公开(公告)号：JP6470419B2

公开(公告)日：2019-02-13

申请号：JP2017538691

申请日：2016-01-19

申请人： シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド ,  SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.

发明人： ウ マン−タン ,  ヤン ジェン−ウェイ ,  ス チエン−シェン ,  チェン チュン−ミン ,  ド ニャン

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11536

公开(公告)号：JP6328607B2

公开(公告)日：2018-05-23

申请号：JP2015503273

申请日：2013-03-13

申请人： サイプレス セミコンダクター コーポレーション

发明人： クリシュナスワミー ラムクマー ,  ボ ジン ,  フレドリック ジェン

IPC分类号： H01L27/11536 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11531

CPC分类号： H01L29/7926 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833

公开(公告)号：JP2017523595A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2016568437

申请日：2015-11-24

申请人： サイプレス セミコンダクター コーポレーション ,  サイプレス セミコンダクター コーポレーション

发明人： ラムクマー クリシュナスワミー ,  ラムクマー クリシュナスワミー

IPC分类号： H01L27/11575 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11536 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/167 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： 集積CMOSプロセスにおいてゲート酸化物層の厚さを制御する方法が開示される。該方法は、ブロッキング酸化物層を形成するため及び第2の領域における少なくとも1つの金属−酸化物−半導体(MOS)トランジスタのゲート酸化物層を形成するために、NVゲートスタックのキャップ層の少なくとも第1の部分を同時に酸化し、従って消費するために、2段階のゲート酸化プロセスを実行するステップを含む。少なくとも1つのMOSトランジスタのゲート酸化物層は、第1の酸化工程と第2の酸化工程との両方の間に形成される。【選択図】図1

公开(公告)号：JP6172656B2

公开(公告)日：2017-08-02

申请号：JP2013057309

申请日：2013-03-19

申请人： ローム株式会社

发明人： 寺田 力

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/11507 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/788

公开(公告)号：JP6649150B2

公开(公告)日：2020-02-19

申请号：JP2016063877

申请日：2016-03-28

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 阿部 真一郎 ,  篠原 正昭

IPC分类号： H01L27/11546 ,  H01L27/11573 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/10 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/11536

公开(公告)号：JP6620046B2

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：JP2016051102

申请日：2016-03-15

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 緒方 完 ,  三原 竜善

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/11573 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP6581507B2

公开(公告)日：2019-09-25

申请号：JP2015556129

申请日：2014-01-30

申请人： サイプレス セミコンダクター コーポレーション

发明人： ファン,シェンチン ,  キム,ウンスーン

IPC分类号： H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11536

公开(公告)号：JP6407644B2

公开(公告)日：2018-10-17

申请号：JP2014193860

申请日：2014-09-24

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 大和田 福夫 ,  篠原 正昭 ,  丸山 隆弘

IPC分类号： H01L27/11536 ,  H01L27/11546 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/10 ,  H01L27/11573

CPC分类号： H01L27/11546 ,  H01L27/11529

公开(公告)号：JP6363431B2

公开(公告)日：2018-07-25

申请号：JP2014173210

申请日：2014-08-27

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 萩原 琢也 ,  塙 哲郎

IPC分类号： H01L27/11573 ,  H01L27/10 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/027 ,  G03F7/32 ,  G03F7/09 ,  G03F7/38 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40 ,  H01L21/304 ,  H01L27/11536

CPC分类号： H01L29/66568 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

公开(公告)号：JP6873890B2

公开(公告)日：2021-05-19

申请号：JP2017221467

申请日：2017-11-17

申请人： ロンギチュード フラッシュ メモリー ソリューションズ リミテッド

发明人： クリシュナスワミー ラムクマー

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/11531 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336