公开(公告)号：KR20210028077A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020200079217A

申请日：2020-06-29

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 웨이위 천 ,  안지 쉬

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L24/20 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06548 ,  H01L23/3128

摘要： 칩 패키지 구조물이 제공된다. 칩 패키지 구조물은 배선 구조물을 포함한다. 칩 패키지 구조물은 배선 구조물 위에 제1 칩 구조물을 포함한다. 칩 패키지 구조물은 제1 칩 구조물을 둘러싸는 제1 몰딩층을 포함한다. 칩 패키지 구조물은 제1 칩 구조물과 제1 몰딩층 위의 제2 칩 구조물을 포함한다. 칩 패키지 구조물은 제2 칩 구조물을 둘러싸며 제1 칩 구조물과 제1 몰딩층 위에 있는 제2 몰딩층을 포함한다. 칩 패키지 구조물은 제2 칩 구조물과 제2 몰딩층 위의 제3 칩 구조물을 포함한다. 칩 패키지 구조물은 제3 칩 구조물을 둘러싸며 제2 칩 구조물과 제2 몰딩층 위에 있는 제3 몰딩층을 포함한다. 칩 패키지 구조물은 제2 몰딩층과 제3 몰딩층을 둘러싸는 제4 몰딩층을 포함한다.

公开(公告)号：JP6420079B2

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：JP2014139876

申请日：2014-07-07

申请人： 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 徐 在 禹 ,  丁 健 ▲ギョク▼ ,  金 ▲ミン▼ 修 ,  韓 相 信 ,  姜 主 賢 ,  趙 郁 來

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/538 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：JP2018530923A

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：JP2018519378

申请日：2016-10-06

申请人： ザイリンクス インコーポレイテッド ,  XILINX INCORPORATED

发明人： チャワレ,ラフナンダン ,  マジュムダール,アミタバ ,  オルーク,グレン ,  シン,インダージット

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L25/04 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/5385 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5381 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/03312 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1515 ,  H01L2924/152 ,  H01L2924/153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/56 ,  H01L21/304 ,  H01L2224/11 ,  H01L2221/68381 ,  H01L22/00 ,  H01L2224/1181

摘要： ダイからダイへの相互接続のための相互接続ダイ(106)を有する半導体アセンブリと、ICパッケージ(100)と、製造のための方法と、ICパッケージ中で信号をルーティングするための方法とを提供するための技術が記載される。1つの実現例では、ダイ間接続部(108)によって第1の集積回路(IC)ダイ(102)および第2のICダイ(102)に結合される第1の相互接続ダイ(106)を含む半導体アセンブリが設けられる。第1の相互接続ダイは、ICダイ同士の間に信号伝送経路を設ける固体回路構成(122)を含む。

公开(公告)号：JPWO2016056409A1

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：JP2016553045

申请日：2015-09-28

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 恵永 香川 ,  恵永 香川 ,  宣年 藤井 ,  藤井　　宣年 ,  健司 松沼 ,  健司 松沼

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/00 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/538 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369 ,  H01L2924/00

摘要： 本開示は、一方の基板から発生するノイズが他方の基板に与える悪影響を抑制することができるようにする積層型デバイスおよび製造方法、並びに、電子機器に関する。一方の基板の接合面に第1の金属層が形成され、その一方の基板に対して積層される他方の基板の接合面に第2の金属層が形成される。そして、一方の基板の金属層と他方の基板の金属層とを接合して電位固定することによって、一方の基板と他方の基板との間で電磁波を遮断する電磁波シールド構造を構成する。本技術は、例えば、積層型のCMOSイメージセンサに適用できる。

公开(公告)号：JP5925611B2

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：JP2012139456

申请日：2012-06-21

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 鈴村 直仁 ,  岡 好浩

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/05 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/1306

公开(公告)号：JP2014521223A

公开(公告)日：2014-08-25

申请号：JP2014520278

申请日：2012-07-11

申请人： インヴェンサス・コーポレイション

发明人： ハーバ，ベルガセム ,  ゾーニ，ワエル ,  クリスプ，リチャード・デューイット ,  モハメッド，イリヤス

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/481 ,  G11C5/04 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L27/108 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1443 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15786 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 超小型電子パッケージ５１０が、対向する第１の表面５２１及び第２の表面５２７を有する基板５２０と、超小型電子素子の少なくとも２つの対５０７ａ、５１２ｂと、第２の表面において露出した複数の端子５２５とを備えることができる。 超小型電子素子の各対５０７は、上側超小型電子素子５３０ｂ及び下側超小型電子素子５３０ａを含むことができる。 超小型電子素子の対５０７は、基板５２０の第１の表面５２１に対して平行な水平方向Ｈにおいて互いに十分離間することができる。 各下側超小型電子素子５３０ａは、前面５３１と、この前面における複数のコンタクト５３５とを有することができる。 上側超小型電子素子５３０ｂのそれぞれの表面５３１は、基板５２０の第１の表面５２１及びその対内の下側超小型電子素子５３０ａの上に少なくとも部分的に重なることができる。
【選択図】図５Ａ

摘要翻译： 微电子封装可以包括具有第一和第二相对表面的衬底，至少两对微电子元件和在第二表面处暴露的多个端子。 每对微电子元件可以包括上微电子元件和下微电子元件。 这些微电子元件对可以在平行于衬底的第一表面的水平方向上彼此完全间隔开。 每个下部微电子元件可以具有面向基板的第一表面的前表面和在前表面处的多个触点。 每个上部微电子元件的表面可以至少部分地覆盖在其对中的下部微电子元件的后表面。 微电子封装还可以包括从每个下部微电子元件的至少一些触点延伸到至少一些端子的电连接。

公开(公告)号：JP2014517531A

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：JP2014513727

申请日：2012-06-01

申请人： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

发明人： アラン ウエスト ジェフェリー

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/563 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13673 ,  H01L2224/13681 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/1613 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01074

摘要： 基板貫通ビア（ＴＳＶ）をダイボンディング損傷から保護する方法（１００）が、アクティブ回路要素を含む頂部側と、底部側と、複数のＴＳＶとを有する複数のＴＳＶダイを含む基板を提供すること（１０１）を含み、複数のＴＳＶが、頂部側から、底部側から外に延びる突出するＴＳＶティップまで達する内部金属コアを含む。 保護層が、突出するＴＳＶティップの間及びその上を含んで、ＴＳＶダイの底部側に形成されるか又はつけられる（１０２）。 ＴＳＶダイは、その頂部側を下にワークピース表面を有するワークピース上に、その底部側を下にし、ボンドヘッドに接してボンディングされる（１０４）。 保護層は、突出するＴＳＶティップにボンドヘッドが直接接触しないようにすることにより、ＴＳＶダイの歪みを含むボンディングプロセスから損傷を低減する。

公开(公告)号：JP3802936B2

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：JP1334294

申请日：1994-02-07

申请人： ロックヒード マーティン コーポレーション

发明人： ウルフガング・ダウム ,  エリック・ジョセフ・ウィルディ ,  ハーバート・スタンレイ・コール ,  マイケル・グデュラ ,  レイモンド・アルバート・フィリオン ,  ロバート・ジョン・ウォジュナロースキイ

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L25/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/68 ,  H01L23/29 ,  H01L23/433 ,  H01L23/538 ,  H01L25/04 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/3512

公开(公告)号：JP3359865B2

公开(公告)日：2002-12-24

申请号：JP11987498

申请日：1998-03-25

申请人： アミテック アドヴァンスト マルティレイヤー インターコネクト テクノロジーズ リミテッド

发明人： アイグナー エヴァ ,  カッツ ドゥロア ,  ハーウィッツ ドゥロア ,  ヨフィス ボリス

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/538 ,  H05K3/46 ,  H01L23/522

CPC分类号： H05K3/4647 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/1142 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033

公开(公告)号：JPS61112362A

公开(公告)日：1986-05-30

申请号：JP23310584

申请日：1984-11-07

申请人： Hitachi Ltd

发明人： HATTA YASUSHI ,  SHIRAI MASAYUKI ,  MISHIMAGI HIROMITSU ,  SAWARA KUNIZO

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/538 ,  H01L25/04 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： PURPOSE:To improve reliability of a semiconductor, device by providing an insulating film, which has the approximately same or close thermal expansion coefficient as the thermal expansion coefficient of a semiconductor chip having the different material, selectively, in the multiple-chip type semiconductor device, on which a silicon chip and a gallium arsenide chip are mounted as a mixed manner. CONSTITUTION:A gallium arsenide chip 9 is used at a part where high speed operation is to be performed. A silicon chip 7 is used at a part where high degree of integration is required. An insulating film 10, which is made of a material having the approximately same or close thermal expansion coefficient as the thermal expansion coefficient of the gallium arsenide chip 9, is selectively provided. The gallium arsenide chip 9 is mounted on the insulating film 10. The silicon chip 7 having high degree of integration and the high speed gallium arsenide chip 9 are provided in a multiple-chip type semiconductor device in a mixed manner. Thus the high density and high speed can be implemented in said semiconductor device and highly reliable mounting can be achieved.

摘要翻译： 目的：通过在多芯片型半导体器件中选择性地提供具有与具有不同材料的半导体芯片的热膨胀系数大致相同或接近的热膨胀系数的绝缘膜来提高半导体器件的可靠性， ，以其混合的方式安装硅芯片和砷化镓芯片。 构成：在要执行高速运行的部分使用砷化镓芯片9。 在需要高度集成度的部分使用硅芯片7。 选择性地提供由具有与砷化镓芯片9的热膨胀系数大致相同或接近的热膨胀系数的材料制成的绝缘膜10。 砷化镓芯片9安装在绝缘膜10上。具有高集成度的硅芯片7和高速砷化镓芯片9以混合的方式设置在多芯片型半导体器件中。 因此，可以在所述半导体器件中实现高密度和高速度，并且可以实现高度可靠的安装。