公开(公告)号：JP6870803B2

公开(公告)日：2021-05-12

申请号：JP2016069162

申请日：2016-03-30

申请人： サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド.

发明人： ヨーン、セオク ヒュン ,  パク、ユン ジュン ,  ジェオン、ソン ジェ ,  キム、チャン ホーン ,  ジョー、ソー キョン

IPC分类号： C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  C04B35/47

公开(公告)号：JP6588620B2

公开(公告)日：2019-10-09

申请号：JP2018501900

申请日：2016-06-16

申请人： ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト ,  TDK ELECTRONICS AG

发明人： 井村 友哉 ,  田内 剛士 ,  廣瀬 正和 ,  寺田 朋広

IPC分类号： C04B35/47 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/475

公开(公告)号：JP2018528914A

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：JP2018501915

申请日：2016-06-16

申请人： エプコス アクチエンゲゼルシャフト ,  EPCOS AG

发明人： 廣瀬 正和 ,  井村 友哉 ,  田内 剛士 ,  寺田 朋広

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/47 ,  H01B3/12 ,  C04B35/475

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/232 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30

摘要： 【課題】 DCバイアス印加時の比誘電率およびDCバイアス特性が良好であり、さらに高温負荷寿命および機械的強度も良好である誘電体組成物と、その誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供する。 【解決手段】 少なくともBi、Na、SrおよびTiを含むペロブスカイト型の結晶構造を有する粒子を含む誘電体組成物である。誘電体組成物は、Tiを100モル部として、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg、およびZnの中から選ばれる少なくとも1種以上を0.5モル部以上、11.1モル部以下含む。Srに対するBiのモル比率をαとした場合に、0.17≦α≦2.83である。粒子のうち少なくとも一部は、誘電体組成物全体の平均Bi濃度に対して1.2倍以上のBi濃度である高Bi相を含む。粒子内にある高Bi相の面積の合計が粒子の面積の合計に対して0.1%以上15%以下である。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6316985B2

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：JP2016564415

申请日：2015-01-21

申请人： エプコス アクチエンゲゼルシャフト ,  EPCOS AG

发明人： 田内 剛士 ,  井村 友哉 ,  廣瀬 正和

IPC分类号： C04B35/47 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/475

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/005 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/228 ,  H01G4/30

公开(公告)号：JP2016213455A

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：JP2016091354

申请日：2016-04-28

申请人： 国立大学法人山梨大学

发明人： 掛本 博文 ,  渡邉 拓哉 ,  入江 寛

IPC分类号： H01L35/34 ,  H01L35/22 ,  C04B35/47 ,  C04B35/00 ,  C04B37/00 ,  H01L35/32

摘要： 【課題】大きいゼーベック係数(S)、大きい導電率(σ)、小さい熱伝導率(κ)を備えた熱電素子を提供する。 【解決手段】本発明の熱電素子は、第1の熱電材料による熱起電力層と、第2の熱電材料による導電層と、交互に積層された前記熱起電力層と前記導電層の端面に一対の電極が配置され、前記第1の熱電材料のゼーベック係数の絶対値は前記第2の熱電材料のゼーベック係数の絶対値よりも大きく、前記第1の熱電材料の導電率は前記第2の熱電材料の導電率よりも小さい熱電素子において、前記熱起電力層と前記導電層との間に絶縁層を備えたことを特徴とする。 【選択図】図2

摘要翻译： 大塞贝克系数（S），更大的电导率（SIGMA），以提供具有低的热导率和（卡帕）的热电元件。 本发明的热电元件，所述第一热电材料的热电功率层，和第2热电材料的导电层，所述热电动势层与导电层的端面交替层叠 一对电极被布置，所述第一热电材料的塞贝克系数的绝对值大于所述第二热电材料的塞贝克系数的绝对值大，第一热电材料的电导率的第二 在比所述热电材料的电导率小的热电元件，其特征在于包括在所述导电层和所述热电动势层之间的绝缘层。 .The

公开(公告)号：JP2016192627A

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：JP2015070590

申请日：2015-03-31

申请人： TDK株式会社

发明人： 櫻井 俊雄 ,  畑中 潔 ,  福井 隆史 ,  戸蒔 重光

IPC分类号： C04B35/47 ,  H01P7/00

摘要： 【課題】1GHz〜10GHzの範囲内の1つ以上の周波数の電磁波を伝搬させ、かつ高い無負荷Q値を得ることが出来る伝送線路および該伝送線路を用いた共振器を備える電子部品を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の伝送線路は、第1の比誘電率を有する第1の誘電体よりなる線路部と、第2の比誘電率を有する第2の誘電体よりなる周囲誘電体部とを備え、前記第1の誘電体は、半導体粒子と該半導体粒子間を絶縁化する粒界相を有する半導体磁器であることを特徴とし、前記第2の比誘電率は、前記第1の比誘電率よりも小さいことを特徴とする。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供：在1-10GHz的范围内以一个或多个频率传播电磁波并且能够获得高的无载Q值的传输线; 以及包括其中使用传输线的谐振器的电子部件。解决方案：本发明的传输线包括：线部分，包括具有第一介电常数的第一电介质; 以及包括具有第二介电常数的第二电介质的外围电介质部分。 第一电介质是包含半导体颗粒和在半导体颗粒之间绝缘的晶界相的半导体陶瓷。 第二介电常数小于第一介电常数。图1：

公开(公告)号：JP2016037439A

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：JP2014179729

申请日：2014-09-04

申请人： 國巨股▲ふん▼有限公司

发明人： 藤本 正之

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C01B21/06

CPC分类号： C04B35/62821 ,  C01B21/076 ,  C01G23/005 ,  C01G23/006 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/638 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/80

摘要： 【課題】キャパシタンス定数が比較的高く、積層セラミックコンデンサ(MLCC)に適用可能な、薄い誘電体シェル層を形成した小粒径のコアシェル粉体の提供。 【解決手段】チタン化合物含有コアシェル紛体は、複数のコアシェル粒子を含有し、複数のコアシェル粒子の各々は、コア本体1と、コア本体1を封入するシェル層2とを包含する。コア本体1は導電性である。シェル層2は、ペロブスカイト構造を有するチタン酸塩酸化物及びスピネル構造を有するチタン酸塩酸化物から選択される結晶を包含する。コア本体1及びシェル層2は互いに化学的に結合している。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种形成电容常数相对较高的薄介电壳层的小粒径核壳体粉体，适用于多层陶瓷电容器（MLCC）。解决方案：含钛化合物的核壳体粉体含有 多个核壳体颗粒，并且它们各自包含芯体1和包封芯体1的壳层。芯体1是导电的。 壳层2含有选自具有钙钛矿结构的钛酸酯氧化物和具有尖晶石结构的钛酸酯氧化物的晶体。 核心体1和壳层2彼此化学结合。选择图：图1

公开(公告)号：JP2015195342A

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：JP2014245701

申请日：2014-12-04

申请人： TDK株式会社

发明人： 政岡 雷太郎 ,  兼子 俊彦 ,  山下 ゆき ,  内山 弘基 ,  武田 早織 ,  瀬在 勇司 ,  大槻 史朗

IPC分类号： C04B35/48 ,  C04B35/47 ,  C04B35/468 ,  C23C14/08 ,  H01B3/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33

CPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/47 ,  C04B35/48 ,  C04B35/486 ,  C04B35/638 ,  H01B3/12 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80

摘要： 【課題】誘電体膜を更に薄膜化した場合であっても、高い耐電圧と、高い比誘電率を有する誘電体組成物及びその誘電体組成物を用いた電子部品を提供すること。 【解決手段】Ba、Ca、Srの少なくとも二種以上から選択される元素を主成分とするA群と、Zr及びTiから選択される元素を主成分とし、且つ少なくともZrを含むB群とを主成分とする誘電体組成物であって、前記誘電体組成物は前記A群と前記B群とを含む非結晶物と、前記A群と前記B群とを含む結晶物とを含み、前記誘電体組成物における前記A群と前記B群とのモル比αが0.5≦α≦1.5であることを特徴とする誘電体組成物。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供：即使当电介质膜进一步变薄时，具有高耐受电压和高相对介电常数的电介质组合物; 以及使用电介质组合物的电子部件。电介质组合物主要由主要由选自两种以上Ba，Ca和Sr中的元素组成的A族和主要由元素组成的B族组成 选自Zr和Ti，并含有至少Zr。 电介质组合物含有含有A基团和B基团的非结晶性物质，以及含有A基团和B基团的结晶物质。 电介质组合物中A基和B基的摩尔比α为0.5≤α≤1.5。

公开(公告)号：JPWO2013058227A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：JP2013539642

申请日：2012-10-16

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 光俊 川本 ,  光俊 川本

IPC分类号： H01G4/12 ,  C04B35/47 ,  H01G4/30 ,  H01G4/40

CPC分类号： H01L28/40 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01C7/1006 ,  H01C7/18 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30 ,  H01L28/82

摘要： 半導体セラミック層1a〜1gを形成する半導体セラミックが、SrサイトとTiサイトとの配合モル比mは1.000≦̸m≦̸1.020であり、ドナー元素が結晶粒子中に固溶されると共に、アクセプタ元素が、前記Ti元素100モルに対し0.5モル以下(好ましくは0.3〜0.5モル)の範囲で粒界層中に存在し、Zr元素が前記Ti元素100モルに対し0.15モル以上3.0モル以下の範囲で含有され、かつ、結晶粒子の平均粒径が1.5μm以下である。これにより実用性に耐えうる絶縁性能を確保しつつ製品歩留まりの向上を図ることができ、かつ良好なESD耐圧を有する量産性に適したSrTiO3系粒界絶縁型のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサを実現する。

摘要翻译： 用于形成半导体陶瓷层1a半导体陶瓷〜1g与Sr位和Ti位点之间的混合摩尔比m为1.000，＆NLE; M＆NLE;是1.020，与供体元件在晶粒被固溶，并且受主元素 ，100个摩尔相对于Ti元素至0.5摩尔或以下（优选为0.3〜0.5摩尔）存在于范围内的晶界层，含有Zr元素100个摩尔的Ti元素为0.15摩尔〜3.0摩尔或以下，相对于 这是和晶粒的平均粒径为1.5μm的或更小。 这就提出了能够在确保绝缘性能，可以承受实用达到的产率，和良好的SrTiO 3系晶界绝缘型的压敏电阻功能层叠型半导体陶瓷电容器，其是适合于大规模生产具有ESD耐压 实现。

公开(公告)号：JP2015043412A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：JP2014127807

申请日：2014-06-23

申请人： 国立大学法人山梨大学 ,  Univ Of Yamanashi

发明人： KAKEMOTO HIROBUMI ,  IRIE HIROSHI ,  KONO TAKUTO

IPC分类号： H01L35/22 ,  C04B35/00 ,  C04B35/47 ,  H01L35/26 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

摘要： 【課題】大きいゼーベック係数(S)、大きい導電率(&sgr;)、小さい熱伝導率(&kgr;)を備えた熱電素子を提供する。【解決手段】本発明の熱電素子は、第1の熱電材料による熱起電力層と、第2の熱電材料による導電層と、を備え、前記熱起電力層と前記導電層は並列に接続され、前記第1の熱電材料のゼーベック係数は前記第2の熱電材料のゼーベック係数よりも大きく、前記第1の熱電材料の導電率は前記第2の熱電材料の導電率よりも小さいことを特徴とする。【選択図】図2

摘要翻译： 要解决的问题：提供具有大塞贝克系数（S），高导电性（＆amp; s）和低热导率（＆kgr）的热电元件。解决方案：本发明的热电元件包括 由第一热电材料制成的热电动势层和由第二热电材料制成的导电层。 热电动势层和导电层并联连接。 第一热电材料的塞贝克系数大于第二热电材料的塞贝克系数，并且第一热电材料的导电率低于第二热电材料的导电率。