公开(公告)号：JPWO2009020029A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：JP2009526410

申请日：2008-07-30

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 昇 大塚 ,  昇 大塚 ,  峰規 川上 ,  峰規 川上 ,  西村　幸生 ,  幸生 西村 ,  誠 杉浦 ,  誠 杉浦

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/12 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08F220/12 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

Abstract: 本発明の目的は、レジストとしての基本物性に優れるとともに、コンタクトホールパターンを形成する際における円形性及びCD Uniformityに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。本感放射線性樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性となる酸解離性基含有樹脂(A)と、酸発生剤(B)と、溶剤(C)とを含有する感放射線性樹脂組成物であって、前記樹脂(A)は、下記一般式(1)及び(2)で表される各繰り返し単位を含むものである。〔R1及びR2は、各々、水素原子又は炭素数1〜4の置換基を有してもよいアルキル基、R3は炭素数1〜4の置換基を有してもよいアルキル基、Xは水素原子、ヒドロキシル基又はアシル基を示し、mは1〜18の整数、nは4〜8の整数である。〕

公开(公告)号：JPWO2011115190A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：JP2012505737

申请日：2011-03-16

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 昇 大塚 ,  昇 大塚 ,  誠 杉浦 ,  誠 杉浦 ,  寛 冨岡 ,  寛 冨岡 ,  研 丸山 ,  研 丸山

IPC: G03F7/004 ,  C08F20/38 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397

Abstract: 本発明は、LWRが小さく、かつパターン形状に優れるレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とし、[A]下記式(1)で表される構造単位(I)を有する酸解離性基含有重合体、及び[B]下記式(2)で表される化合物を含有する感放射線性樹脂組成物である。下記式(1)におけるM+が、下記式(3)及び下記式(4)でそれぞれ表されるオニウムカチオンからなる群より選ばれる少なくとも1種のオニウムカチオンであることが好ましい。

公开(公告)号：JPWO2011125685A1

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：JP2012509496

申请日：2011-03-29

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 寛 冨岡 ,  寛 冨岡 ,  昇 大塚 ,  昇 大塚 ,  征矢野　晃雅 ,  晃雅 征矢野

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/10 ,  C08F220/28 ,  C08L33/06 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122

Abstract: 本発明は、[A]下記式(a1)で表される構造単位(I)、下記式(a2)で表される構造単位(II)及びラクトン構造を含む構造単位(III)を有する重合体、並びに[B]感放射線性酸発生剤を含有し、上記構造単位(I)の含有割合が、[A]重合体を構成する全構造単位に対して50モル%以上である感放射線性樹脂組成物である。[A]重合体が、ラクトン構造を有する構造単位(III)をさらに有することが好ましい。上記構造単位(I)が、下記式(a1−1)で表される構造単位(I−1)であることが好ましい。

公开(公告)号：JPWO2008133270A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：JP2009511884

申请日：2008-04-23

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 誠 志水 ,  誠 志水 ,  岳彦 成岡 ,  岳彦 成岡 ,  芳史 大泉 ,  芳史 大泉 ,  峰規 川上 ,  峰規 川上 ,  信司 松村 ,  信司 松村 ,  昇 大塚 ,  昇 大塚

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/28 ,  C09K3/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0045

Abstract: 一般式(1)(20モル%以上)、(2)及び(3)の繰り返し単位を有する樹脂(A)と、感放射線性酸発生剤(B)とを含有する感放射線性樹脂組成物。レジストとしての基本物性に優れ、且つ、孤立ラインの性能および欠陥性能に優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。

公开(公告)号：JP5126182B2

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：JP2009191426

申请日：2009-08-20

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 信司 松村 ,  幸生 西村 ,  晃雅 征矢野 ,  龍一 芹澤 ,  昇 大塚 ,  寛 冨岡

IPC: G03F7/004 ,  C07C311/09 ,  C07C381/12 ,  C08F20/36 ,  C08F20/38 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP5407906B2

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：JP2010017785

申请日：2010-01-29

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 芳史 大泉 ,  昇 大塚 ,  晃雅 征矢野 ,  龍一 芹澤 ,  寛 冨岡

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resin composition, which is free from problems of a radiation-sensitive acid generator, having a perfluoroalkyl sulfonyl structure such as PFOS (perfluoro-n-octane sulfonic acid), which has characteristics of excellent resolution performance, no vaporization of an acid generated by exposure, and an appropriately short diffusion length, and which gives a small LWR (line width roughness) as an index of fluctuation in the line width of a resist pattern, and can give a resist pattern having a small film reduction. SOLUTION: The radiation-sensitive resin composition comprises (A) a radiation-sensitive acid generator, having a partial fluoroalkyl structure and (B) a resin having a specified cyclic carbonate structure. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

公开(公告)号：JP5287065B2

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：JP2008234271

申请日：2008-09-12

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 昇 大塚 ,  峰規 川上

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

公开(公告)号：JP5051232B2

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：JP2009526410

申请日：2008-07-30

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 昇 大塚 ,  峰規 川上 ,  誠 杉浦 ,  幸生 西村

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08F220/12 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

公开(公告)号：JP5003548B2

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：JP2008078984

申请日：2008-03-25

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 昇 大塚 ,  峰規 川上 ,  幸生 西村

IPC: C08F220/16 ,  C08L33/06 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiosensitive composition and a polymer for a semiconductor resist, having a high transparency for a radiation and being excellent in basic physical properties for a resist, such as sensitivity and resolution, as well as in EL, LWR and a minimum collapse size when forming a line pattern. SOLUTION: This polymer for a semiconductor resist contains a formula (1) unit and a formula (2) unit, wherein a content rate of a repeating unit represented by formula (1) is 0.5-10 mol% and a content rate of a repeating unit represented by formula (2) is 50-70 mol% when total repeating units included in the polymer for a semiconductor resist are 100 mol%. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT