公开(公告)号：JP2015018221A

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：JP2014107769

申请日：2014-05-26

申请人： 信越化学工業株式会社 ,  Shin Etsu Chem Co Ltd

发明人： HATAKEYAMA JUN ,  KOORI DAISUKE ,  OGIWARA TSUTOMU

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  G03F7/26 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0276 ,  C08G8/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/425 ,  H01L21/266

摘要： 【解決手段】リソグラフィーで用いられるフォトレジスト下層膜材料であって、置換又は非置換のナフトールフタレインの繰り返し単位を有するノボラック樹脂を含有することを特徴とする下層膜材料。【効果】本発明のレジスト下層膜材料は、アルカリ水で剥離される。ナフトールフタレインの繰り返し単位を有するノボラック樹脂は、アルカリ水で加水分解されてカルボキシル基が発生し、アルカリ水溶液に可溶となる。これによって、イオンを打ち込んだSi基板やSiO2基板にダメージを与えずに剥離することが可能となる。【選択図】なし

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种可用碱性水剥离的抗蚀剂下层膜材料，并且可以在不损害离子注入的硅衬底或SiO衬底的情况下剥离，因为具有源自萘酞的重复单元的酚醛清漆树脂在碱性水中水解产生 羧基并用碱性水溶液变成可溶。本发明提供一种用于光刻的光致抗蚀剂下层膜材料，其包含具有衍生自取代或未取代萘酞的重复单元的酚醛清漆树脂。

公开(公告)号：JP2014157246A

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：JP2013027883

申请日：2013-02-15

申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd ,  信越化学工業株式会社

发明人： HATAKEYAMA JUN ,  OGIWARA TSUTOMU

IPC分类号： G03F7/40 ,  C08F20/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method by which a positive pattern such as a high-aspect dot pattern can be obtained without causing a pattern collapse by making a negative pattern created by development with organic solvent insoluble in organic solvent by post-development baking and applying solution containing a resin including 75 mass% or more of carbon to the pattern and causing image reversal by dry etching to thereby obtain a positive pattern.SOLUTION: The pattern forming method comprises: applying and prebaking the following chemically amplified resist material on a substrate to be processed; irradiating the obtained resist film with a high energy beam for patterning; subjecting the resist film to post-exposure baking (PEB); developing the resist film with an organic solvent to obtain a negative pattern; heating the obtained negative pattern to impart durability against an organic solvent to be used for a solution comprising a resin including 75 mass% or more of carbon; and carrying out an image reversal process to convert the negative pattern into a positive pattern by applying a solution comprising a resin including 75 mass% or more of carbon, and prebaking and dry etching. The chemically amplified resist material comprises: a resin which has a repeating unit having a structure including an acid-labile group that is desorbed by an acid and which is changed into insoluble with an organic solvent by the desorption of the acid-labile group; a photoacid generator; and an organic solvent.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种图案形成方法，通过利用有机溶剂在有机溶剂中不溶于有机溶剂，可以通过使由显影产生的阴性图案不会引起图案塌陷，从而可以获得诸如高方位点图案的正图案， 含有75质量％以上的碳的树脂的显影烘烤施加溶液，通过干蚀刻使图像反转，得到正图案。解决方案：图案形成方法包括：对以下化学放大抗蚀剂材料进行预烘烤 在待处理的基板上; 用获得的抗蚀剂膜用高能量束照射图案化; 对抗蚀剂膜进行后曝光烘烤（PEB）; 用有机溶剂显影抗蚀膜以获得负图案; 加热获得的负型图案以赋予用于包含75质量％以上碳的树脂的溶液的有机溶剂的耐久性; 并进行图像反转处理，通过涂布包含75质量％以上的碳的树脂和预烘烤和干蚀刻的溶液，将负图案转换成正图案。 化学放大抗蚀剂材料包括：具有重结构单元的树脂，该重复单元具有由酸解吸的酸不稳定基团的结构，并且通过酸不稳定基团的解吸而变为不溶于有机溶剂的树脂; 光致酸发生器; 和有机溶剂。

公开(公告)号：JP2014134592A

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：JP2013001341

申请日：2013-01-08

申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd ,  信越化学工業株式会社

发明人： OGIWARA TSUTOMU ,  UEDA TAKASHI ,  TACHIBANA SEIICHIRO ,  TANEDA YOSHINORI

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/09 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/58 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/36

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming a titanium-containing resist underlayer film for forming a resist underlayer film having excellent adhesiveness in fine patterning and excellent etching selectivity with a conventional organic film and a silicon-containing film.SOLUTION: The invention provides a composition for forming a titanium-containing resist underlayer film comprising: as component (A), a silicon-containing compound obtained by hydrolysis and/or condensation of one or more kinds of silicon compounds shown by the general formula (A-I) defined by RRRSi(OR); and, as component (B), a titanium-containing compound obtained by hydrolysis and/or condensation of one or more kinds of hydrolyzable titanium compounds shown by the general formula (B-I) defined by Ti(OR).

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于形成含钛抗蚀剂下层膜的组合物，用于形成在精细图案化中具有优异粘合性的抗蚀剂下层膜，并且与常规有机膜和含硅膜具有优异的蚀刻选择性。解决方案：本发明 提供了用于形成含钛抗蚀剂下层膜的组合物，其包含：作为组分（A），通过水解和/或缩合由通式（AI）所定义的通式（AI）所示的一种或多种硅化合物获得的含硅化合物 RRRSi（OR）; 和作为（B）成分的钛（OR）所定义的通式（B-I）所示的一种或多种可水解钛化合物的水解和/或缩合得到的含钛化合物。

公开(公告)号：JP2014024831A

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：JP2013079182

申请日：2013-04-05

申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd ,  信越化学工業株式会社

发明人： TACHIBANA SEIICHIRO ,  KOORI DAISUKE ,  OGIWARA TSUTOMU ,  WATANABE TAKESHI ,  NODA KAZUMI ,  YANO TOSHIHARU

IPC分类号： C07C39/17 ,  C07C43/23 ,  C08G8/08 ,  C08G61/12 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/094 ,  C07C39/17 ,  C07C43/23 ,  C07C2603/18 ,  C08F216/10 ,  C08G61/12 ,  C08K5/13 ,  C09D7/1233 ,  C09D7/63 ,  C09D129/02 ,  C09D165/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/1203

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic film material having high dry etching resistance as well as advanced filling/planarizing characteristics.SOLUTION: The invention provides a compound for forming an organic film having a partial structure represented by the general formula (i) or (ii). (In the formula, ring structures Ar1, Ar2 and Ar3 each represent a substituted or unsubstituted benzene ring or naphthalene ring; e is 0 or 1; Rrepresents a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms; Lrepresents a linear, branched or cyclic divalent organic group having 1 to 32 carbon atoms, where the methylene group included in Lmay be substituted by an oxygen atom or a carbonyl group.)

摘要翻译： 要解决的问题：提供具有高耐干蚀刻性以及先进的填充/平坦化特性的有机膜材料。解决方案：本发明提供一种用于形成具有由通式（i）或 （ⅱ）。 （式中，环结构Ar 1，Ar 2和Ar 3分别表示取代或未取代的苯环或萘环，e表示0或1; R表示氢原子或碳原子数1〜30的直链状，支链状或环状的一价有机基团 ; L表示具有1至32个碳原子的直链，支链或环状二价有机基团，其中Lmay中包含的亚甲基被氧原子或羰基取代。）

公开(公告)号：JP2013167669A

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：JP2012029228

申请日：2012-02-14

申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd ,  信越化学工業株式会社

发明人： OGIWARA TSUTOMU ,  UEDA TAKASHI ,  TANEDA YOSHINORI

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G77/04 ,  C08G77/14 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C07F7/1836 ,  C07F7/184 ,  C08G77/14 ,  C09D183/06 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/36 ,  G03F7/40 ,  H01L21/302 ,  C08L83/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist underlayer film applicable not only to a negatively developed resist pattern formed by a hydrophilic organic compound but also to a conventional positively developed resist pattern formed by a hydrophobic compound.SOLUTION: A silicon-containing surface modifier contains one or more of a repeating unit shown by the specified general formula (A) and a partial structure shown by the specified general formula (C).

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种抗蚀剂下层膜，不仅可用于由亲水性有机化合物形成的负显影抗蚀剂图案，而且可应用于由疏水性化合物形成的常规阳性显影抗蚀剂图案。溶液：含硅表面改性剂含 一个或多个由指定的通式（A）表示的重复单元和由指定的通式（C）表示的部分结构。

公开(公告)号：JP2013156627A

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：JP2012264837

申请日：2012-12-04

申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd ,  信越化学工業株式会社

发明人： TACHIBANA SEIICHIRO ,  KOORI DAISUKE ,  OGIWARA TSUTOMU ,  NODA KAZUMI ,  KANAO TAKESHI

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G8/22 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist underlayer film material which gives an underlayer film, particularly for a three-layer resist process, capable of reducing reflectance, having an n-value and a k-value preferable as an antireflection film, having excellent filling-up characteristics and high pattern-bending resistance while not causing line fall or wiggling after etching of a high aspect line that is particularly thinner than 60 nm, and having sufficient solvent resistance even with low-temperature PAB (post application baking), and to provide a production method of polymer for a resist underlayer film, and a pattern forming method using the material.SOLUTION: The resist underlayer film material comprises a polymer which is obtained by condensing a condensate obtained by condensing at least one kind of compound expressed by general formula (1-1) and at least one kind of compound expressed by general formula (2-3) or equivalent compounds thereof, with at least one kind of compound expressed by general formula (2-1), (2-2) and equivalent compounds thereof.

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供一种抗蚀剂下层膜材料，其具有能够降低具有优选的n值和k值作为抗反射膜的反射率的下层膜，特别是用于三层抗蚀剂工艺，具有优异的抗蚀剂下层膜材料 填充特性和高图案抗弯曲性，同时在蚀刻比60nm特别薄的高纵横线之后不会引起线下落或摆动，并且即使在低温PAB（后施加烘烤）下也具有足够的耐溶剂性），以及 提供了用于抗蚀剂下层膜的聚合物的制造方法和使用该材料的图案形成方法。溶胶：抗蚀剂下层膜材料包含通过将通过将至少一种由 通式（1-1）和至少一种通式（2-3）表示的化合物或其等价化合物，与至少一种化合物 并且由通式（2-1），（2-2）及其等价化合物表示。

公开(公告)号：JP2012145897A

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：JP2011006307

申请日：2011-01-14

申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd ,  信越化学工業株式会社

发明人： OGIWARA TSUTOMU ,  KOORI DAISUKE ,  BIYAJIMA YUSUKE ,  WATANABE TAKESHI ,  FUJII TOSHIHIKO ,  KANAO TAKESHI

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G8/20 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： C08G10/02 ,  G03F7/094

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist underlayer film material, from which an underlayer film can be formed, the film capable of reducing reflectance as an underlayer film for a three-layer resist process (that is, having optimal n-value and k-value as an antireflection film), having excellent filling characteristics and high resistance against pattern bending, in particular, preventing collapse or distortion of lines after etching in a thin high-aspect line having a width of less than 60 nm, and to provide a pattern forming method using the same.SOLUTION: A resist underlayer film material contains at least a polymer obtained by condensing one kind or more of compounds expressed by general formula (1-1) and/or (1-2), and one kind or more of compounds of benzaldehyde having a hydroxyl group and/or naphthaldehyde having a hydroxyl group and/or an equivalent thereof.

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供能够形成下层膜的抗蚀剂下层膜材料，能够降低作为三层抗蚀剂工艺的下层膜的反射率的膜（即，具有最佳n- 值和k值作为抗反射膜），具有优异的填充特性和高抗图案弯曲性，特别是防止在宽度小于60nm的薄型高纵横线中蚀刻后的线的塌陷或变形，以及 以提供使用该图案形成方法的图案形成方法。 抗蚀剂下层膜材料至少含有通过将一种或多种通式（1-1）和/或（1-2）表示的化合物缩合得到的聚合物，以及一种或多种 具有羟基的苯甲醛和/或具有羟基和/或其等同物的萘醛。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009030006A

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：JP2007245832

申请日：2007-09-21

申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd ,  信越化学工業株式会社

发明人： OGIWARA TSUTOMU ,  YANO TOSHIHARU ,  HASEGAWA KOJI

IPC分类号： C09D183/04 ,  C08K3/12 ,  C08K3/20 ,  C08K5/09 ,  C08K5/098 ,  C08K5/15 ,  C08K5/19 ,  C08K5/42 ,  C08L83/04 ,  C09D7/12 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat-curable silicon-containing film-forming composition that forms an excellent pattern by using a formed silicon-containing intermediate film and ensures effective transfer of a photoresist pattern and accurate processing of a substrate. SOLUTION: The heat-curable silicon-containing film-forming composition comprises (A) a silicon-containing compound obtained through hydrolytic condensation of a hydrolyzable silicon compound in the presence of an acid catalyst, (B) a compound represented by the formula (1): L a H b X (wherein L is Li, Na, K, Rb or Ce; X is a hydroxy group or an organic acid group; a is ≥1; and b is 0 or ≥1) or (2) a compound represented by the formula (2): M a H b A (wherein M is sulfonium, iodonium or ammonium; and A is the X or a nonnucleophilic counter ion), (C) an organic acid, (D) an alcohol containing a cyclic ether as a substituent group and (E) an organic solvent. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：提供通过使用形成的含硅中间膜形成优异图案的可热固化的含硅膜成膜组合物，并确保光致抗蚀剂图案的有效转移和基板的精确加工。 解决方案：可热固化的含硅膜组合物包含（A）在酸催化剂存在下通过水解性硅化合物水解缩合得到的含硅化合物，（B）由 式（1）：其中L是Li，Na，K，Rb或Ce; X是羟基或有机酸基; ≥1; b为0或≥1）或（2）由式（2）表示的化合物：其中M为锍 ，碘或铵; A是X或非亲核抗衡离子），（C）有机酸，（D）含有环醚作为取代基的醇和（E）有机溶剂。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2008019423A

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：JP2007141740

申请日：2007-05-29

申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd ,  信越化学工業株式会社

发明人： OGIWARA TSUTOMU ,  UEDA TAKASHI ,  ASANO TAKESHI ,  IWABUCHI MOTOAKI

IPC分类号： C08L83/04 ,  C08K3/16 ,  C08K5/09 ,  C08K5/098 ,  C08K5/19 ,  C08K5/36 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming a silicon-containing film enabling good patterning of a photoresist film to be formed on a silicon-containing intermediate film which is formed by using the composition. SOLUTION: The composition for forming a thermosetting silicon-containing film comprises (A-1) a silicon-containing compound prepared by effecting hydrolytic condensation of a hydrolyzable silicon compound using an acid catalyst and removing the acid catalyst from the obtained reaction mixture, (A-2) a silicon-containing compound obtained by effecting hydrolytic condensation of a hydrolyzable silicon compound using a basic catalyst and removing the basic catalyst from the obtained reaction mixture, (B) a compound expressed by formula (1): L a H b X (L is Li, Na, K, Rb or Cs; X is OH or an organic acid group; a is ≥1, b is 0 or ≥1, a+b is the number of hydroxy groups or organic acid groups) or formula (2): MA (M is sulfonium, iodonium or ammonium; A is a non-nucleophilic counter ion), (C) a 1-30C organic acid and (D) an organic solvent. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

摘要翻译： 解决的问题：提供一种用于形成含硅膜的组合物，能够对通过使用该组合物形成的含硅中间膜形成光致抗蚀剂膜的良好图案化。 解决方案：用于形成热固性含硅膜的组合物包含（A-1）通过使用酸催化剂进行可水解硅化合物的水解缩合制备的含硅化合物，并从所得反应混合物中除去酸催化剂 ，（A-2）通过使用碱性催化剂进行水解性缩合而得到的含硅化合物，从得到的反应混合物中除去碱性催化剂，（B）由式（1）表示的化合物： （L为Li，Na，K，Rb或Cs; X为OH或有机酸基; a为≥1，b为0或≥1） ，a + b是羟基或有机酸基团的数目）或式（2）：MA（M是锍，碘或铵; A是非亲核抗衡离子），（C）1-30C有机酸 和（D）有机溶剂。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007164148A

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：JP2006284615

申请日：2006-10-19

申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd ,  信越化学工業株式会社

发明人： OGIWARA TSUTOMU ,  ASANO TAKESHI ,  IWABUCHI MOTOAKI ,  UEDA TAKASHI

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G77/48 ,  C09D183/14 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon-containing film for an etching mask, a silicon-containing film forming composition for an etching mask which can form a film by spin coating, forms a resist film thereon with an excellent resist pattern, and has a high etching selectivity relative to organic films because of its relatively high silicon content, and to provide a substrate processing intermediate and a processed substrate processing method using the same. SOLUTION: The silicon-containing film forming composition for an etching mask is used for an intermediate film in a multilayer resist process for forming in sequence an undercoat film, a silicon-containing film and a photoresist film on a processed substrate, and applying etching in multiple stages, wherein the silicon-containing film forming composition comprises a silicon-containing polymer obtained through hydrolytic condensation of one or a mixture of hydrolyzable silanes including an Si-Si bond-containing silane compound represented by the formula (1): R (6-m) Si 2 X m , wherein R is a monovalent hydrocarbon group; X is alkoxy, alkanoyloxy or halogen; and m is 3-6. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题为了提供一种用于蚀刻掩模的含硅膜，用于通过旋涂形成膜的用于蚀刻掩模的含硅膜形成组合物在其上形成具有优异抗蚀剂图案的抗蚀剂膜 并且由于其相对较高的硅含量而具有相对于有机膜的高蚀刻选择性，并且提供了使用其的衬底处理中间体和经处理的衬底处理方法。 解决方案：用于蚀刻掩模的含硅膜组合物用于多层抗蚀剂工艺中的中间膜，用于在经处理的基板上依次形成底涂层，含硅膜和光致抗蚀剂膜，以及 其中所述含硅膜形成组合物包含通过水解性硅烷水解缩合得到的含硅聚合物，所述可水解硅烷包括由式（1）表示的含Si-Si键的硅烷化合物： 其中R是一价烃基;其中R是一个单价烃基;其中R是一个单价烃基; X是烷氧基，烷酰氧基或卤素; m为3-6。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT