Abstract:
본 발명의 파워 모듈은, 회로층 (12) 중 반도체 소자 (3) 와의 접합면에, 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 구리층이 형성되어 있고, 회로층 (12) 과 반도체 소자 (3) 사이에는, 땜납재를 사용하여 형성된 땜납층 (20) 이 형성되어 있다. 땜납층 (20) 중 회로층 (12) 과의 계면에는, 주성분으로서 Sn 을 함유함과 함께, Ni 를 0.5 mass% 이상 10 mass% 이하, Cu 를 30 mass% 이상 40 mass% 이하 함유하는 합금층 (21) 이 형성되고, 이 합금층 (21) 의 두께가 2 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하의 범위 내로 되어 있고, 파워 사이클 시험에 있어서, 통전 시간 5 초, 온도차 80 ℃ 의 조건의 파워 사이클을 10 만회 부하했을 때의 열저항 상승률이 10 % 미만이다.
Abstract:
본원에 관련된 히트 싱크 장착 파워 모듈용 기판은, 세라믹스 기판 (11) 과 회로층 (12) 과 금속층 (13) 을 구비하는 파워 모듈용 기판 (10) 과, 땜납층 (17) 을 개재하여 금속층 (13) 과 접합됨과 함께 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 히트 싱크 (18) 를 구비한다. 금속층 (13) 은, Al 의 함유량이 99.0 질량% 이상 99.85 질량% 이하인 알루미늄판이 세라믹스 기판 (11) 에 접합되어 형성되어 있고, 땜납층 (17) 은, 주성분인 Sn 과, 이 Sn 의 모상 중에 고용되는 고용 원소를 함유하는 고용 경화형의 땜납재에 의해 형성되어 있다.
Abstract:
이 파워 모듈용 기판은, 세라믹스 기판 (11) 의 표면에 동 또는 동 합금으로 이루어지는 동판이 적층되어 접합되고, 상기 동판과 상기 세라믹스 기판 (11) 사이에 있어서, 상기 세라믹스 기판 (11) 의 표면에 질화물층 (31) 이 형성되고, 상기 질화물층과 상기 동판 사이에는, 두께가 15 ㎛ 이하인 Ag-Cu 공정 조직층 (32) 이 형성되어 있다.
Abstract:
본 발명의 파워 모듈용 기판 (10) 은, 절연 기판 (11) 과, 이 절연 기판 (11) 의 일방의 면에 형성된 회로층 (12) 을 구비한 파워 모듈용 기판 (10) 으로서, 상기 회로층 (12) 은, 상기 절연 기판 (11) 의 일방의 면에 제 1 동판 (22) 이 접합되어 구성되어 있고, 상기 제 1 동판 (22) 은, 접합되기 전에 있어서, 적어도, 알칼리토류 원소, 천이 금속 원소, 희토류 원소 중 1 종 이상을 합계로 1 ㏖ppm 이상 100 ㏖ppm 이하, 또는 보론을 100 ㏖ppm 이상 1000 ㏖ppm 이하 중 어느 일방을 함유하고, 잔부가 구리 및 불가피 불순물로 된 조성으로 되어 있다.
Abstract:
PURPOSE: A substrate for a power module and a substrate for a heat sink attachment power module and a manufacturing method thereof are provided to improve yield of initial junction by forming a sticking layer on the welded surface of a metal plate. CONSTITUTION: Sticking layers(24,25) containing Si and addition elements are formed. A ceramics substrate(11) and metal plates(22,23) are laminated by placing the sticking layer. The ceramics substrate and the metal plates are pressurized to a laminating direction and are heated at the same time. A molten metal domain is formed in the interface of the metal plate and the ceramics substrate. The ceramics substrate and the metal plate are welded by coagulating the molten metal domain.
Abstract:
An insulating circuit board is provided with an insulating board, a circuit board bonded to a first plane of the insulating board, and a metal plate bonded to a second plane of the insulating board. The circuit board is formed of an Al alloy having a purity of 99.98% or pure Al, and the metal plate is formed of an Al alloy having a purity of 98.00% but not more than 99.90%. A thickness (a) of the circuit board is, for instance, 0.2mm or more but not more than 0.8mm, and a thickness (b) of the metal plate is, for instance, 0.6mm or more but not more than 1.5mm, and an inequality of a/b