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    バッファアンプ、ドライバＩＣおよびこのドライバＩＣを用いる表示装置
    2.
    发明专利
    バッファアンプ、ドライバＩＣおよびこのドライバＩＣを用いる表示装置 有权

    公开(公告)号：JPWO2006030666A1

    公开(公告)日：2008-05-15

    申请号：JP2006535754

    申请日：2005-09-06

    申请人： ローム株式会社

    发明人： 井ノ口　普之 ,  普之 井ノ口

    IPC分类号： H03F1/56 ,  H03F3/34

    CPC分类号： H03K19/01721 ,  H03F3/3001 ,  H03F3/3022 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/45928 ,  H03F2200/78 ,  H03F2203/45281 ,  H03F2203/45426 ,  H03F2203/45681 ,  H03F2203/45726

    摘要： 【課題】低電圧駆動で高速動作をするバッファ回路を提供することにある。【解決手段】この発明は、バッファアンプの入力端子と出力端子との間にPチャネルあるいはNチャネルのいずれか一方のMOSトランジスタで比較部が構成されこの比較部の比較動作に所定のオフセット電圧が設定された第1のコンパレータとこの第1のコンパレータの出力信号に応じてON/OFFするスイッチ回路とを有し、電源ラインから出力端子にスイッチ回路を介して電流を流すことでバッファアンプの出力電圧の立上がりを加速するバッファ回路において、PチャネルあるいはNチャネルのいずれか他方のMOSトランジスタで比較部が構成された第2のコンパレータと、第2のコンパレータの比較動作を第1のコンパレータの比較部を構成するトランジスタの不感帯の範囲に制限する動作制限回路とを備えていて、スイッチ回路が第1のコンパレータの出力信号および第2のコンパレータの出力信号に応じてON/OFFされるものである。【選択図】図1

    Fet amplifier
    9.
    发明专利
    Fet amplifier 失效
    FET放大器

    公开(公告)号：JPS6187405A

    公开(公告)日：1986-05-02

    申请号：JP20860884

    申请日：1984-10-04

    申请人： Nec Corp

    发明人： TANAKA KOICHI

    IPC分类号： H03F3/345 ,  H03F3/30 ,  H03F3/34 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45

    CPC分类号： H03F3/3001

    摘要： PURPOSE:To improve a noise characteristic by providing a differential circuit comprising a J-FET equipped with a constant current circuit to the 1st stage circuit of a C-MOSFET amplifier circuit. CONSTITUTION:P-JFETs J1, J2 constitute differentially the 1st stage circuit of an FET amplifier. Further, P-MOSFETs P1, P2, P3 form a constant current circuit, which is connected to a source common connecting point of the JFETs J1, J2. Since no signal current flows the vicinity of surface of the JFETs, more excellent noise characteristic is offered in comparison with the MOSFETs. Moreover, the noise characteristic depends on the 1st stage circuit. Since the 1st stage circuit consists of the JFETs, the noise characteristic is improved.

    摘要翻译： 目的：通过向C-MOSFET放大器电路的第一级电路提供包括具有恒流电路的J-FET的差分电路来改善噪声特性。 构成：P-JFET J1，J2差分地构成了FET放大器的第一级电路。 此外，P-MOSFET P1，P2，P3形成恒流电路，其连接到JFET J1，J2的源公共连接点。 由于没有信号电流流过JFET表面附近，与MOSFET相比，提供了更优异的噪声特性。 此外，噪声特性取决于第一级电路。 由于第一级电路由JFET组成，噪声特性得到改善。