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公开(公告)号：JP2021080245A
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2020180100
申请日：2020-10-28
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/32 , G03F7/20 , C07C69/80 , C07C69/90 , C07C381/12 , C07C25/00 , C07D333/76 , C07C69/92
Abstract: 【課題】KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、電子線、極端紫外線等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、溶解コントラスト、酸拡散抑制能に優れ、CDUや、LWR、感度等のリソグラフィー性能に優れる化学増幅レジスト組成物、これに使用される酸拡散抑制剤、及び該化学増幅レジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】下記式(1)で表されるオニウム塩化合物、該オニウム塩化合物からなる酸拡散抑制剤、及び該酸拡散抑制剤を含む化学増幅レジスト組成物。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6352853B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2015095564
申请日：2015-05-08
Applicant: 信越化学工業株式会社
CPC classification number: G03F7/0757 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G77/38 , C08G77/52 , C08K5/09 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/2014 , G03F7/2037 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/32137 , C08L83/14
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3.发明专利ヘミアセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 审中-公开HEMAACETAL COMPOUND，POLYMER COMPOUND，RESIST MATERIAL AND PATTERN FORMING METHOD
公开(公告)号：JP2016147979A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2015026066
申请日：2015-02-13
Applicant: 信越化学工業株式会社
CPC classification number: G03F7/038 , C07D307/93 , C07D493/18 , C08F224/00 , C08F228/06 , G03F7/039 , G03F7/325
Abstract: 【解決手段】環式ヘミアセタール構造を有する{(フッ素化)メタ}アクリレート及び前記(メタ)アクリレートを繰り返し単位として含有する高分子化合物。 【効果】単量体から得られる繰り返し単位を含む高分子化合物をレジスト材料のベース樹脂として用いると、ポジティブトーン現像、ネガティブトーン現像プロセスのいずれにおいても酸拡散制御、低ラフネス性能に優れ、特に微細なラインアンドスペースパターン形成時に倒れに強く、エッチング耐性にも優れる良好なパターンを形成可能である。 【選択図】図1
Abstract translation: 解决方案：本发明提供具有环状半缩醛结构的{（氟））甲基丙烯酸酯和含有（甲基）丙烯酸酯作为重复单元的高分子化合物。通过使用含有由单体获得的重复单元的高分子化合物 作为抗蚀剂材料的基础树脂，抗蚀剂材料在任何正色调发展或负色调发展过程中表现出优异的酸扩散调节性能和低粗糙度性能; 特别是在形成微小的线间距图形时，可以形成耐塌陷的良好图案，并且可以形成优异的蚀刻耐久性。图示：图1
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公开(公告)号：JP5815575B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2013003555
申请日：2013-01-11
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/038 , C07C309/12 , C07D333/46 , H01L21/027 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0388
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公开(公告)号：JP5790631B2
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：JP2012269446
申请日：2012-12-10
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: C08F220/38 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027 , C07D335/16
CPC classification number: G03F7/027 , C08F220/22 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , C08F2220/382
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2021175792A
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：JP2021056632
申请日：2021-03-30
Applicant: 信越化学工業株式会社
Abstract: 【課題】高感度、かつナノブリッジ、パターン倒れが起きづらいレジスト材料の提供。 【解決手段】下記式(A)で表される繰り返し単位を含むヨウ素化芳香族カルボン酸型ペンダント基含有ポリマー。 (式中、R A は、H又はメチル基、R L は、H又は酸不安定基、R 1 は、単結合又はC1〜6のアルカンジイル基、X 1A は単結合、フェニレン基、ナフタレンジイル基又は−C(=O)−O−R 2 −、R 2 は、C1〜10の飽和ヒドロカルビレン基、フェニレン基又はナフタレンジイル基、X 1B は、−O−又は−N(R)−、Rは、H又はC1〜4の飽和ヒドロカルビル基、mは1〜3、nは1又は2。) 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021175791A
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：JP2021054608
申请日：2021-03-29
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/20 , C08F220/22
Abstract: 【課題】ポジ型レジスト材料においてもネガ型レジスト材料においても、高感度かつナノブリッジやパターン倒れが起こりにくいレジスト材料、及びこれを用いるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】下記式(A1)で表される繰り返し単位を含み、酸不安定基を有する繰り返し単位を含まないフルオロカルボン酸含有ポリマー。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6939702B2
公开(公告)日：2021-09-22
申请号：JP2018097834
申请日：2018-05-22
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , C08F220/30 , C08F212/14 , C08F220/38 , G03F7/039
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公开(公告)号：JP2020194047A
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：JP2019098585
申请日：2019-05-27
Applicant: 信越化学工業株式会社
Abstract: 【課題】KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、電子線、EUV等の高エネルギー線を用いるフォトリソグラフィーにおいて、溶解コントラストに優れ、露光裕度、マスクエラーファクター、LWR等のリソグラフィー性能に優れる、主成分として低分子化合物を含む分子レジスト組成物、及び該分子レジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】(A)ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜50の1価炭化水素基で置換されたフェニル基が硫黄原子に結合したスルホニウムカチオン部、及びスルホン酸アニオン部を同一分子内に有するベタイン型オニウム化合物と、(B)有機溶剤とを含み、ベース樹脂を含まない分子レジスト組成物。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2020125458A
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：JP2019235472
申请日：2019-12-26
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: C08F220/10 , C08F8/36 , C08F212/00
Abstract: 【課題】燃料電池用や導電性材料用のドーパントとして好適に用いられる導電性ポリマー用高分子化合物とその製造方法を提供する。 【解決手段】下記一般式(1)で示される重合性モノマーと、フルオロスルホン酸等のリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、窒素化合物塩からなる塩の構造を有するモノマーから選択される1種以上のモノマーを用いて重合反応を行い、イオン交換によって、重合反応により得られたポリマーの繰り返し単位の塩の構造をフルオロスルホン酸等に変換する。 (式中、Rは単結合、メチレン基、エチリデン基であり、mは1又は2である。) 【選択図】なし
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