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公开(公告)号:KR20210028094A
公开(公告)日:2021-03-11
申请号:KR1020200103541A
申请日:2020-08-18
发明人: 수-하오 리우 , 쿠오-주 첸 , 카이-수안 리 , 아이-시에 웅 , 쳉-유 양 , 리앙-인 첸 , 후이쳉 창 , 이-치아 예오 , 슌-밍 장 , -밍 장 , 멩-한 초우
IPC分类号: H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L27/092 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号: H01L29/7851 , H01L21/266 , H01L21/31155 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76831 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823864 , H01L21/823871 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/41725 , H01L29/4983 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/165 , H01L29/665 , H01L29/7848
摘要: 디바이스는, 반도체 기판으로부터 연장되는 핀; 상기 핀 위의 게이트 스택; 상기 게이트 스택의 측벽 상의 제1 스페이서; 상기 제1 스페이서에 인접한 핀 내의 소스/드레인 영역; 상기 게이트 스택, 상기 제1 스페이서 및 상기 소스/드레인 영역 위로 연장되는 층간 유전체 층(ILD) - 상기 ILD는 제1 부분 및 제2 부분을 가지며, 상기 ILD의 제2 부분은 상기 ILD의 제1 부분보다 상기 게이트 스택에 더 근접함 -; 상기 ILD를 통해 연장되고 상기 소스/드레인 영역과 접촉하는 컨택 플러그; 상기 컨택 플러그의 측벽 상의 제2 스페이서; 및 상기 제1 스페이서와 상기 제2 스페이서 사이의 에어 갭을 포함하고, 상기 ILD의 제1 부분은 상기 에어 갭에 걸쳐 연장되고 상기 제2 스페이서와 물리적으로 접촉하며, 상기 ILD의 제1 부분은 상기 에어 갭을 밀봉한다.
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公开(公告)号:JP6419184B2
公开(公告)日:2018-11-07
申请号:JP2016536476
申请日:2014-08-22
发明人: シャシャンク エス エクボーテ , クワンヨン リム , エベニーザ エシュン , ヨウンスン チョイ
IPC分类号: H01L27/088 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/8234
CPC分类号: H01L29/45 , H01L21/28123 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823443 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/458 , H01L29/665 , H01L29/66636 , H01L29/7848
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公开(公告)号:JP6382396B2
公开(公告)日:2018-08-29
申请号:JP2017109805
申请日:2017-06-02
申请人: インテル コーポレイション
发明人: ピラリセッティ,ラヴィ , カヴァリエロス,ジャック ティー. , チュー−クーン,ベンジャミン , ラハマディ,ウィリー , フダイト,マントゥ,ケイ. , ムケルジー,ニロイ , ラドサヴリエヴィッチ,マルコ , チャウ,ロバート エス.
IPC分类号: H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/338
CPC分类号: H01L29/7784 , H01L29/151 , H01L29/155 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/401 , H01L29/41725 , H01L29/41775 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/775 , H01L29/7783 , H01L29/78
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公开(公告)号:JP2018088544A
公开(公告)日:2018-06-07
申请号:JP2018017222
申请日:2018-02-02
IPC分类号: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
CPC分类号: H01L27/2436 , H01L29/41725 , H01L29/78
摘要: 【課題】半導体構造とその形成方法を提供する。 【解決手段】基板と、基板の上に形成されたゲート構造と、基板の中でゲート構造に隣接して形成された、第一ソース/ドレイン構造、および第二ソース/ドレイン構造と、基板の上に形成されて、ゲート構造を被覆せず、第一ソース/ドレイン構造を被覆する第一誘電層と、基板の上に形成されて、ゲート構造を被覆する第二誘電層と、第一誘電層および第二誘電層の中に形成されて、第一ソース/ドレイン構造と直接接触した第一導電構造と、第一誘電層および第二誘電層の中の、第二ソース/ドレイン構造の上に形成された第二導電構造とを備え、第二導電構造は、第二誘電層を貫通して第一誘電層の中まで延びており、第一誘電層の一部は、第二導電構造の下で、かつ第二導電構造と第二ソース/ドレイン構造との間に配置されている。 【選択図】図1D
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公开(公告)号:JP6311668B2
公开(公告)日:2018-04-18
申请号:JP2015138957
申请日:2015-07-10
申请人: 株式会社デンソー
IPC分类号: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/338
CPC分类号: H01L29/06 , H01L29/0615 , H01L29/2003 , H01L29/41725 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/812
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公开(公告)号:JP2018041932A
公开(公告)日:2018-03-15
申请号:JP2016177019
申请日:2016-09-09
申请人: 株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
IPC分类号: H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L21/338
CPC分类号: H01L29/518 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/408 , H01L29/41725 , H01L29/513 , H01L29/7786
摘要: 【課題】電流コラプスの抑制が可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に設けられ、第1の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第2の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、第1の窒化物半導体層に電気的に接続された第1の電極と、第1の電極との間にゲート電極が位置し、第1の窒化物半導体層に電気的に接続された第2の電極と、ゲート電極と第2の電極との間に設けられ、第1の窒化物半導体層との間に第2の窒化物半導体層が位置し、シリコンに対する酸素の原子比(O/Si)が1.50以上1.85以下の酸化シリコンを含む第1の絶縁層と、を備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6252122B2
公开(公告)日:2017-12-27
申请号:JP2013235278
申请日:2013-11-13
申请人: 富士通株式会社
IPC分类号: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812 , H02M3/28
CPC分类号: H01L29/402 , H01L21/28264 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/41725 , H01L29/41758 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
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公开(公告)号:JP6237553B2
公开(公告)日:2017-11-29
申请号:JP2014193473
申请日:2014-09-24
申请人: 豊田合成株式会社
IPC分类号: H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号: H01L29/41725 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452
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公开(公告)号:JP2017168659A
公开(公告)日:2017-09-21
申请号:JP2016053015
申请日:2016-03-16
申请人: 富士電機株式会社
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/41
CPC分类号: H01L29/0619 , H01L21/288 , H01L23/535 , H01L23/58 , H01L29/0692 , H01L29/401 , H01L29/402 , H01L2224/05 , H01L2224/48463 , H01L2224/4847 , H01L29/0615 , H01L29/0878 , H01L29/41708 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/7393 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要: 【課題】微細加工容易なガードリング部を提供する。 【解決手段】半導体基板と、半導体基板に形成された活性領域と、半導体基板において活性領域よりも外側に形成されたガードリング部とを備え、ガードリング部は、半導体基板の上面において環状に形成されたガードリングと、ガードリングの上方に形成された層間絶縁膜と、ガードリングに沿って層間絶縁膜の上方に環状に形成されたフィールドプレートと、ガードリングに沿って環状に形成され、層間絶縁膜を貫通してガードリングとフィールドプレートとを接続するタングステンプラグとを有する半導体装置を提供する。 【選択図】図2
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公开(公告)号:JP6096109B2
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:JP2013504077
申请日:2011-04-13
IPC分类号: H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/338
CPC分类号: H01L29/42316 , H01L29/41725 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/13144 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L27/085 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091
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