半導体装置の製造方法および半導体装置

    公开(公告)号:JP2019216216A

    公开(公告)日:2019-12-19

    申请号:JP2018113726

    申请日:2018-06-14

    发明人: 田中 英樹

    IPC分类号: H01L23/02

    摘要: 【課題】半導体装置における基板上の実質的な実装面積がパッケージの外壁との干渉により小さくなる。 【解決手段】本発明の製造方法は、半導体素子2およびこの半導体素子2に接続された接続導体3が実装されるベース板部1と、このベース板部1と交差する方向に立ち上がって前記半導体素子2および接続導体3の実装領域を囲む外壁部4とをそれぞれ所定形状に形成する工程と、前記ベース板部1に前記半導体素子2および接続導体3を実装する工程と、前記半導体素子2および接続導体3が実装されたベース板部1に前記外壁部4を取り付ける工程とを有する。 【選択図】図1

    電子部品取付け構造
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018019282A

    公开(公告)日:2018-02-01

    申请号:JP2016148762

    申请日:2016-07-28

    IPC分类号: H01P5/04 H01P5/103

    摘要: 【課題】 電子部品の信号端子の周辺においてパッケージと筐体間の面圧を高くすることができ、EMC耐性を強化する技術を提供する。 【解決手段】 取付け構造は、高周波信号を入出力するRF信号端子11を有するハイブリッドIC1と、導波管21が内蔵される筐体2と、導波管21への挿入長が調整される調整ネジ3と、調整ネジ3を利用してハイブリッドIC1を筐体2に押しつけるナット5と、を有している。 【選択図】 図1

    実装構造及びパッケージ
    7.
    发明专利
    実装構造及びパッケージ 审中-公开
    安装结构和封装

    公开(公告)号:JP2017011059A

    公开(公告)日:2017-01-12

    申请号:JP2015123780

    申请日:2015-06-19

    IPC分类号: H01L23/02 H05K7/12

    摘要: 【課題】 筐体とパッケージとの取り付け面の面圧を高くすることができ、信号端子周辺におけるRF信号の漏えい量を抑えることができる実装構造及びパッケージを提供する 【解決手段】 HIC1の実装構造は、高周波信号を入出力するRF信号端子11の突出する面のRF信号端子11の周辺にネジ止め用の加工部14が設けられるパッケージ12と、タップ14に対応してHIC1を実装する筐体2の貫通穴21と、を有し、RF信号端子11の周辺においてパッケージ12を筐体2に接する面側から筐体2にネジ止めする。 【選択図】 図2

    摘要翻译: A可以提高表面压力的壳体的安装面和所述包A提供的安装结构和封装可以在附近的信号终端HIC1安装结构能够抑制RF信号的泄漏 实现在封装12处理部分14用于拧的RF信号端子,用于输入和输出射频信号的RF信号端子11的11的突出面的外周设置,对应于所述抽头14壳体HIC1 它具有通孔21,并在所述RF信号端子11的外周与壳体2接触到壳体2从侧面拧入包装12的第二。 .The