公开(公告)号：KR20210030931A

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020217000922A

申请日：2019-07-10

申请人： 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤

发明人： 카즈히로 야마모토 ,  유이 쿠니토 ,  슌스케 후지오 ,  šœ스케 후지오

IPC分类号： H01L21/52 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065

CPC分类号： C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  C09J7/38 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  C09J2203/326 ,  C09J2301/312 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L24/32 ,  H01L25/0657 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3511

摘要： 본 개시의 일 측면에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 120℃에 있어서의 용융 점도가 3100Pa·s 이상인 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 접착층과 점착층과 기재 필름을 구비하는 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 준비하는 공정과, 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 접착층 측의 면과 반도체 웨이퍼를 첩합하는 공정과, 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정과, 기재 필름을 익스팬드함으로써 접착제 부착 반도체 소자를 얻는 공정과, 접착제 부착 반도체 소자를 점착층으로부터 픽업하는 공정과, 이 반도체 소자를 다른 반도체 소자에 대하여 상기 접착제를 통하여 적층하는 공정과, 상기 접착제를 열경화시키는 공정을 포함한다.