公开(公告)号：KR20210024402A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020190150716A

申请日：2019-11-21

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 시엔-웨이 첸 ,  지에 첸 ,  밍-파 첸

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/18 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L24/28 ,  H01L23/53295 ,  H01L21/185 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/27 ,  H01L21/76807 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2924/01013

摘要： 디바이스는 기판 위의 상호 접속 구조체, 상기 상호 접속 구조체에 연결되도록 상기 상호 접속 구조체 위에 배치된 복수의 제1 도전 패드, 상기 복수의 제1 도전 패드의 측벽 및 상부면 위로 연장되는 평탄화 정지층, 상기 평탄화 정지층 위로 연장되는 표면 유전체 층, 및 상기 복수의 제1 도전 패드에 연결되도록 상기 표면 유전체 층 내에 배치된 복수의 제1 접합 패드를 포함한다.

公开(公告)号：JP6265256B2

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：JP2016245074

申请日：2016-12-19

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 中磯 俊幸 ,  加藤 登

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53247 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/0814 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2924/0504

公开(公告)号：JP6235353B2

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：JP2014009403

申请日：2014-01-22

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 船矢 琢央 ,  五十嵐 孝行

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01F41/04 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/78 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L22/14 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181

公开(公告)号：JP2017045864A

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015167278

申请日：2015-08-26

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 矢島 明

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/12 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L23/293 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/364 ,  H01L2924/365

摘要： 【課題】半導体装置の信頼性を向上する。 【解決手段】再配線RDL1(RDL2)の配線幅方向の断面視において、配線溝WD1(WD2)の側面には、傾斜部SLP1(SLP2)が形成されている。そして、配線幅方向における配線溝WD1(WD2)の最大開口幅L1(L2)は、配線幅方向における再配線RDL1(RDL2)の最大配線幅W1(W2)よりも大きく、かつ、平面視において、配線溝WD1(WD2)は、再配線RDL1(RDL2)を内包するように形成されている。 【選択図】図7

摘要翻译： 本发明的一个目的是提高半导体器件的可靠性。 甲在再分配RDL1（RDL2）的横截面的布线宽度方向上，布线槽WD1（WD2）的侧表面是倾斜的形成部SLP 1（SLP 2）。 然后，在布线宽度方向的最大开口宽度L1布线槽WD1（WD2）的（L2）大于最大布线更大的宽度W1（W2）在布线宽度方向上的再配线RDL1（RDL2），并且，在平面视图中， 布线槽WD1（WD2）被形成为包括一个再分配RDL1（RDL2）。 点域7

公开(公告)号：JPWO2014132938A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：JP2015502921

申请日：2014-02-25

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 俊幸 中磯 ,  俊幸 中磯 ,  加藤　登 ,  登 加藤

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L23/12 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53247 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/0814 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2924/0504

摘要： ESD保護デバイス(1)は、ESD保護回路(10A)が表面に形成されたSi基板(10)と、Si基板(10)に形成されたパッド(P1,P2)と、Si基板(10)の表面と対向し、パッド(P1,P2)と導通している端子電極(25A,25B)を含む再配線層(20)とを備える。端子電極(25A,25B)は、樹脂層(22)に形成された開口(コンタクトホール)が接している領域以外のパッド(P1,P2)の一部を覆うように、Si基板(10)の表面に形成されたSiN保護膜(21)と、SiN保護膜(21)より誘電率が低く、SiN保護膜(21)および端子電極(25A,25B)の間に形成された樹脂層(22)とを含んでいる。これにより、寄生容量の発生を軽減でき、かつ、発生する寄生容量のばらつきをなくす半導体装置を提供する。

摘要翻译： ESD保护器件（1）包括：形成在表面（10）上的Si衬底ESD保护电路（10A），和形成在Si衬底（10）（P1，P2）上的垫，所述的硅衬底（10） 表面面向和焊盘（P1，P2），并且是导电的再分布层，其包含（20）的端子电极（25A，25B）。 端子电极（25A，25B），以便覆盖形成在树脂层中的开口的一个部分（22）比的区域中（接触孔）其它焊盘相接触（P1，P2），硅衬底（10） 所形成的表面（21）上的SiN保护膜，比介电常数低的SiN保护膜（21）中，SiN保护膜（21）和端子电极（25A，25B）之间形成的树脂层（22） 它包括了门。 这可以减少寄生电容的发生，并提供一种消除在的寄生电容发生的变化的半导体器件。

公开(公告)号：JP6013336B2

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：JP2013528332

申请日：2011-09-09

申请人： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド ,  ADVANCED MICRO DEVICES INCORPORATED ,  エーティーアイ・テクノロジーズ・ユーエルシー ,  ATI TECHNOLOGIES ULC

发明人： ブライアン ブラック ,  マイケル ゼット. スー ,  ガマル リファイ・アハメド ,  ジョー シーゲル ,  セス プレジャン

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/12 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06548 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351

公开(公告)号：JP2015207757A

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：JP2015056472

申请日：2015-03-19

申请人： ローム株式会社

发明人： 藤井 賢治 ,  糟谷 泰正 ,  山上 守 ,  木下 直樹 ,  芳我 基治

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L21/603 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/28 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/293 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/4822 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49572 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16258 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/29008 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/8146 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/92225 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/17724 ,  H01L2924/17747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/182 ,  H01L2924/186

摘要： 【課題】 製造効率を高めるとともに、半導体素子と導通接続部材とをより確実に接合することが可能な半導体装置を提供すること。 【解決手段】 機能回路が形成された機能面310および機能面310とは反対側を向く裏面320を有する半導体素子300と、半導体素子300を支持し、且つ半導体素子300に導通するリード101と、半導体素子300とリード101の少なくとも一部とを覆う樹脂パッケージ400と、を備える半導体装置A1であって、半導体素子300は、機能面310に形成され、且つ機能面310が向く方向に突出する機能面側凸部334を具備する機能面側電極330を有しており、機能面側電極330の機能面側凸部334とリード101とは、固相接合によって接合されている。 【選択図】図6

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种提高制造效率并且可以更好地结合半导体元件和导电连接部件的半导体器件。解决方案：半导体器件A1包括：半导体元件300，其具有功能表面310，其功能性 形成电路并且形成面向与功能表面310相对的一侧的后表面320; 引线101，其支撑半导体元件300并电连接到半导体元件300; 以及覆盖半导体元件300和引线101的至少一部分的树脂封装件400.半导体元件300具有功能面侧电极330，功能面侧电极330包括形成在功能面310上的功能面侧突起334， 功能表面310面向的方向。 功能表面侧电极330和引线101的功能表面侧凸极334通过固态键合被接合。

公开(公告)号：JP5532870B2

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：JP2009273148

申请日：2009-12-01

申请人： 富士通セミコンダクター株式会社

发明人： 純 塚越 ,  喜孝 愛場

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/301 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP5481249B2

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：JP2010071831

申请日：2010-03-26

申请人： 富士通株式会社 ,  富士通テン株式会社

发明人： 元昭 谷 ,  真也 飯島 ,  慎一 杉浦 ,  弘道 渡辺

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/09103 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/11 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

摘要： Bumps for mounting a semiconductor device are varied in width in accordance with their respective amounts of protrusion.. A semiconductor device includes a first bump 1 (1E) that is located over a surface of a semiconductor element 3, and is formed on a first bump formation face 4 (4E) distanced from a back surface 3A of the semiconductor element 3 at a first distance, and a second bump 1 (1A) that is located over the surface of the semiconductor element 3, and is formed on a second bump formation face 4 (4A) distanced from the back surface 3A of the semiconductor element 3 at a second distance being longer than the first distance, the second bump having a diameter larger than a diameter of the first bump 1 (1E).

公开(公告)号：JP5189665B2

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：JP2011056004

申请日：2011-03-14

申请人： 株式会社ディスコ

发明人： 弘一 目黒 ,  寛治 大塚

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A method for manufacturing a wafer level package is provided that enables suppressing the wearing of a cutter and extending the lifetime of the cutter, including forming insulating first resin over the top face of a substrate, which includes a groove for wiring to be formed; forming a film of first metal that is to serve as a portion of the wiring on the top face of the first resin using physical vapor deposition; forming a film of second metal that is to form a portion of the wiring on the top face of the first metal, with a lower hardness than the first metal; setting a cutter at a height corresponding to a place where the film of the first metal is not formed on a side face of the groove or the film thickness is low; and cutting at least the first resin by scanning the cutter.