公开(公告)号：KR100453312B1

公开(公告)日：2005-02-28

申请号：KR1019970707589

申请日：1996-04-24

Applicant: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼

Inventor： 미와,다까오 ,  와따나베,아끼라 ,  이또,오사무 ,  마쯔다,미노루

IPC: C08G77/60 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: 본 발명은 화학식 (1)의 테트라할로겐화 실란과 화학식 (2)의 유기 할로겐화물의 반응으로 제조된 불소화 실리콘 네트워크 폴리머, 그의 절연 코팅, 코팅된 반도체 장치 및 그의 생산 방법에 관한 것이다.
〈화학식 (1)〉
SiX
4
〈화학식 (2)〉
RZ
(상기, R은 적어도 1개의 불소를 함유하는 알킬기 또는 방향족기이고, X는 브롬, 요오드, 염소이고, Z는 브롬, 요오드, 염소이고, X 및 Z는 서로 상이할 수 있음)

公开(公告)号：KR1020050015802A

公开(公告)日：2005-02-21

申请号：KR1020030054762

申请日：2003-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재현 ,  신동원 ,  김부득 ,  이창호 ,  김원미 ,  박석봉

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/312 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method of fabricating a semiconductor device using a photo-sensitive polyimide layer is provided to prevent the exposure of the photo-sensitive polyimide layer due to abnormal irradiation of light by forming a photoresist layer on the photo-sensitive polyimide layer. CONSTITUTION: A photo-sensitive polyimide layer(59) is formed on an upper surface of a semiconductor substrate(51). A photoresist layer(61) is formed on an upper surface of the photo-sensitive polyimide layer. A thickness of the photoresist layer is 500 angstrom or less than 500 angstrom. An exposure process for the photoresist layer and the photo-sensitive polyimide layer is performed using a photo mask.

Abstract translation: 目的：提供一种制造使用光敏聚酰亚胺层的半导体器件的方法，以通过在光敏聚酰亚胺层上形成光致抗蚀剂层来防止光异常照射光敏聚酰亚胺层的曝光。 构成：在半导体衬底（51）的上表面上形成光敏聚酰亚胺层（59）。 光致抗蚀剂层（61）形成在感光性聚酰亚胺层的上表面上。 光致抗蚀剂层的厚度为500埃或小于500埃。 使用光掩模进行光致抗蚀剂层和感光性聚酰亚胺层的曝光处理。

公开(公告)号：KR1020040026630A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：KR1020030065837

申请日：2003-09-23

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨

Inventor： 그론벡다나에이. ,  갤러거마이클케이. ,  칼버트제프리엠. ,  애덤스티모시지.

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an electronic device is provided to form porous after etching and filling of apertures by using multiple layers of pre-porous dielectric materials. CONSTITUTION: A method of manufacturing an electronic device including the steps of: (a) disposing on a substrate a layer of a first dielectric material including a first porogen; and (b) disposing a layer of a second dielectric material on the first dielectric material layer, wherein the second dielectric material includes a second porogen.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电子器件的方法，通过使用多层预先预埋的介电材料蚀刻和填充孔后形成多孔的。 构成：一种制造电子器件的方法，包括以下步骤：（a）在衬底上设置包括第一致孔剂的第一介电材料层; 和（b）在所述第一介电材料层上设置第二介电材料层，其中所述第二电介质材料包括第二致孔剂。

公开(公告)号：KR1020030088376A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：KR1020030030428

申请日：2003-05-14

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 나카가와히데오 ,  사사고마사루

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 다공막으로 이루어지는 저유전율 절연막의 기계강도를 향상시키기 위한 것이다.
저유전율 절연막을 형성하기 위한 용액은, 실리콘수지(2)와, 주로 실리콘원자 및 산소원자로 이루어지며 다수의 구멍을 갖는 미립자(3)와, 용매(4)를 포함한다.

Abstract translation: 用于形成本发明的具有低介电常数的绝缘膜的材料是包括主要由硅原子和氧原子组成并且具有大量孔隙的细颗粒，树脂和溶剂的溶液。

公开(公告)号：KR100331580B1

公开(公告)日：2002-11-29

申请号：KR1019940010453

申请日：1994-05-13

Applicant: 아치 스페셜티 케미칼즈, 인코포레이티드

Inventor： 디트마르휘글린 ,  오트마르로데 ,  파스쿠알레알프레도팔시그노 ,  시그르트하겐

IPC: G03C1/00 ,  G03F7/038 ,  H01L21/312

Abstract: (A) 중합체(a) 및 광개시제(b)를 포함하는 광중합성 조성물로 기재를 피복하는 단계, (B) 피복된 기재에 i-라인 영역(약 360 내지 370㎚)의 UV광선으로 상방향 노출시키는 단계, (C) 용매를 사용하여 비노출된 부분을 제거하는 단계, 및 (D) 사용되는 중합체(a)가 하기식(I)의 구조적 반복 단위체를 포함하는 폴리이미드 전구체일때, 노출 및 현상된 재료를 콘디셔닝하는 단계를 포함하는 릴리이프 상의 제조 방법으로 전자 산업에서 폴리이미드 보호 래커를 제조하기에 특히 적합한 내열성 및 내약품성 구조를 제공할 수 있다;

상기식에서,
→ 는 구조적 이성체를 나타내고,
모든 라디칼 X의 50%이상이 옥시디프탈산의 라디칼이거나 또는
모든 라디칼 Y의 50%이상이 2개의 아민 질소 원자에 대해 오르토 위치인 4곳 모두가,
각각 독립적으로, C
1 -C
6 알킬, C
1 -C
6 알콕시 또는 C
1 -C
6 할로알킬, C
6 -C
14 아릴, 할로겐 또는 시아노기에 의해 치환된 방향족 디아민의 라디칼일때,

公开(公告)号：KR100327281B1

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：KR1019960011059

申请日：1996-04-12

Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤

Inventor： 하기와라히데오 ,  고지마야스노리 ,  가지마꼬또 ,  고지마미뚜마사 ,  기까와하루히꼬

IPC: G03F7/037 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

Abstract: 하기식의 반복단위를 갖는 폴리이미드 전구체:

(상기식에서, R
1 은 4가 유기기이고; R
2 는 2가의 페닐기임):
는 이미지 형성에 탁월하며, i - 라인 스테퍼를 사용하여 패턴을 형성시키기에 특히 적합하며, 그리고 광감성을 폴리이미드 전구체에 부여함으로써 광감성 수지 조성물을 산출하는데, 전술한 광감성 수지 조성물은 반도체 디바이스용 표면 보호 필름 또는 다층 배선 보오드용 층간 절연 필름을 형성시키기에 특히 적합하다.

公开(公告)号：KR1020020075876A

公开(公告)日：2002-10-07

申请号：KR1020027008251

申请日：2000-12-21

Applicant: 알라이드시그날 인코포레이티드

Inventor： 첸티안-안 ,  우후이-정 ,  조지안나엠 ,  크레이스틀러라우에스와이

IPC: H01B3/46 ,  H01L21/312 ,  C08G77/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D171/00 ,  C09D183/16 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H05K3/389 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663 ,  C08L83/00

Abstract: 저 k 폴리(아릴렌에테르) 유전성코팅조성물의접착은폴리카르보실란촉진제첨가제혹은프라이머를사용함으로써효과적으로증대된다. 코팅조성물은 (a) 폴리(아릴렌에테르) 조성물을제공하는단계; 및 (b) 상기조성물에특정한폴리카르보실란을소량의유효접착촉진양으로첨가하는단계에의해제조된다. 상기접착증진된코팅조성물은반도체기기에사용되는낮은 k 유전상수를갖는폴리카르보실란-개질된폴리(아릴렌에테르) 중합체조성물을형성하도록 50℃를통과하는온도에서열처리함으로써경화된다.

Abstract translation: 通过聚碳硅烷助剂添加剂或底漆，低k聚（亚芳基醚）介电涂层组合物的粘附力得到有效的提高。 通过（a）提供聚（亚芳基醚）组合物制备涂料组合物; 和（b）向所述组合物中加入少量有效粘合促进量的某些聚碳硅烷。 通过在超过50℃的温度下的热处理来固化粘合增强涂料组合物，以形成用于半导体器件的具有低k介电常数的聚碳硅烷改性聚（亚芳基醚）聚合物组合物。

公开(公告)号：KR1020020054646A

公开(公告)日：2002-07-08

申请号：KR1020000083809

申请日：2000-12-28

Applicant: 매그나칩 반도체 유한회사

Inventor： 우선웅

IPC: H01L21/312

Abstract: PURPOSE: A formation method of insulating layers of semiconductor devices is provided to increase a gluing force by forming a silicon layer as an adhesion promoter between an insulating material and a metal. CONSTITUTION: After forming an interlayer dielectric(21) made of a PMD(Pre-Metal Dielectric) on a semiconductor substrate(21) having a defined structure, metal interconnections(22) are formed by depositing and patterning a metal layer on the resultant structure. Then, a silicon layer(23) is formed on the entire surface of the resultant structure by performing a PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) or a sputtering so as to intensify a gluing force between the metal interconnections(22) and a following metal interconnection insulating layer(24) made of an organic polymer.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的绝缘层的形成方法，以通过在绝缘材料和金属之间形成作为粘合促进剂的硅层来增加粘合力。 构成：在具有限定结构的半导体衬底（21）上形成由PMD（Pre-Metal Dielectric）制成的层间电介质（21）之后，通过在所得结构上沉积和图案化金属层来形成金属互连（22） 。 然后，通过执行PECVD（等离子体增强化学气相沉积）或溅射在所得结构的整个表面上形成硅层（23），以加强金属互连（22）和后续金属之间的粘合力 由有机聚合物制成的互连绝缘层（24）。

公开(公告)号：KR100317330B1

公开(公告)日：2001-12-24

申请号：KR1019990048437

申请日：1999-11-03

Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사

Inventor： 봉명종

IPC: H01L21/312

Abstract: 본발명은텅스텐비트라인의산화염려를방지하고 USG층을형성하기이전에별도의 TEOS층을형성하는공정을생략하여공정을간략화시키는데적당한반도체소자제조방법을제공하기위한것으로, 트랜지스터가형성된반도체기판상에텅스텐층을형성한후 선택적으로제거하는공정과, NH계분위기에서어닐링을실시하여텅스텐의표면에산화방지막을형성하는공정과, 상기산화방지막을포함한기판상에 USG층을형성하는공정과, 상기 USG층상에 TEOS층을형성하는공정을포함하여이루어짐을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明的半导体衬底是提供一个单独的，并省略形成TEOS层sikineunde简化的方法合适的半导体装置的制造，以防止钨位线氧化关注以形成USG层之前处理的步骤，一个晶体管形成 钨层的上形成选择性地去除步骤中，通过在基于NH-气氛下进行退火钨的表面上的抗氧化剂的步骤形成后，膜和衬底上形成USG层，包括防止氧化膜的步骤，和 并在USG层上形成TEOS层。

公开(公告)号：KR1020010094841A

公开(公告)日：2001-11-03

申请号：KR1020000018200

申请日：2000-04-07

Applicant: 동부일렉트로닉스 주식회사

Inventor： 박건욱

IPC: H01L21/312

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of a premetal dielectric layer of semiconductor devices is provided to improve a threshold voltage and to prevent a leakage current of a PMOS by preventing out-diffusion of boron ions into a silicon wafer. CONSTITUTION: An MOS transistor(13) having a source(S), a drain(D) and a gate(G) is formed on a silicon wafer(11). A liner nitride layer(15) is deposited on the resultant structure by PECVD(plasma enhanced CVD). Plasma treatment is then performed to the surface of the liner nitride layer(15) by using ozone(O3) injected high purity water, thereby removing hydrogen existed in the liner nitride layer(15). Then, a BPSG(boro-phosphor silicate glass) layer(16) as a premetal dielectric layer is deposited on the liner nitride layer(15).

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的前金属介电层的制造方法，以通过防止硼离子向硅晶片的扩散而提高阈值电压并防止PMOS的漏电流。 构成：在硅晶片（11）上形成具有源极（S），漏极（D）和栅极（G）的MOS晶体管（13）。 通过PECVD（等离子体增强CVD）在所得结构上沉积衬里氮化物层（15）。 然后通过使用注入臭氧（O3）的高纯度水，对衬里氮化物层（15）的表面进行等离子体处理，由此除去存在于衬里氮化物层（15）中的氢。 然后，作为前金属介电层的BPSG（硼 - 磷硅玻璃）层（16）沉积在衬里氮化物层（15）上。