公开(公告)号：KR20210030931A

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020217000922A

申请日：2019-07-10

Applicant: 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤

Inventor： 카즈히로 야마모토 ,  유이 쿠니토 ,  슌스케 후지오 ,  šœ스케 후지오

IPC: H01L21/52 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  C09J7/38 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  C09J2203/326 ,  C09J2301/312 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L24/32 ,  H01L25/0657 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3511

Abstract: 본 개시의 일 측면에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 120℃에 있어서의 용융 점도가 3100Pa·s 이상인 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 접착층과 점착층과 기재 필름을 구비하는 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 준비하는 공정과, 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 접착층 측의 면과 반도체 웨이퍼를 첩합하는 공정과, 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정과, 기재 필름을 익스팬드함으로써 접착제 부착 반도체 소자를 얻는 공정과, 접착제 부착 반도체 소자를 점착층으로부터 픽업하는 공정과, 이 반도체 소자를 다른 반도체 소자에 대하여 상기 접착제를 통하여 적층하는 공정과, 상기 접착제를 열경화시키는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：JP2018148071A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2017042675

申请日：2017-03-07

Applicant: 東芝メモリ株式会社

Inventor： 田上 政由 ,  勝又 竜太 ,  飯島 純 ,  清水 徹哉 ,  臼井 孝公 ,  藤田 弦暉

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11556 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11551

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L25/50 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 【課題】記憶容量を大きくすることが可能な記憶装置を提供する。 【解決手段】記憶装置は、第1メモリセルアレイと、前記第1メモリセルアレイに対して第1方向に配置された第2メモリセルアレイと、前記第1メモリセルアレイ中を前記第1方向に延在する第1コンタクトプラグと、前記第2メモリセルアレイ中を前記第1方向に延在し、前記第1コンタクトプラグに電気的に接続された第2コンタクトプラグと、を備える。前記第1メモリセルアレイは、前記第1方向に積層された複数の第1電極層と、前記複数の第1電極層を貫く第1半導体ピラーと、を含み、前記第2メモリセルアレイは、前記第1方向に積層された複数の第2電極層と、前記複数の第2電極層を貫く第2半導体ピラーと、を含む。前記第1コンタクトプラグは、前記第1半導体ピラーに電気的に接続され、前記第2コンタクトプラグは、前記第2半導体ピラーに電気的に接続される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018093107A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2016236713

申请日：2016-12-06

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 秋葉 俊彦 ,  仮屋崎 修一

IPC: H01L25/00 ,  H05K3/46 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/4901 ,  H01L2224/494 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311

Abstract: 【課題】半導体装置の低価格化および高信頼度化を図る。 【解決手段】インターポーザ20Aには、最上層配線と最下層配線との間に、複数の配線層が配置されており、例えば配線層M3は、配線層M2を介することなく、絶縁層を貫通するロングビア配線23Lによって、最上層配線である配線層M1と直接電気的に接続されている。例えば配線層M1からなる上面端子25と配線層M3からなるビアランド28とはロングビア配線23Lによって直接電気的に接続されており、互いに隣り合うロングビア配線23Lの間には、配線層M2からなる引き出し配線22Cを3本配置することができ、互いに隣り合うビアランド28の間に配置できる引き出し配線22Cよりも多数の引き出し配線22Cを配置することができる。 【選択図】図11A

公开(公告)号：JP6234864B2

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：JP2014069007

申请日：2014-03-28

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 吉田 健太 ,  岩井 悠

IPC: C08F2/44 ,  G03F7/004 ,  G03F7/033 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  C08G73/106 ,  C08G73/128 ,  C09J179/08 ,  C09J179/085 ,  C09J5/02 ,  C09J5/06 ,  G03F7/027 ,  G03F7/031 ,  G03F7/032 ,  G03F7/033 ,  G03F7/037 ,  G03F7/085 ,  G03F7/162 ,  G03F7/20 ,  G03F7/322 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27515 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83031 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/15311

公开(公告)号：JP6212420B2

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：JP2014061291

申请日：2014-03-25

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 小山 一郎 ,  吉田 健太

IPC: C08F2/44 ,  G03F7/032 ,  G03F7/004 ,  C08K5/103 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C08L69/00

CPC classification number: H01L23/293 ,  G03F7/027 ,  G03F7/032 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L21/563 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27424 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181

公开(公告)号：JP6171905B2

公开(公告)日：2017-08-02

申请号：JP2013254136

申请日：2013-12-09

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村 直章 ,  須和田 誠

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/10 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01Q9/30

CPC classification number: H01L27/1052 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/66 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436

公开(公告)号：JP2017126703A

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：JP2016006203

申请日：2016-01-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉良 秀彦 ,  海沼 則夫

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06593

Abstract: 【課題】積層半導体の各層の接合状態を均一化する。 【解決手段】積層半導体は、積層された3層以上の半導体チップと、前記各半導体チップの間に配置され、加熱により軟化する樹脂と、前記各半導体チップの間に配置され、かつ、隣接する前記半導体チップに接しており、所定温度に達すると外力により変形する支持部と、を備える。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6128787B2

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：JP2012215970

申请日：2012-09-28

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 下津佐 峰生

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091

公开(公告)号：JP2017510076A

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2016559399

申请日：2015-03-30

Applicant: マイクロン テクノロジー, インク. ,  マイクロン テクノロジー, インク.

Inventor： クープマンス，ミシェル ,  ルオ，シジアン ,  アール． ヘンブリー，デイビッド ,  アール． ヘンブリー，デイビッド

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/373 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047

Abstract: 改良された熱性能を有する積層された半導体ダイアセンブリ、ならびに関連するシステムおよび方法が、本明細書に開示される。一実施形態においては、半導体ダイアセンブリは、半導体ダイの積層と、半導体ダイの積層を少なくとも部分的には筐体内に包囲する熱伝導性ケーシングとを、含むことができる。パッケージ基板は、熱伝導性ケーシングを支持し、インターポーザーは熱伝導性ケーシングと半導体ダイの積層との間に配置される。インターポーザーの周辺部分は、半導体ダイの積層を超えて横方向に延び、周辺部分とパッケージ基板との間に挟まれた複数の導電性部材に結合される。【選択図】図1

公开(公告)号：JP6087742B2

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：JP2013126128

申请日：2013-06-14

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 加藤 康宏 ,  落合 渉

IPC: G11C11/413 ,  G11C5/00

CPC classification number: G06K7/10366 ,  G11C8/12 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657