Abstract:
이 파워 모듈용 기판은, 절연 기판 (11) 과, 절연 기판 (11) 의 일방의 면에 형성된 회로층 (12) 과, 절연 기판 (11) 의 타방의 면에 형성된 금속층 (13) 을 구비한 파워 모듈용 기판 (10) 으로서, 회로층 (12) 은 구리 또는 구리 합금으로 구성되고, 이 회로층 (12) 의 일방의 면이 전자 부품 (3) 이 탑재되는 탑재면으로 되고, 금속층 (13) 은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 알루미늄판이 접합되어 구성되어 있고, 회로층 (12) 의 두께 t 1 이 0.1 ㎜ ≤ t 1 ≤ 0.6 ㎜ 의 범위 내로 되고, 금속층 (13) 의 두께 t 2 가 0.5 ㎜ ≤ t 2 ≤ 6 ㎜ 의 범위 내로 되고, 회로층 (12) 의 두께 t 1 과 금속층 (13) 의 두께 t 2 의 관계가 t 1 < t 2 로 되어 있다.
Abstract:
(과제) 열사이클 부하시에 있어서, 회로층의 표면에 기복이나 주름이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 또한, 세라믹스 기판과 회로층의 접합 계면에 열응력이 작용하는 것을 억제할 수 있어, 열사이클 신뢰성이 우수한 파워 모듈용 기판을 제공한다. (해결수단) 세라믹스 기판 (11) 의 일면에, 알루미늄으로 이루어지는 회로층 (12) 이 배치 형성된 파워 모듈용 기판 (10) 으로서, 회로층 (12) 은, 본체층 (12B) 과, 상기 일방의 면측에 드러나도록 배치된 표면 경화층 (12A) 을 갖고 있고, 회로층 (12) 의 상기 일방의 면에 있어서의 인덴테이션 경도 (Hs) 가 50 mgf/μ㎡ 이상 200 mgf/μ㎡ 이하의 범위 내로 설정되고, 이 인덴테이션 경도 (Hs) 의 80 % 이상의 영역이 표면 경화층 (12A) 으로 되어 있고, 본체층 (12B) 의 인덴테이션 경도 (Hb) 가 상기 인덴테이션 경도 (Hs) 의 80 % 미만으로 되어 있다.
Abstract:
이 파워 모듈용 기판 (10) 은, 표면을 갖는 세라믹스 기판 (11) 과, 상기 세라믹스 기판 (11) 의 상기 표면에 접합되어 알루미늄으로 이루어지며, 상기 세라믹스 기판 (11) 과의 사이의 접합 계면에서 Cu 를 함유하는 금속판 (22, 23) 을 포함하고, 상기 접합 계면에 있어서의 Cu 농도가 0.05 ∼ 5 wt% 의 범위 내로 설정되어 있다.
Abstract:
(과제) 용이하게, 또한저비용으로금속판과세라믹스기판이확실하게접합된열 사이클신뢰성이높은파워모듈용기판을얻을수 있는파워모듈용기판의제조방법을제공한다. (해결수단) 세라믹스기판의접합면및 금속판의접합면중 적어도일방에 Si 와 Cu 를고착시키는 Si 및 Cu 고착공정 (S1) 과, 고착된 Si 및 Cu 를개재하여세라믹스기판과금속판을적층하는적층공정 (S2) 과, 적층방향으로가압함과함께가열하여용융금속영역을형성하는가열공정 (S3) 과, 이용융금속영역을응고시키는응고공정 (S4) 을갖고, Si 및 Cu 고착공정 (S1) 에있어서세라믹스기판과금속판의계면에 Si;0.002 ㎎/㎠이상 1.2 ㎎/㎠이하, Cu;0.08 ㎎/㎠이상 2.7 ㎎/㎠이하를개재시키며, 가열공정 (S3) 에있어서 Si 및 Cu 를금속판측으로확산시킴으로써용융금속영역을형성한다.
Abstract:
세라믹스기판과, 이세라믹스기판의표면에적층되어접합된알루미늄또는알루미늄합금으로이루어지는금속판을구비한파워모듈용기판으로서, 상기금속판에는, Ag, Zn, Ge, Mg, Ca, Ga 및 Li 에서선택되는 1 종또는 2 종이상의첨가원소가고용되어있고, 상기금속판중 상기세라믹스기판과의계면근방에서의 Ag 농도가 0.05 질량% 이상 10 질량% 이하, 또는상기금속판중 상기세라믹스기판과의계면근방에서의 Zn, Ge, Mg, Ca, Ga 및 Li 의농도의합계가 0.01 질량% 이상 5 질량% 이하로되어있다.
Abstract:
히트싱크부착파워모듈용기판의제조방법은, 제 2 금속판의타면에히트싱크를접합하기위한히트싱크접합공정을포함하고, 이히트싱크접합공정은, 상기제 2 금속판의타면및 상기히트싱크의접합면중 적어도어느일방에 Cu 층을형성하는 Cu 층형성공정과, 상기 Cu 층을개재하여상기제 2 금속판에상기히트싱크를적층하는히트싱크적층공정과, 상기 Cu 층에포함되는 Cu 를제 2 금속판및 상기히트싱크로확산시키기위해서, 제 2 금속판및 히트싱크를적층방향으로가압함과함께가열하는히트싱크가열공정과, 제 2 금속판과히트싱크를접합하기위해서, 상기 Cu 의확산에수반하여형성된용융금속을응고시키는용융금속응고공정을갖는다.