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    マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
    1.
    发明专利
    マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018141969A

    公开(公告)日：2018-09-13

    申请号：JP2018030096

    申请日：2018-02-22

    申请人： HOYA株式会社

    发明人： 野澤 順 ,  大久保 亮 ,  宍戸 博明

    IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/30 ,  G03F1/24 ,  H01L21/027 ,  G03F1/50

    CPC分类号： G03F1/20 ,  G03F1/24 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50 ,  H01L21/027

    摘要： 【課題】レジストパターンをマスクとし、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングでクロム系材料のハードマスク膜をパターニングした場合、サイドエッチング量及びLine Width Roughnessを低減できるマスクブランクを提供する。 【解決手段】透光性基板1上に、ケイ素及びタンタルから選ばれる1以上の元素を含有する材料からなる遮光膜2と、クロム、酸素及び炭素を含有する材料からなるハードマスク膜3が積層されている。ハードマスク膜3は、その表面及び近傍領域に酸素含有量が増加した組成傾斜部を有する単層膜であり、X線光電子分光法で分析して得られるN1sのナロースペクトルの最大ピークが検出下限値以下であり、ハードマスク膜3の組成傾斜部を除いた部分は、クロム含有量が50原子%以上で、X線光電子分光法で分析して得られるCr2pのナロースペクトルが574eV以下の結合エネルギーで最大ピークを有する。 【選択図】図1

    頂点ベース補正を半導体デザインに適用する方法
    4.
    发明专利
    頂点ベース補正を半導体デザインに適用する方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018500771A

    公开(公告)日：2018-01-11

    申请号：JP2017533835

    申请日：2015-12-22

    申请人： アセルタ ナノグラフィクス

    发明人： カグリオ,トマ ,  ミルカント,マチュー ,  ティフィーヌ,シャルル

    IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F1/00 ,  G03F1/20 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F1/20 ,  G03F1/36 ,  G03F1/78 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70508 ,  G03F7/70616

    摘要： 本発明は、半導体デザインをウエハまたはマスク上にナノメータスケールの処理で正確に転写するように適用される幾何学的形状補正の改善方法を開示する。いくつかの従来技術に対して、幾何学的形状補正および場合によりドーズ量補正も破砕前に適用される。エッジがパラレルに変位するエッジベース補正とは異なり、本発明による幾何学的形状補正の生成によって適用される変位はエッジの並行性を保持しておらず、特にフリーフォームのデザインには向いている。シードデザインがターゲットデザインから生成される。複数の頂点を結合するセグメントがシードデザインの輪郭に沿って配置される。補正位置がセグメント上に配置される。変位ベクトルが頂点に適用される。シミュレーション輪郭が生成され、ターゲットデザインの輪郭と比較される。このプロセスは、シミュレーションデザインとターゲットデザインの合致基準(または他の停止基準)に到達するまで反復される。

    フォトマスクブランク、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法
    8.
    发明专利
    フォトマスクブランク、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法 有权
    PHOTOMASK BLANK，形成电阻图案的方法和制造光电子学方法

    公开(公告)号：JP2016099535A

    公开(公告)日：2016-05-30

    申请号：JP2014237282

    申请日：2014-11-25

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 阿達 鉄平 ,  渡邉 聡 ,  土門 大将 ,  増永 恵一

    IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  C08F220/30 ,  G03F1/50 ,  G03F1/76

    CPC分类号： G03F1/78 ,  G03F1/20 ,  G03F1/80 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392

    摘要： 【解決手段】高エネルギー線露光用の化学増幅ポジ型レジスト膜を備えるフォトマスクブランクであって、前記レジスト膜が(A)下記式(1)で表される繰り返し単位及び少なくとも1個のフッ素原子を含む繰り返し単位を含む高分子化合物、(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大するベース樹脂、(C)酸発生剤、並びに(D)塩基性化合物を含むフォトマスクブランク。 【効果】(A)成分の高分子化合物がレジスト膜表面に偏在することによって、レジスト膜上への帯電防止膜の塗布性が向上する。また、帯電防止膜中からの酸や、酸を中和する成分の浸透を防ぐことができ、レジスト膜の経時安定性が格段に向上する。特に(A)成分の高分子化合物が添加されたレジスト膜を設けたフォトマスクブランクから、このレジスト膜のレジストパターンを用いて、描写精度の高いフォトマスクを得ることができる。 【選択図】なし

    摘要翻译： 解决方案：提供一种包括用于高能量束曝光的化学放大的正性抗蚀剂膜的光掩模，其中抗蚀剂膜包括：（A）具有由下式（1）表示的重复单元的聚合物化合物和至少含有 一个氟原子; （B）通过酸的作用分解以增加与碱性显影剂的溶解度的基础树脂; （C）酸产生剂; （D）碱性化合物。作为抗蚀剂膜表面，由于成分（A）的高分子化合物不均匀地存在，所以抗蚀剂膜上的抗静电膜的涂布性提高。 可以防止酸或成分从抗静电膜中和酸的渗透，这显着地提高了抗蚀剂膜的稳定性。 特别地，通过使用抗蚀剂膜的抗蚀剂图案，可以从具有抗蚀剂膜的光掩模坯料获得具有高拉伸精度的光掩模。添加图形：无

    まばらなパターンを有するマスクを介したレーザーアブレーションツール
    9.
    发明专利
    まばらなパターンを有するマスクを介したレーザーアブレーションツール 有权
    激光雕刻通过SPARSELY PATTERNED MASK

    公开(公告)号：JP2015231638A

    公开(公告)日：2015-12-24

    申请号：JP2015181854

    申请日：2015-09-15

    申请人： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー

    发明人： コリガン,トーマス アール.

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  B23K26/36 ,  B23K26/066

    CPC分类号： G03F1/20 ,  B23K26/066 ,  G03F1/70 ,  G03F7/24 ,  Y10T428/24802

    摘要： 【課題】ディスプレイ用フィルムを作製するために使用されるときに、繰り返し構造がこれらのレーザーアブレーションシステムで作製されることでモアレを生成する傾向がある。 【解決手段】基材に像形成するために、レーザーアブレーションプロセスにおいて使用するためのまばらなパターンを有するマスク。このマスクは、光を透過するための複数の開口と、この開口の周囲の非透過区域とを有する。開口は個別に完成パターンの一部分を形成して、1つ以上のマスクの複数の開口はともに、マスクが像形成されたときに完成パターンを形成する。マスクをまばらに作製することで、レーザーアブレーションプロセス中に基材から屑を除去するための経路がもたらされる。複数の組み合わされたまばらな繰り返しパターンは、個々のパターンよりも大きな繰り返し距離を有するより複雑なパターンを生成することができる。 【選択図】図13

    摘要翻译： 要解决的问题：为了解决用这些激光烧蚀系统制成的重复结构在用于制造用于显示器的膜时会产生莫尔条纹的问题。解决方案：提供了一种稀疏图案化的掩模，用于激光烧蚀过程中用于成像 底物。 掩模具有多个孔，用于在孔周围传输光和非透射区域。 这些孔单独形成完整图案的一部分，并且当掩模成像时，来自一个或多个掩模的多个孔一起形成完整图案。 使掩模稀疏提供了在激光烧蚀过程中从衬底去除碎屑的路径。 多个交错的稀疏重复图案可以创建更复杂的图案，其重复距离大于单个图案。

    Method and system for forming a pattern using a charged particle beam lithography
    10.
    发明专利
    Method and system for forming a pattern using a charged particle beam lithography 有权
    空值

    公开(公告)号：JP2014520403A

    公开(公告)日：2014-08-21

    申请号：JP2014517074

    申请日：2012-06-19

    申请人： ディー・ツー・エス・インコーポレイテッドD2S, Inc.

    发明人： 晶 藤村 ,  ボーク，インゴ

    IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F1/74 ,  H01J37/305

    CPC分类号： G03F7/2037 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/78 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31771 ,  H01J2237/31776 ,  H01L21/027 ,  Y10S430/143

    摘要： 荷電粒子ビームリソグラフィのためのフラクチャリングまたはマスクデータ準備またはマスクプロセス補正のための方法において、表面上にパターンを形成する複数の射出が決定され、ビームぼけ（β
    ｆ ）の変化に対する得られたパターンの感度を低減するように射出が決定される。 複数の射出における少なくとも一部の射出は、他の射出と重複する。 一部の実施形態において、β
    ｆ は、最初の射出決定の間、または後処理ステップにおいてのいずれかで、複数の射出において重複する射出の量を制御することによって低減される。 β
    ｆ に対する低減された感度は、荷電粒子ビームリソグラフィプロセスのためのプロセスウィンドウを拡張する。

    摘要翻译： 在用于对带电粒子束光刻进行压裂或掩模数据准备或掩模处理校正的方法中，确定将在表面上形成图案的多个镜头，其中确定镜头，以便将所得到的图案的灵敏度降低到 光束模糊（＆bgr; f）。 多个镜头中的至少一些镜头重叠其他镜头。 在一些实施例中，通过在初始拍摄确定期间或在后处理步骤中控制多个拍摄中的拍摄重叠量来减小图像f。 对“bgr”的灵敏度降低扩大了带电粒子束光刻工艺的工艺窗口。