公开(公告)号：JP5842929B2

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：JP2013545705

申请日：2011-11-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 島内 岳明

IPC: H01L23/10 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  H01G5/16 ,  H01L23/02

CPC classification number: H01L23/04 ,  B23K1/0016 ,  B81B7/0041 ,  B81C1/00873 ,  H01L24/94 ,  H03H9/1057 ,  B23K2201/42 ,  B81B2201/014 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/1461 ,  H03H3/0072

公开(公告)号：JP5651178B2

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：JP2012526823

申请日：2010-08-12

Applicant: インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation

Inventor： アンダーソン、フェリックス、ピー ,  マクデビッド、トーマス、エル ,  スタンパー、アンソニー、ケー

IPC: H01H49/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0018 ,  B81B2201/014 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  G06F17/5068 ,  H01L21/302

公开(公告)号：JP2014521527A

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：JP2014524104

申请日：2012-08-03

Applicant: キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドCavendish Kinetics, Inc.

Inventor： ブライアン・アイ・トロイ ,  ミカエル・ルノー ,  トーマス・エル・マグワイア ,  ジョセフ・ダミアン・ゴードン・レイシー ,  ジェイムズ・エフ・ボビー

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01H49/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81B3/0008 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0108 ,  H01H1/0036 ,  H01H2001/0089

Abstract: 本発明は、概して、接着促進剤材料に由来するケイ素残留物がキャビティ底から削減又は除去されているＭＥＭＳデバイスに関する。 接着促進剤は、典型的には、基板上の材料へ犠牲材料を接着するために用いられる。 接着促進剤は、その後、犠牲材料とともに除去される。 しかしながら、接着促進剤は、除去後に、キャビティ内にケイ素に基づく残留物を残す。 本発明者らは、犠牲材料を堆積する前にキャビティ領域から接着促進剤を除去できることを発見した。 基板の残りの部分の上に残留する接着促進剤は、犠牲材料の剥離のおそれなしに、基板へ犠牲材料を接着するのに十分である。 デバイスのキャビティ領域では接着促進剤が使用されないので、ＭＥＭＳデバイスのスイッチング素子が自由になった後では、ケイ素残留物はキャビティ内に存在しない。

公开(公告)号：JP4893112B2

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：JP2006155497

申请日：2006-06-03

Applicant: 株式会社ニコン

Inventor： 浩 小西 ,  円 西山 ,  美彦 鈴木

IPC: H01F27/06 ,  B81B3/00 ,  H01F17/00 ,  H01F17/02

CPC classification number: H01F17/0006 ,  B81B7/0003 ,  B81B2201/014 ,  H01F27/06 ,  H01G5/18 ,  H05K1/147 ,  H05K1/165 ,  H05K3/4691

Abstract: High-frequency circuit components are disclosed in which parasitic capacitance between a high-frequency circuit element and a substrate is reduced and mechanical strength is improved. An exemplary component has a conductive substrate, a coil as the high-frequency circuit-element, a mounting board including a thin dielectric film on which the coil is mounted, and a support board that couples the mounting board to the substrate. The mounting board is coupled so that it floats relative to the substrate as a result of deliberate warping of the support board.

公开(公告)号：JP2010532276A

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：JP2010514810

申请日：2008-06-26

Applicant: アルカテル−ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド

Inventor： ガスパリアン，アルマン ,  ゲーツ，オーン，ヴァンアッタ ,  シモン，マリア，エリーナ

IPC: B81B3/00 ,  H01H37/46

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B81B3/0024 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/031 ,  H01H37/00 ,  H01H2001/0047 ,  H01H2037/008 ,  H01H2061/006 ,  H01H2061/008

Abstract: 本発明は双方向マイクロ電気機械素子、双方向素子を含むマイクロ電気機械スイッチ、及び双方向素子における機械的変形を軽減する方法を提供する。 一実施例では、双方向マイクロ電気機械素子は、自由端及びコールドビームアンカーに接続された第１の端部を有するコールドビームを含む。 コールドビームアンカーは基板に取り付けられる。 第１のビーム対はコールドビームに自由端テザーによって結合され、それによってコールドビームの温度よりも高温に加熱されると伸張するよう構成される。 第２のビーム対は、第１のビーム対に対してコールドビームの反対側に配置され、第１のビーム対及びコールドビームに自由端テザーによって結合される。 第２のビーム対はそれによって上記高温に加熱されると伸張するように構成される。

公开(公告)号：JP2009537337A

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：JP2009510354

申请日：2007-05-16

Applicant: ミクロガン ゲーエムベーハー

Inventor： クンツェ、マイク ,  ダウミラー、インゴ

IPC: B81B3/00

CPC classification number: F04B43/046 ,  B81B3/0024 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/032 ,  H01F21/04 ,  H01F2007/068 ,  H01G5/18 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0933 ,  H01L41/094 ,  H01L41/0973

Abstract: 【課題】 第ＩＩＩ族窒化物半導体を含むマイクロメカニカル・アクチュエータを提供する。
【解決手段】 本発明は、基板（１）と、基板に接続されて、基板に対して少なくとも部分的に偏向され、第ＩＩＩ族元素の窒化物をベースとする半導体化合物を有する屈曲構造（２）と、屈曲構造に電流を与える、または電圧を印加する、そのうち少なくとも２つが互いから離間されて屈曲構造上に設けられているおよび／または屈曲構造に一体化されている、少なくとも２つの電力供給コンタクト（３ａ、３ｂ）とを備える半導体アクチュエータに関する。
【選択図】 図３

公开(公告)号：JP3808052B2

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：JP2003109122

申请日：2003-04-14

Applicant: インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： ウィリアム・シー・ウィル ,  ケヴィン・エス・ペトラルカ ,  ケネス・ジェイ・ステイン ,  ジョセフ・ティー・コシス ,  デヴィッド・エンジェル ,  ドナルド・エフ・キャナペリ ,  リチャード・ピー・ヴォラント

IPC: B81B3/00 ,  H01H59/00 ,  B81C1/00 ,  H01H49/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B2201/014 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/0072

公开(公告)号：JP2015211988A

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：JP2014094456

申请日：2014-05-01

Applicant: セイコーエプソン株式会社

Inventor： 稲葉 正吾 ,  蝦名 昭彦 ,  衣川 拓也

IPC: B81C1/00 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  H03H9/24 ,  H03H3/007 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B3/0013 ,  B81B3/0021 ,  B81C1/0015 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2203/0136 ,  H01H1/0036 ,  H01H2059/0072 ,  H01H35/14 ,  H01H35/24

Abstract: 【課題】設計の自由度を高めつつ、固定電極に対する可動電極のスティッキングを低減することができるMEMS構造体を提供すること、また、かかるMEMS構造体を備える電子機器および移動体を提供すること。 【解決手段】本発明のMEMS構造体1は、基板2と、基板2に配置されている下部電極51と、下部電極51に対して離間して対向配置されている可動部531を有する上部電極53と、可動部531の下部電極51に対向している側の面から突出していて、可動部531と異なる材料で構成されている凸部541と、を備える。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供能够减少可动电极相对于固定电极的粘附同时提高设计自由度的MEMS结构，并且还提供一种电子设备和设置有MEMS结构的移动体 解决方案：MEMS结构1包括：基板2; 设置在基板2上的下电极51; 上部电极53具有设置成面向下部电极51并与之间隔开的可动部531; 以及从可动部531的面向下电极51的一侧的表面突出并由与构成可动部531的材料不同的材料构成的突出部541。

公开(公告)号：JP4799059B2

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：JP2005186854

申请日：2005-06-27

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 達也 大黒

IPC: B81B3/00 ,  H01H59/00 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/193 ,  H01L41/22 ,  H01L41/23 ,  H01L41/311

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/014 ,  H01G5/18 ,  H01L27/20 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L41/094 ,  H01L41/316 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor device includes a semiconductor substrate, an actuator provided above the semiconductor substrate to move upwardly, a first electrode layer which is moved by the actuator, and a cap portion provided above the first electrode layer and including a second electrode layer.

公开(公告)号：JP2011138925A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：JP2009297877

申请日：2009-12-28

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： FUJII TAKAMITSU

IPC: H01L41/09 ,  B81B3/00 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/253 ,  H01L41/312 ,  H01L41/316 ,  H02N2/00

CPC classification number: B81C1/00976 ,  B81B2201/014 ,  H01H57/00 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/094 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent sticking (sticking of an element) in an actuator element using a piezoelectric material. SOLUTION: A base substrate (10) is arranged to oppose to a movable part including a diaphragm (24) to which a piezoelectric body (30) sandwiched between a pair of electrodes (33, 26) is bonded. The movable part is displaced in a direction approaching the base substrate (10) by application of a drive voltage to the pair of electrodes (33, 26). Polarization (Pr)-electric field (E) hysteresis characteristics of the piezoelectric body (30) are biased with respect to an electric field, and by application of a voltage in an opposite direction to the drive voltage to the pair of electrodes (33, 26), the movable part is displaced in a direction away from the base substrate (10). The element is prevented from sticking by the driving in the opposite direction. An applied electric field during the sticking preventing driving is equal to or less than the coercive electric field of the piezoelectric body (30), preferably, 10 to 80% of the coercive electric field. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了防止使用压电材料在致动器元件中的粘附（粘附元件）。 解决方案：基底基板（10）被布置成与包括隔着压电体（30）夹在一对电极（33,26）之间的隔膜（24）的可动部件相对。 通过对一对电极（33,26）施加驱动电压，使可动部件在接近基板（10）的方向上位移。 压电体（30）的极化（Pr）电场（E）滞后特性相对于电场偏置，并且通过向与该对电极对的驱动电压相反的方向施加电压， 26），可移动部分沿远离基底（10）的方向移位。 通过相反方向的驱动来防止元件粘着。 在防止防止驱动期间的施加电场等于或小于压电体（30）的矫顽电场，优选为矫顽电场的10〜80％。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT