질화붕소를 에피택셜 성장시키는 육방정계 질화붕소의 제조 방법이 개시된다. 개시된 실시예에 따르면, 육방정계 결정구조를 가지며 육방정계 질화붕소(h-BN)와의 격자 부정합이 15% 이하인 촉매 금속을 챔버 내에 배치하는 단계; 및 질소 공급원 및 붕소 공급원을 상기 챔버 내에 공급하면서 800℃ 이하의 온도에서 상기 촉매 금속 위에 육방정계 질화붕소를 성장시키는 단계;를 포함하는 육방정계 질화붕소의 제조 방법이 제공된다.