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公开(公告)号：JPWO2010110236A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：JP2011506041
申请日：2010-03-23
IPC: G03F7/004 , C08F212/14 , C08F220/30 , C08F220/58 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0392 , C08F12/20 , C08F12/24 , C08F212/14 , C08F220/18 , C08F220/38 , C09D125/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , C08F2220/1883 , C08F220/22 , C08F2220/382
Abstract: EUV等の極端紫外線に有効に感応し、感度に優れ、微細パターンを高精度にかつ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性樹脂組成物であって、この樹脂組成物は、式(1)、式(2)および/または式(3)で表される繰り返し単位(i)および式(4)で表される繰り返し単位(ii)を含む重合体を含み、R1は水素原子もしくはメチル基、R2はアルキル基、アルコキシル基、または脂環式炭化水素基であり、pは0〜3、qは1〜3、p+q≦5である。
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公开(公告)号：JPWO2009016984A1
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：JP2009525341
申请日：2008-07-18
CPC classification number: C07C37/20 , C07C35/44 , C07C39/17 , C07C2603/92 , C08L61/12 , G03F7/0397
Abstract: 高精度にかつ安定して微細パターンを形成可能なレジスト膜を形成できることに加え、塗布性に優れた感放射線性組成物の材料である化合物であり、一般式(1)で表される化合物及び一般式(2)で表される化合物を縮合反応させ、水素添加して得られる化合物。
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公开(公告)号：JPWO2010095698A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：JP2011500651
申请日：2010-02-18
IPC: C08F20/16 , C07C67/14 , C07C69/54 , C08F212/04 , C08F220/16 , C08F220/54 , G03F7/004 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0397 , C08F8/12 , C08F12/22 , C08F12/24 , C08F212/14 , C08F220/18 , C08F220/30 , C09D125/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , C08F2220/1891
Abstract: 本発明の目的は、活性光線又は放射線に有効に感応し、ナノエッジラフネス、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性組成物等を提供することである。本発明の感放射線性組成物は、酸解離性基含有重合体(A)と、酸発生剤(B)とを含有するものであって、前記重合体(A)として、下式(1)で表される繰り返し単位を含む重合体を含有する。〔式中、R1は水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であり、R2は置換若しくは非置換の炭素数6〜22のアリール基であり、Yは炭素原子であり、XはYとともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団である。〕
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公开(公告)号：JPWO2009020035A1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：JP2009526413
申请日：2008-07-31
IPC: C07C39/17 , C07C69/712 , C07C69/96 , C09K3/00 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: C07C39/17 , C07C69/96 , G03F7/0392
Abstract: 本発明は、次の感放射線性組成物を提供する。(a)下記一般式(1)で表される化合物と、(b)放射線が照射されることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤とを含有する感放射線性組成物。(Rは水素等、R1はメチレン基等、Yはアルキル基等、qは0または1である。)
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公开(公告)号：JPWO2008084786A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：JP2008553094
申请日：2008-01-08
IPC: C07C43/21 , C07C43/23 , C07C69/734 , G03F7/004 , G03F7/039
CPC classification number: C07C39/17 , C07C43/23 , C07C69/712 , G03F7/004 , G03F7/0392 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/122
Abstract: 電子線等に有効に感応し、低ラフネス等に優れ、微細パターンを高精度かつ安定して形成可能なレジスト膜を成膜できる感放射線性組成物の材料である化合物であり、下記一般式(1)で表される化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2008015969A1
公开(公告)日：2009-12-24
申请号：JP2008527723
申请日：2007-07-27
IPC: G03F7/38 , C08F212/04 , C08F232/08 , C08G77/04 , G03F7/038 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , G03F7/265
Abstract: 電子線(以下、EBと略称する)、X線、極紫外線(以下、EUVと略称する)による微細パターン形成に好適なパターン形成方法等を提供する。本発明の方法は、(1)放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有する下層膜を基板上に硬化形成する工程と、(2)マスクを介して前記下層膜に放射線を照射して、前記下層膜の放射線照射部に選択的に酸を発生させる工程と、(3)前記下層膜上に、感放射線性酸発生剤を含まず酸によって重合または架橋する組成物を含有する上層膜を形成する工程と、(4)前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生した部位に対応する部位において選択的に重合または架橋硬化膜を形成する工程と、(5)前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生していない部位に対応する部位を除去する工程と、を前記の順で含む。
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公开(公告)号：JPWO2008001679A1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：JP2008522521
申请日：2007-06-21
IPC: G03F7/38 , G03F7/075 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: C07D333/18 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , G03F7/265
Abstract: (1)基板上に、(C)放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤又は(D)放射線の照射により塩基を発生する感放射線性塩基発生剤を含有する下層膜を形成する工程と、(2)下層膜に、所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射して下層膜を露光させ、所定のパターンで選択的に露光された露光下層膜部分を形成する工程と、(3)下層膜上に(E)有機薄膜を形成して、露光下層膜部分と、露光下層膜部分上に形成された有機薄膜を化学的に結合させる工程と、(4)下層膜のうちの露光下層膜部分以外の部分上に形成された有機薄膜を除去する工程と、を有するパターン形成方法である。
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公开(公告)号：JPWO2008066011A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：JP2008546985
申请日：2007-11-27
IPC: G03F7/004 , C08F212/04 , C08F220/10 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0392
Abstract: ナノエッジラフネス、エッチング耐性、感度、および解像度に優れ、高精度な微細パターンを安定して形成可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。感放射線性酸発生剤(A)と、酸解離性基含有樹脂(B)とを含み、感放射線性酸発生剤(A)は、酸発生剤(A1)と酸発生剤(A2)とを含む混合酸発生剤であり、酸発生剤(A1)と酸発生剤(A2)とは同一のカチオンを有し、上記酸発生剤(A1)は、常圧における沸点が150℃以上のカルボン酸を放射線照射により発生し、かつ下記式(1)で表され、上記酸発生剤(A2)は、カルボン酸以外の酸を放射線照射により発生し、かつ下記式(2)で表され、上記樹脂(B)は、下記繰り返し単位(i)、下記繰り返し単位(ii)および下記繰り返し単位(iii)を含む。M+は1価のオニウムカチオンであり、Rは1価の有機基であり、X−は1価のアニオンである。
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公开(公告)号：JPWO2008029673A1
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：JP2008533111
申请日：2007-08-28
IPC: G03F7/039 , C07C381/12 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/004 , C07C309/12 , C07C381/12 , G03F7/0045
Abstract: (A)酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性を促進させる酸解離性基、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生基を、一分子中にそれぞれ一以上有する、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算数平均分子量(Mn)が500〜4000である低分子量化合物と、(B)溶剤と、を含有する感放射線性組成物である。
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公开(公告)号：JPWO2007094436A1
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：JP2008500554
申请日：2007-02-15
IPC: C07C69/734 , C07C69/96 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: C07C43/23 , C07C69/734 , C07C69/96 , G03F7/0392 , G03F7/0397
Abstract: 電子線または極紫外線に有効に感応し、ラフネス、エッチング耐性、感度に優れ、微細パターンを高精度に、かつ、安定して形成することが可能なレジスト膜を得ることができるものであり、(a)2〜5個の水酸基を有し、2〜5個の芳香環を有するとともに、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)を用いて測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が290〜600である前駆体化合物の前記水酸基の少なくとも一つを酸解離性基に置換した、レジスト膜の形成に用いられる酸解離性基含有化合物と、(b)放射線が照射されることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤と、を含有する感放射線性組成物。
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