公开(公告)号：KR20210038516A

公开(公告)日：2021-04-07

申请号：KR1020210040497A

申请日：2021-03-29

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 밍-파 첸 ,  첸-후아 유

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/52 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/538 ,  H01L21/52 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28

Abstract: 제1 반도체 소자가 제2 반도체 소자에 접합된 반도체 소자들이 제공된다. 접합은 제1 반도체 소자 또는 제2 반도체 소자 중 하나의 게이트 레벨, 게이트 접촉부 레벨, 제1 배선층, 중간 배선층 또는 상부 배선층에서 일어날 수 있다.

公开(公告)号：KR20210033393A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020190172347A

申请日：2019-12-20

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 퐁-유안 창 ,  누어 모하메드 에투비틸 ,  포-시앙 후앙 ,  센-보 잔 ,  밍-파 첸 ,  친-초우 리우 ,  위-칸 쳉

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L2224/08135 ,  H01L2224/08137 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08147

Abstract: 반도체 장치 및 제조 방법이 제공되며, 여기서 금속화층이 기판 위에 위치하고, 전력망 라인이 금속화층 내에 위치한다. 신호 패드가 금속화층 내에 위치하고, 신호 패드는 전력망 라인에 의해 둘러싸인다. 신호 외부 연결부는 신호 패드에 전기적으로 연결된다.

公开(公告)号：KR20210035037A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020200068487A

申请日：2020-06-05

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 첸-후아 유 ,  시엔-웨이 첸 ,  웬-치 치오우 ,  밍-파 첸 ,  성-펭 예

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/495 ,  H01L27/1052 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L27/14618 ,  H01L21/56

Abstract: 반도체 디바이스 및 제조 방법이 제공되는데, 반도체 디바이스는, 제1 메모리 디바이스에 결합되는 제1 시스템 온 칩 디바이스, 제1 메모리 디바이스에 결합되는 제2 시스템 온 칩 디바이스, 제1 시스템 온 칩 디바이스 및 제2 시스템 온 칩 디바이스를 둘러싸는 제1 봉지재, 제1 시스템 온 칩 디바이스, 제2 시스템 온 칩 디바이스, 및 제1 메모리 디바이스를 둘러싸는 제2 봉지재, 및 제2 봉지재의 제1 측으로부터 제1 봉지재의 제2 측으로 연장되는 관통 비아 - 관통 비아는 제1 봉지재의 외부에 위치됨 - 를 포함한다.

公开(公告)号：KR20210028115A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020200108852A

申请日：2020-08-27

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 밍-파 첸 ,  성-펭 예 ,  시엔-웨이 첸 ,  지에 첸

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L24/05 ,  H01L23/5226 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/80

Abstract: 패키지는, 제1 다이 ― 제1 다이는: 제1 금속화 층; 제1 금속화 층 상의 하나 이상의 제1 본드 패드 비아; 및 하나 이상의 제1 본드 패드 비아 상의 하나 이상의 제1 본드 패드를 포함하고, 제1 배리어 층은 각각의 제1 본드 패드 비아와 제1 금속화 층 사이에서 제1 금속화 층에 걸쳐 연장되고, 제2 배리어 층은 제1 본드 패드와 제1 본드 패드 비아 사이에서 각각의 제1 본드 패드 비아에 걸쳐 연장됨 ― ; 및 하나 이상의 제2 본드 패드를 포함하는 제2 다이 ― 제2 본드 패드는 제1 다이의 제1 본드 패드에 본딩됨 ― 를 포함한다.

公开(公告)号：KR20210024402A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020190150716A

申请日：2019-11-21

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 시엔-웨이 첸 ,  지에 첸 ,  밍-파 첸

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/18 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L24/28 ,  H01L23/53295 ,  H01L21/185 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/27 ,  H01L21/76807 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2924/01013

Abstract: 디바이스는 기판 위의 상호 접속 구조체, 상기 상호 접속 구조체에 연결되도록 상기 상호 접속 구조체 위에 배치된 복수의 제1 도전 패드, 상기 복수의 제1 도전 패드의 측벽 및 상부면 위로 연장되는 평탄화 정지층, 상기 평탄화 정지층 위로 연장되는 표면 유전체 층, 및 상기 복수의 제1 도전 패드에 연결되도록 상기 표면 유전체 층 내에 배치된 복수의 제1 접합 패드를 포함한다.