公开(公告)号：KR20180066133A

公开(公告)日：2018-06-18

申请号：KR20187012687

申请日：2016-10-04

申请人： CERAM GMBH

发明人： DILSCH ROLAND ,  KRESS HARALD

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/3735 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/30 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/64 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49844 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

摘要： 본발명은상부측(1b) 및하부측(1a)을갖는제 1 세라믹기판(1)을포함하는컴포넌트(9)에관한것이며, 금속화부(2)가상부측(1b) 상에적용되고, Si 회로(4)의하부측이연결수단(3)을통해금속화부상에장착된다. Si 회로(4)가높은열 전도성및 동시에높은전기전도성을갖는엘리먼트들에의해양측에서냉각되도록하기위해, 그리고어셈블리의효율이증가되도록하기위해, 본발명에따라, 연결수단(5)이 Si 회로(4)의상부측(1b) 상에적용되고, 세라믹평면기판(6)의하부측이연결수단상에부착되고, 제 2 세라믹기판(8)은금속화부(7)를통해평면기판(6) 상에배열되고, 세라믹평면기판(8)은냉각수단을운반하기위한금속-충전열 전기비아들(11) 및/또는냉각덕트들을포함한다.

公开(公告)号：KR20180059778A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：KR20187008260

申请日：2016-09-20

IPC分类号： H01L33/64 ,  B23K1/00 ,  B23K35/30 ,  C22C5/02 ,  H01L23/40 ,  H01L33/24 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC分类号： B23K1/00 ,  B23K20/00 ,  B23K35/30 ,  C22C5/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/8384

摘要： 본발명의발광모듈기판은, 절연층의일면에, 발광소자가탑재되는회로층이형성되고, 상기절연층의타면측에 Al 또는 Al 합금으로이루어지는금속층과방열판이순서대로적층되고, 상기방열판은, 적어도상기금속층과의접합면에 Cu 가존재하고, 그접합면에있어서상기금속층과상기방열판이고상확산접합되고, 상기회로층의두께가 0.1 ㎜이하이다.

公开(公告)号：KR20180043269A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：KR20187004757

申请日：2016-08-23

申请人： ZEON CORP

发明人： ITO TOYOKAZU ,  KUMAMOTO TAKUROU ,  MURAKAMI YASUYUKI

IPC分类号： H05K7/20

CPC分类号： H01L23/36 ,  H05K7/20

摘要： 생산성이높고, 열전도성이높은열 전도시트를제공한다. 본발명에따른열 전도시트는, 수지및 개수기준의모드지름이 5㎛이상 50㎛이하인탄소재료를포함하는조편이병렬접합되어이루어지고, 두께방향의열전도율이 40W/m·K 이상이다.

公开(公告)号：KR101848539B1

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：KR1020147012705

申请日：2012-11-09

申请人： 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 ,  헨켈 아게 운트 코. 카게아아

发明人： 응우옌,마이,누 ,  바리아우,에밀리에 ,  렌켈,마르틴 ,  홀로웨이,매튜 ,  브란디,재이슨

IPC分类号： G06F1/20 ,  H05K7/20

CPC分类号： H01L23/36 ,  G06F1/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 본원에는단열층을구비하여조립된전자장치가제공된다.

摘要翻译： 这里提供了组装有绝热层的电子装置。

公开(公告)号：KR20180023493A

公开(公告)日：2018-03-07

申请号：KR20160108951

申请日：2016-08-26

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/373 ,  H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H05K1/02

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/053 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13

摘要： 본발명의반도체패키지는기판의제1면에배치되는제1전자부품; 상기제1전자부품에배치되는제1도전성부재; 상기제1전자부품을덮도록구성되고, 상기제1도전성부재를외부로개방시키는구멍이형성되는밀봉부재; 및상기구멍에배치되고, 상기제1전도성부재와연결되는제2도전성부재;를포함한다.

摘要翻译： 一种半导体封装，包括：第一电子部件，设置在基板的第一表面上;第一导电部件，设置在第一电子部件上;以及密封部件，设置为覆盖第一电子部件并形成孔以暴露第一导电部件以 半导体封装的外部。 半导体封装件还包括设置在孔上并连接到第一导电构件的第二导电构件。

公开(公告)号：KR20180016610A

公开(公告)日：2018-02-14

申请号：KR20187002672

申请日：2017-01-13

IPC分类号： H01L23/373 ,  C08K3/00 ,  C08K9/04 ,  C08L83/04 ,  C08L101/00

CPC分类号： C08K3/00 ,  C08K9/04 ,  C08L83/04 ,  C08L101/00 ,  H01L23/36 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/16152 ,  H01L23/373

摘要： 바인더수지와, 절연피복탄소섬유와, 상기절연피복탄소섬유이외의열전도성필러를함유하고, 상기절연피복탄소섬유가, 탄소섬유와, 상기탄소섬유의표면의적어도일부에중합성재료의경화물로이루어지는피막을함유하는열전도시트이다.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种导热片等，其具有高导热性和优异的绝缘性能。解决方案：导热片包括：粘合剂树脂; 绝缘涂层碳纤维; 以及绝缘涂层碳纤维以外的导热填料。 绝缘涂层碳纤维包含碳纤维和在碳纤维表面的至少一部分上由可聚合材料的固化材料制成的膜。选择性绘图：图1

公开(公告)号：KR1020170128242A

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：KR1020177023163

申请日：2015-03-19

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 캄가잉텔레스포 ,  메이어토르스텐

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/00 ,  H01L23/66 ,  H01L23/373 ,  H01L23/36 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/565 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24245 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/241 ,  H01Q1/38

摘要： 이면도전성플레이트를구비한무선주파수다이의패키지가개시된다. 일례는도전성플레이트와, 전면및 플레이트에부착된이면을가진반도체다이와, 플레이트에부착된무선주파수소자와, 플레이트내에서무선주파수소자에인접한유전체충진공동과, 외부접속을위해다이의전면에부착된재분배층을포함하되,

摘要翻译： 公开了一种具有背面导电板的射频管芯封装。 用于导电板，和一个前部和附连到半导体管芯和与后表面的板的无线电频率的一个例子是连接到板元件，和电介质填充的空腔和外部连接邻近附着于管芯的前板中的射频设备 再分配层，

公开(公告)号：KR101765966B1

公开(公告)日：2017-08-07

申请号：KR1020127016068

申请日：2010-12-23

申请人： 아이엠이씨 브이제트더블유

发明人： 베이네,에릭 ,  리메이에,파레쉬

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/562 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

摘要： 유리하게는인터포저원리를사용하는반도체디바이스가개시된다. 반도체디바이스는하나이상의반도체다이(130), 무기기판이며하나이상의반도체다이(130)를탑재하기위한하나이상의윈도우-형상캐비티(120)를포함하는윈도우기판(110)을포함하며, 윈도우기판(110)은상호연결구조물(140)을포함한다. 더욱이, 하나이상의반도체다이는하나이상의캐비티내부에위치하며상호연결구조물에연결되어, 반도체디바이스(100)의어셈블리또는패키징의또 다른레벨에대한연결을제공한다. 본발명은또한이러한반도체디바이스제조방법에관한것이다.

摘要翻译： 有利地，公开了使用插入器原理的半导体器件。 半导体器件包括窗基板110，其包括一个或多个半导体管芯130，无机基板和用于安装一个或多个半导体管芯130的一个或多个窗口形腔120， ）银桥连接结构（140）。 而且，一个或多个半导体管芯位于一个或多个空腔内并且连接到互连结构以提供到半导体器件100的另一层组装或封装的连接。 本发明还涉及这种半导体器件制造方法。

公开(公告)号：KR101758852B1

公开(公告)日：2017-07-17

申请号：KR1020127002160

申请日：2010-07-14

申请人： 퀄컴 인코포레이티드

发明人： 니가아르드,폴에이. ,  모린,스튜어트비. ,  스투버,마이클에이.

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/78 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L29/786 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/78 ,  H01L21/84 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92142 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/45099

摘要： 본발명의실시형태들은반도체-온-절연체(SOI) 구조체들로부터의열의방산을제공한다. 일실시형태에있어서, 집적회로의제조방법이개시된다. 제 1 단계에있어서, 능동회로가 SOI 웨이퍼의활성층에형성된다. 제 2 단계에있어서, 기판재료가 SOI 웨이퍼의후면상에배치되는기판층으로부터제거된다. 제 3 단계에있어서, 절연체재료가익스커베이티드절연체영역을형성하기위해 SOI 웨이퍼의후면으로부터제거된다. 제 4 단계에있어서, 방열층이상기익스커베이티드절연체영역상에증착된다. 방열층은열전도성이고전기절연성이다.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了绝缘体上半导体（SOI）结构的散热。 在一个实施例中，公开了一种制造集成电路的方法。 在第一步中，在SOI晶片的有源层中形成有源电路。 在第二步骤中，从设置在SOI晶片的背侧上的衬底层去除衬底材料。 在第三步中，从SOI晶片的背面去除绝缘体材料以形成绝缘绝缘体区域。 在第四步中，散热器层沉积在非金属绝缘体区域上。 散热层是导热和电绝缘的。

公开(公告)号：KR101752543B1

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020150056279

申请日：2015-04-22

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 위천화 ,  천밍파 ,  뤼웬선 ,  치여우웬치 ,  차이웬칭

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/36 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L25/00 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/37 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/8203

摘要： 여기서는, 제1 기판의제1 측면상에배치된제1 재분배층(RDL)을갖는제1 다이와, 제2 기판의제1 측면상에배치된제2 RDL을갖는제2 다이를포함하며, 제1 RDL은제2 RDL에접합되어있는패키지가개시된다. 제3 RDL을갖는제3 다이는제3 기판의제1 측면상에배치되며, 제3 다이는제2 다이위에탑재되고, 제2 다이는제1 다이와제3 다이사이에배치된다. 제1 비아들은제2 기판을관통하여연장하고, 제2 기판으로부터전기적으로격리되며, 제1 비아들은각각제1 RDL 또는제2 RDL 내의도전성엘리먼트와접촉한다. 제2 비아들은제3 기판을관통하여연장하고, 제3 기판으로부터전기적으로격리되며, 제2 비아들은각각제3 RDL 내의도전성엘리먼트또는제1 비아들중 하나와접촉한다.