公开(公告)号：KR101055550B1

公开(公告)日：2011-08-08

申请号：KR1020040061433

申请日：2004-08-04

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 와따나베,다께루 ,  니시,즈네히로 ,  후나쯔,겐지 ,  요시하라,다까오

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0397

摘要： 본 발명은 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해 속도가 증가하는 수지로서, 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 반복 단위를 각각 1종 이상 포함하는 중합체를 제공한다.






식 중, R
1 , R
2 , R
5 는 H 또는 CH
3 을 나타내고, R
3 , R
4 는 H 또는 OH를 나타내고, X는 하기 화학식 4a 내지 4d 중 어느 하나로 표시되는 비시클로[2.2.1]헵탄 골격을 갖는 3급 엑소-알킬기를 나타낸다.








식 중, R
6 은 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타낸다.
본 발명의 중합체를 이용하여 제조한 본 발명의 레지스트 재료는 고에너지선에 감응하고, 해상도가 우수하기 때문에 전자선이나 원자외선에 의한 초LSI 제조용 미세 가공에 유용하다.
레지스트 재료, 패턴 형성 방법, 비시클로[2.2.1]헵탄 골격

公开(公告)号：KR100670089B1

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020020007676

申请日：2002-02-09

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 니시,쯔네히로 ,  나까시마,무쯔오 ,  타찌바나,세이찌로 ,  후나쯔,겐지

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： C08F224/00 ,  C08F216/16 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/111

摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물에 관한 것이다. 또한, 본 발명의 고분자 화합물을 기재 수지로 한 레지스트 재료는 고에너지선에 감응하고, 감도, 해상성, 에칭 내성이 우수하다.


식 중, R
1 , R
2 는 H 또는 CH
3 , R
3 , R
4 는 H 또는 1가의 탄화수소기, R
5 내지 R
8 은 H, OH, 또는 1가의 탄화수소기, R
9 , R
10 은 H 또는 CH
3 , R
11 내지 R
14 는 H 또는 1가의 탄화수소기, R
15 는 H, CH
3 또는 CH
2 CO
2 R
17 , R
16 은 H, CH
3 또는 CO
2 R
17 , R
17 은 알킬기, R
18 은 H 또는 1가의 탄화수소기, R
19 는 1가의 탄화수소기, R
20 은 알킬기, R
21 은 산불안정기, x1, x2, x3, a, b, c는 0 이상의 수, d는 0을 초과하는 수이며, x1, x2, x3이 동시에 모두 0이 되는 경우는 없다.
고분자 화합물, 레지스트 재료, 감도, 해상성, 에칭 내성

摘要翻译： 通过使（甲基）丙烯酸衍生物与乙烯基醚化合物，烯丙基醚化合物和含氧脂环族烯烃化合物共聚得到新的聚合物。 包含作为基础树脂的聚合物的抗蚀剂组合物对高能辐射敏感，具有优异的灵敏度，分辨率，耐腐蚀性和最小化的溶胀，并且使其自身具有电子束或深UV的微图形化。

公开(公告)号：KR101679086B1

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：KR1020110123375

申请日：2011-11-24

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 고바야시,도모히로 ,  나가사와,다까유끼 ,  다니구찌,료스께 ,  오사와,요우이찌 ,  후나쯔,겐지 ,  다찌바나,세이이찌로

IPC分类号： C08F20/22 ,  C08F20/26 ,  G03F7/26 ,  G03F7/027 ,  G03F7/34

CPC分类号： G03F7/2041 ,  C08K5/375 ,  C08K5/42 ,  C08L41/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397

摘要： 본발명은자외선, 원자외선, 전자선, X선, 엑시머레이저, γ선및 싱크로트론방사선으로부터선택되는고에너지선에감응하여산을발생하는화학식 (1a) 및/또는 (1b)로표시되는구조의반복단위와, 화학식 (2a) 및/또는 (2b)로표시되는구조의락톤환을갖는반복단위와, 화학식 (3)으로표시되는산불안정단위를가짐과동시에, 어느쪽의반복단위도수산기를포함하지않는고분자화합물에관한것이다.본발명의고분자화합물은포지티브형레지스트재료의베이스중합체로서유용하고, 상기고분자화합물을포함하는포지티브형레지스트재료는미세패턴의형상을직사각형으로함와동시에, 패턴붕괴내성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020120056786A

公开(公告)日：2012-06-04

申请号：KR1020110123375

申请日：2011-11-24

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 고바야시,도모히로 ,  나가사와,다까유끼 ,  다니구찌,료스께 ,  오사와,요우이찌 ,  후나쯔,겐지 ,  다찌바나,세이이찌로

IPC分类号： C08F20/22 ,  C08F20/26 ,  G03F7/26 ,  G03F7/027 ,  G03F7/34

CPC分类号： G03F7/2041 ,  C08K5/375 ,  C08K5/42 ,  C08L41/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  C08F20/22 ,  C08F20/26 ,  G03F7/027 ,  G03F7/26 ,  G03F7/34

摘要： PURPOSE: A polymer compound is provided to retrain acid diffusion together with dissolution contrast, and to form the shape of a micro pattern to be rectangular together with improving tolerance to pattern collapse. CONSTITUTION: A polymer compound comprises: a repeating unit in chemical formula 1a and/or 1b generating acid by responding to high energy ray selected from UV ray, far IR ray, electron beam, X ray, excimer laser, γ ray, and synchrotron radiation ray; a repeating unit comprising lactone ring, in chemical formula 2a and/or 2b; and an acid-labile unit in chemical formula 3. Any repeating unit does not contain hydroxy group. A positive-type resist material contains the polymer compound as a base polymer.

摘要翻译： 目的：提供一种高分子化合物，用于将酸扩散与溶解对比度一起重新培养，并且形成具有矩形的微图案的形状，同时改善对图案塌陷的耐受性。 构成：高分子化合物包括：通过响应选自紫外线，远红外线，电子束，X射线，准分子激光，γ射线和同步加速器辐射的高能射线而产生酸的化学式1a和/或1b中的重复单元 射线; 包含化学式2a和/或2b中的内酯环的重复单元; 和化学式3中的酸不稳定单元。任何重复单元不含羟基。 正型抗蚀剂材料含有作为基础聚合物的高分子化合物。

公开(公告)号：KR101152000B1

公开(公告)日：2012-06-01

申请号：KR1020060133610

申请日：2006-12-26

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 후나쯔,겐지 ,  고바야시,도모히로 ,  하세가와,고지 ,  니시,츠네히로

IPC分类号： C08F220/00 ,  C08F220/06 ,  C08F220/10 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： 본발명의고분자화합물을베이스수지로서포함하는레지스트재료는고해상도를갖고, 라인엣지조도및 I/G 바이어스가개선된것이다.

公开(公告)号：KR1020070069041A

公开(公告)日：2007-07-02

申请号：KR1020060133610

申请日：2006-12-26

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 후나쯔,겐지 ,  고바야시,도모히로 ,  하세가와,고지 ,  니시,츠네히로

IPC分类号： C08F220/00 ,  C08F220/06 ,  C08F220/10 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111 ,  G03F7/0045

摘要： Provided are a polymeric compound, which is useful for formulating a resist composition effective for forming a pattern having a small LER and a small I/G bias in high resolution, and a resist composition containing the same. The polymeric compound includes repeat units represented by formulae (1), (2), (3), (4), (5), and (6) and has a weight average molecular weight of 3,000-30,000 and a dispersibility of 1.5-2.5. The repeat unit of the formula (1) is contained in an amount of 1-60mol%, the repeat unit of the formula (2) is contained in an amount of 1-60mol%, the repeat unit of the formula (3) is contained in an amount of 1-50mol%, the repeat unit of the formula (4) is contained in an amount of 0-60mol%, the repeat unit of the formula (5) is contained in an amount of 0-30mol%, and the repeat unit of the formula (6) is contained in an amount of 0-30mol%.

摘要翻译： 提供一种高分子化合物，其可用于配制有效用于以高分辨率形成具有小LER和小I / G偏压的图案的抗蚀剂组合物和含有该抗蚀剂组合物的抗蚀剂组合物。 聚合物包括由式（1），（2），（3），（4），（5）和（6）表示的重复单元，其重均分子量为3,000-30,000， 2.5。 式（1）的重复单元的含量为1-60mol％，式（2）的重复单元的含量为1-60mol％，式（3）的重复单元为 含量为1-50mol％，式（4）的重复单元的含量为0-60mol％，式（5）的重复单元的含量为0-30mol％， 式（6）的重复单元的含量为0〜30摩尔％。

公开(公告)号：KR1020060049410A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050053088

申请日：2005-06-20

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 후나쯔,겐지 ,  하세가와,고지 ,  니시,즈네히로

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F220/26

摘要： 본 발명은 화학식 1 및 2로 표시되는 반복 단위를 각각 1종 이상 포함하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 50,000의 고분자 화합물에 관한 것이다.




식 중, R
1 , R
3 은 H 또는 CH
3 이고, R
4 는 알킬렌기이고, R
2 는 화학식 R
2 -1 내지 R
2 -4로부터 선택되는 락톤 구조를 갖는 치환기이다.

식 중, Y는 CH
2 또는 O이고, Y가 CH
2 인 경우, R
5 는 CO
2 R
7 이고, Y가 O인 경우, R
5 는 H 또는 CO
2 R
7 이고, R
6 은 H 또는 알킬기이고, R
7 은 알킬기 또는 상기 알킬기의 탄소-탄소 결합 사이에 산소 원자가 삽입된 기이다.
본 발명의 고분자 화합물은, 레지스트 재료, 특히 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료의 기재 수지로서 사용되며, 높은 감도, 해상성, 에칭 내성을 제공함과 동시에 기판 밀착성이 양호하고, 패턴 측벽의 거칠음이 방지된 레지스트 패턴을 제공한다.
레지스트 재료, 패턴 형성, 고분자 화합물

摘要翻译： 本发明涉及一种聚合物化合物具有1,000的重均分子量为50000，其每一个包括由式表示的一个或多个重复单元（1）和（2）。

公开(公告)号：KR1020050016139A

公开(公告)日：2005-02-21

申请号：KR1020040061433

申请日：2004-08-04

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 와따나베,다께루 ,  니시,즈네히로 ,  후나쯔,겐지 ,  요시하라,다까오

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F220/18 ,  G03C1/76 ,  G03F7/0045

摘要： PURPOSE: Provided are a resist polymer which has excellent etching resistance and satisfies both high resolution and low LER in photolithography using light with a wavelength of up to 300 nm, especially ArF excimer laser light, a resist composition comprising the same, and a patterning process using the same. CONSTITUTION: The resist polymer has increased dissolution rate in an alkali developer by the action of an acid, and comprises repeating units containing at least one type for each formulae 1-3, wherein R1, R2 and R5 are each independently hydrogen atom or methyl group, R3 and R4 are each independently hydrogen atom or hydroxyl group, and X is a tertiary exo-alkyl group having a bicyclo£2.2.1|heptane skeleton, represented by any of the formula 4a to 4d(in which, R6 is a straight, branched or cyclic alkyl group having carbon atoms of 1 to 10). The resist composition comprises such resist polymer, an acid generator, an organic solvent and/or a nitrogen-containing organic compound.

摘要翻译： 目的：提供一种抗蚀剂聚合物，其具有优异的耐蚀刻性，并且使用波长高达300nm的光，特别是ArF准分子激光，包含该光学组合物的光刻胶组合物和图案化工艺，在光刻中满足高分辨率和低LER 使用相同 构成：抗蚀剂聚合物通过酸的作用增加了碱显影剂中的溶解速率，并且包含对于每个式1-3而含有至少一种类型的重复单元，其中R 1，R 2和R 5各自独立地为氢原子或甲基 ，R 3和R 4各自独立地为氢原子或羟基，X为具有双环2.2.1 |庚烷骨架的叔外烷基，由式4a至4d中的任一个表示（其中，R 6为直链 ，碳原子数为1〜10的支链或环状烷基）。 抗蚀剂组合物包含这种抗蚀剂聚合物，酸产生剂，有机溶剂和/或含氮有机化合物。

公开(公告)号：KR101761430B1

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：KR1020120129910

申请日：2012-11-16

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 고바야시,도모히로 ,  가따야마,가즈히로 ,  하따께야마,준 ,  후나쯔,겐지 ,  다찌바나,세이이찌로

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/38 ,  C08F220/34 ,  C08F220/36 ,  C08F226/06 ,  C08F226/10 ,  C08F228/02 ,  C08F228/06 ,  C08F2220/343 ,  C08F2220/365 ,  C08F2220/382 ,  C08F2220/385 ,  C08F2220/387 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325

摘要： 본발명은산불안정기에의해카르복실기가보호된구조를갖는반복단위 (a1)과아미노기, 아미드결합, 카르바메이트결합, 질소함유복소환으로부터선택되는구조를하나이상포함하는반복단위 (a2)를함유하는고분자화합물 [A]와, 광산발생제 [B]와, 유기용제 [C]를모두포함하는레지스트조성물을기판에도포하고, 도포후 가열처리를하여제작한레지스트막을고에너지선으로노광하고, 노광후 가열처리를실시한후에유기용제를함유하는현상액에의해레지스트막의미노광부분을선택적으로용해시키는네거티브형패턴형성방법에관한것이다. 본발명의특정한구조의고분자화합물과광산발생제와유기용제를포함하는레지스트조성물을유기용제네거티브현상과조합함으로써표면난용층의형성을방지하고, 미세트렌치패턴이나홀 패턴의넓은초점심도를얻는것이가능해진다.

摘要翻译： 本发明包含含有重复单元（a1）和具有保护结构，羧基，酰胺键，氨基甲酸酯键的氨基，从由酸不稳定含氮杂环中的至少一种结构的重复单元（a2） 和高分子化合物[A]一，和光 - 酸产生[B]，以及将所述抗蚀剂包含所有的有机溶剂[C]至基板的组合物中，并通过热处理制备后的涂布暴露于能量辐射的抗蚀剂膜， 抗蚀剂膜的负图案选择性地溶解由曝光涉及一种形成方法之后进行热处理后含有有机溶剂的显影溶液暴露部分的装置。 它是一种聚合的化合物和本发明权利要求的具体结构的光产酸剂和包含有机溶剂的抗蚀剂组合物，通过组合有机溶剂负发展防止形成表面层不溶性的，为了获得精细的沟槽图案或场的孔图案的宽对焦 变得可能。

公开(公告)号：KR101738725B1

公开(公告)日：2017-05-22

申请号：KR1020130160026

申请日：2013-12-20

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하따께야마,준 ,  하세가와,고지 ,  후나쯔,겐지

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/32 ,  C08F214/18

CPC分类号： G03F7/0046 ,  C08F214/182 ,  C08F214/186 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325

摘要： 본발명은산에의해알칼리용해성이향상되는베이스수지가되는고분자화합물과, 고분자첨가제로서일반식 (1)로표시되는반복단위 p를함유하는고분자화합물을포함하는레지스트재료에관한것이다.(R은탄소수 1 내지 4의직쇄상또는분지상의알킬렌기이고, R는수소원자, 탄소수 1 내지 15의아실기, 또는산 불안정기이고, R은수소원자, 메틸기또는트리플루오로메틸기이고, 0

摘要翻译： 本发明涉及包括含有由通式（1）中，聚合物添加剂和作为基础树脂的聚合物化合物改善通过酸的碱溶性表示的重复单元P A高分子化合物的抗蚀剂组合物。（R euntan 并且具有在1至4 uijik链或支链烷基，R是氢原子，C 1 -C 15难怪基，或酸不稳定基团，和甲基与R隐士愿望方，基团或三氟甲基基团，0 <林p≤1.0 ），并且可以减少从膜漏气的产生是通过使用本发明的抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂，EUV曝光eseoui抗蚀剂膜，通过降低恒定偶数（LWR）以下显影，由亲水性的抗蚀剂膜表面 ，可以防止显影后抗蚀剂膜上出现斑点缺陷。