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    ふっ素を含有する配位高分子錯体、ガス吸着材、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置
    3.
    发明专利
    ふっ素を含有する配位高分子錯体、ガス吸着材、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置 有权
    含有氟的配体聚合物复合物，气体吸收剂，气体分离装置和使用其的气体储存装置

    公开(公告)号：JP2016020318A

    公开(公告)日：2016-02-04

    申请号：JP2014145394

    申请日：2014-07-15

    Applicant: 新日鐵住金株式会社 ,  国立大学法人京都大学

    Inventor： 上代 洋 ,  徳丸 慎司 ,  北川 進 ,  松田 亮太郎 ,  佐藤 弘志 ,  全 亨濬

    IPC: C07C63/72 ,  B01J20/26 ,  C08G79/00 ,  C07D213/53

    Abstract: 【課題】ふっ素原子を含有する配位子で合成された、新規な多孔性高分子金属錯体及びこれを用いた優れた特性を有するガス吸着材を提供すること、また、前記特性を有するガス吸着材を内部に収容してなるガス貯蔵装置およびガス分離装置を併せて提供することを目的とする。 【解決手段】式:[MXY] n (式中、Mは2価の遷移金属イオン、Xは第一配位子を示し、炭素数1から10であるパーフルオロアルキル基を有するテレフタル酸誘導体である。Yは第二配位子を示し、炭素数1から10であるパーフルオロアルキル基を有し、4−ピリジル基を分子両末端に有するビピリジン類縁体である。nは、[MXY]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。)で表され、遷移金属イオンが一方向に第一配位子2個とこれと交差する方向に第二配位子2個の配位を受けた二次元四角格子の積層型ネットワーク構造を有している多孔性高分子金属錯体。多孔性高分子金属錯体。前記ガス吸着材を内部に収容してなるガス貯蔵装置およびガス分離装置。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种由含有氟原子的配位体合成的新型多孔聚合物金属络合物，具有优异性能的气体吸附剂，以及含有上述气体吸收剂的气体储存装置和气体分离装置， 提供了一种具有二维正方形网格层叠型网络结构的多孔聚合物金属络合物，其中过渡金属离子在两个方向上由2个第一配体配位，并且在与其相交的方向上配置有2个次配体， 由[MXY]表示，其中M表示二价过渡金属离子，X表示第一配体，是具有1-10个碳原子的对苯二甲酸衍生物，Y表示第二配体，并且是具有全氟烷基的联吡啶类似物，其具有1至 10个碳原子和4个吡啶基团，n表示由[MXY]聚合体组成的多个结构单元的性质 并且n的大小没有特别限制。 还提供了包含多孔聚合物金属络合物的气体吸附剂和包含气体吸附剂的气体储存装置和气体分离装置。选择图：无

    ふっ素を含有する配位性錯体又はその塩、ガス吸着材とその製法、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置
    4.
    发明专利
    ふっ素を含有する配位性錯体又はその塩、ガス吸着材とその製法、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置 审中-公开
    含氟化合物的复合物或其盐，气体吸附材料及其生产方法，以及使用材料获得的气体分离装置和气体储存装置

    公开(公告)号：JP2015131793A

    公开(公告)日：2015-07-23

    申请号：JP2014180688

    申请日：2014-09-04

    Applicant: 新日鐵住金株式会社 ,  国立大学法人京都大学

    Inventor： 上代 洋 ,  徳丸 慎司 ,  松田 亮太郎 ,  佐藤 弘志 ,  北川 進

    IPC: B01J20/22 ,  B01J20/30 ,  B01D53/02 ,  C07F1/08 ,  F17C11/00 ,  C07C63/72

    Abstract: 【課題】配位性官能基を有する含ふっ素金属錯体、及びこれを用いた優れた特性を有するガス吸着材を提供すること、また、前記特性を有するガス吸着材を内部に収容してなるガス貯蔵装置およびガス分離装置を併せて提供することを目的とする。 【解決手段】式[M 2 X 4 ](式中、Mは2価の遷移金属イオン、Xは炭素数1から10であるパーフルオロアルキル基を少なくとも1個以上及びカルボキシル基を2個含有する芳香族配位子である。) で表される含ふっ素金属錯体であって、2価の遷移金属イオンに4個の芳香族配位子とが配位してパドルホイール構造を形成しており、かつ、4個の芳香族配位子は、それぞれ、その2個のカルボキシル基のうち1個は遷移金属イオンに配位し、他の1個のカルボキシル基は遷移金属イオンに配位していない、含ふっ素金属錯体又はその塩から調製されるガス吸着材。ガス吸着材を用いるガス分離装置、ガス貯蔵装置。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有可配位官能团的含氟金属络合物，提供通过使用含氟金属络合物获得的气体吸附材料，具有优异的特性，并且还提供一种气体储存装置和 内装有气体吸附材料，具有优异特性的气体分离装置。解决方案：含氟金属络合物由下式表示：[MX]（其中M为二价过渡金属离子; X 是具有至少一个1-10C全氟烷基和两个羧基的芳族配体），并且具有四种芳族配体分别与二价过渡金属离子配位以形成桨轮结构的结构，两个羧基之一 四个芳族配体中的每一个与过渡金属离子配位，两个羧基中的另一个与过渡金属离子不配位。 通过使用含氟金属络合物或其盐制备气体吸附材料。 通过使用气体吸附材料获得气体分离装置和气体存储装置。

    ふっ素を含有する配位高分子錯体、ガス吸着材、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置
    5.
    发明专利
    ふっ素を含有する配位高分子錯体、ガス吸着材、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置 有权
    含有氟的协调聚合物复合物，气体吸附剂，气体分离装置和使用其的气体储存装置

    公开(公告)号：JP2015117202A

    公开(公告)日：2015-06-25

    申请号：JP2013261578

    申请日：2013-12-18

    Applicant: 新日鐵住金株式会社 ,  国立大学法人京都大学

    Inventor： 上代 洋 ,  徳丸 慎司 ,  松田 亮太郎 ,  佐藤 弘志 ,  北川 進

    IPC: B01J20/26 ,  B01D53/02 ,  C07C309/58 ,  F17C11/00 ,  C07D401/14 ,  C07D213/22 ,  C07D213/36 ,  C07C63/72

    Abstract: 【課題】複核の配位構造がパーフルオロアルキル基を5位に有するイソフタル酸型配位子により架橋されることで高分子化し、かつふっ素原子の凝集部を有している多孔性高分子金属錯体と、スルホ基を有するイソフタル酸型配位子により架橋されることで高分子化した多孔性高分子金属錯体を提供し、ガスの吸着特性に特異性が生じる吸着材を提供し、また、前記特性を有するガス吸着材を内部に収容してなるガス貯蔵装置およびガス分離装置を併せて提供することを目的とする。 【解決手段】式:[MXY q ] n (式中、Mは2価の金属イオンであり、Xは第一配位子を示し、炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基を5位に有するイソフタル酸誘導体である。Yは第二配位子を示し、ピラジン、ビピリジン、4−ピリジル基を分子両末端に有するビピリジル類縁体である。qは0または1である。nは、[ZnXY q ]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。)で表され、複雑な複核の錯体構造部を有し、これがイソフタル酸骨格で架橋された複雑なネットワーク構造を有し、ふっ素原子が凝集した構造を有する多孔性高分子金属錯体。式:[MXY] n (式中、M、Y、nは上記と同じであり、Xは第一配位子を示し、スルホ基を5位に有するイソフタル酸誘導体である。)で表され、金属イオンに第一及び第二の配位子が配位して形成される二次元の格子状ネットワーク構造が積層された三次元ネットワーク構造を有する、スルホ基を有する多孔性高分子金属錯体。前記多孔性高分子金属錯体からなるガス吸着材を内部に収容してなるガス貯蔵装置およびガス分離装置。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：提供通过在5位具有全氟烷基并具有氟原子的凝结部分的间苯二甲酸型配体交联多核配位结构聚合的多孔聚合物金属络合物，以及由氟原子的凝聚部分聚合的多孔聚合物金属配合物 通过具有磺基的间苯二甲酸型配体交联，具有气体吸附特性的吸附剂，以及容纳具有内部特性的气体吸附剂的气体存储装置和气体分离装置。解决方案：提供了一种多孔聚合物金属络合物 其中M为二价金属离子，X为第一配位体，为5位全氟烷基具有1〜10个碳原子的间苯二甲酸衍生物，Y为第2配体，为 在分子的两个末端具有吡嗪，联吡啶，4-吡啶基的吡啶类似物，q为0或1，n为一个显示特性w 由[ZnXY]骨架组成的多个结构单元和n的大小没有特别限制，具有复杂的多核复合结构部分和由间苯二甲酸骨架交联并具有氟原子聚集的结构的复杂网络结构。 提供由下式表示的多孔聚合物金属络合物：[MXY]，其中M，Y，n与上述相同，X表示第一配体，是具有在5位具有磺基结构的间苯二甲酸衍生物 具有三维网络结构，其中层叠由第一和第二配体与金属离子配位的二维网格结构。 提供了一种容纳由内部的多孔聚合物金属络合物组成的气体吸附剂的气体储存装置和气体分离装置。

    Method for producing phthalic acid dichloride compound, zinc chloride catalyst used therefor and method for preparing the same
    8.
    发明专利
    Method for producing phthalic acid dichloride compound, zinc chloride catalyst used therefor and method for preparing the same 有权
    制备酸式二氯化磷酸酯化合物的方法，其使用的氯化锌催化剂及其制备方法

    公开(公告)号：JP2010105929A

    公开(公告)日：2010-05-13

    申请号：JP2008277165

    申请日：2008-10-28

    Applicant: Ihara Nikkei Kagaku Kogyo Kk ,  Nippon Light Metal Co Ltd ,  イハラニッケイ化学工業株式会社 ,  日本軽金属株式会社

    Inventor： KIMURA YOSHIICHI ,  TAKAO YOSHIHIRO ,  SUGIYAMA TOSHIMITSU ,  HANAWA TAKESHI ,  ITO HIROMICHI

    IPC: C07C51/363 ,  B01J23/06 ,  C07B61/00 ,  C07C63/22 ,  C07C63/72

    CPC classification number: Y02P20/52

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a phthalic acid dichloride compound, by which the industrially useful, highly pure phthalic acid dichloride compound can be obtained without requiring a complicated process and a special treatment, to provide zinc chloride catalyst useful therefor, and to provide a method for preparing the same. SOLUTION: There is provided the method for producing the phthalic acid dichloride compound, comprising reacting a phthalic acid anhydride compound represented by general formula (1) with a trichloromethylbenzene compound represented by general formula (2) in the presence of zinc oxide as a catalyst to produce the phthalic acid dichloride compound represented by general formula (3). In formulae (1) and (3), X is H or a halogen atom; R is one of a halogen atom, lower alkyl, and halogen-substituted lower alkyl; and (m) is an integer of 0 to 2. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    Abstract translation: 待解决的问题：提供一种邻苯二甲酸二氯化合物的制备方法，通过该方法可以获得工业上有用的高纯度邻苯二甲酸二氯化物，而不需要复杂的工艺和特殊处理，提供氯化锌催化剂 有用的，并提供其制备方法。 提供了制造邻苯二甲酸二氯化合物的方法，包括使通式（1）表示的邻苯二甲酸酐化合物与通式（2）表示的三氯甲基苯化合物在氧化锌存在下反应，作为 制备由通式（3）表示的邻苯二甲酸二氯化合物的催化剂。 在式（1）和（3）中，X是H或卤素原子; R是卤素原子，低级烷基和卤素取代的低级烷基之一; （m）为0〜2的整数。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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