公开(公告)号：KR101384258B1

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：KR1020130017958

申请日：2013-02-20

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈

Inventor： 아베다카히로 ,  야마모토나오히로 ,  야마다겐타로 ,  스야마마코토 ,  후지타다이스케

IPC: C23F4/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G11B5/3163 ,  C23F4/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3909

Abstract: The present invention provides a plasma etching method of a magnetic film, which is capable of obtaining a desired etching depth regardless of a size of an opening of a mask. The plasma etching method of a magnetic film using tantalum as a mask according to the present invention includes a first process of plasma etching the magnetic film to a desired depth by using a mixture of an ammonia gas and a helium gas, and a second process of plasma etching the magnetic film etched to the desired depth by using a mixture of an ammonia gas and a gas containing oxygen or a mixture of an ammonia gas and a gas containing a hydroxyl group. [Reference numerals] (13) AITiC substrate; (AA) 12.5 degrees

Abstract translation: 本发明提供一种磁膜的等离子体蚀刻方法，其能够获得期望的蚀刻深度，而与掩模的开口尺寸无关。 根据本发明的使用钽作为掩模的磁膜的等离子体蚀刻方法包括通过使用氨气和氦气的混合物将磁性膜等离子体蚀刻到所需深度的第一工艺，以及第 通过使用氨气和含有氧的气体或氨气和含羟基的气体的混合物的混合物等离子体蚀刻蚀刻到期望深度的磁性膜。 （13）AITi基板; （AA）12.5度

公开(公告)号：KR1020130091756A

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020137005296

申请日：2011-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라겐이치 ,  하야카와다카시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/76886 ,  C23F4/00 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 마스크재(102)가 형성된 구리막(101)의 주위를, 유기 화합물 가스(22) 분위기로 하는 공정과, 유기 화합물 가스(22) 분위기 중에서, 구리막(101)에, 마스크재(102)를 마스크로 이용하여 산소 이온(6)을 조사하여, 구리막(101)을 이방성 에칭하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR101274308B1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：KR1020077027299

申请日：2006-05-10

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 이상현 ,  최대한 ,  김지수 ,  시리글리아노피터 ,  후앙지쑹 ,  카라탄로버트 ,  사드자디에스엠레자

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S438/947

Abstract: 에칭층에 피쳐를 제공하는 방법이 제공된다. 포토레지스트층이 에칭층 상에 형성된다. 포토레지스트층은, 포토레지스트 측벽을 갖는 포토레지스트 피쳐를 형성하기 위해 패터닝된다. 포토레지스트 피쳐의 바닥 및 포토레지스트층 상에 제어층이 형성된다. 포토레지스트 피쳐의 임계 치수를 감소시키기 위해, 제어층 및 포토레지스트 피쳐의 측벽 상에 등각층이 증착된다. 제어층 돌파 화학물에 의해 제어층의 개구부가 개방된다. 제어층 돌파 화학물과는 상이한 에칭 화학물에 의해 피쳐가 에칭층으로 에칭되고, 제어층은 등각층보다 에칭 화학물에 의한 에칭에 대해 더 에칭 저항적이다.
에칭, 플라즈마, 임계 치수, 포토레지스트

公开(公告)号：KR101214818B1

公开(公告)日：2012-12-24

申请号：KR1020040078027

申请日：2004-09-30

Applicant: 에이저 시스템즈 엘엘시

Inventor： 캠벨티모시에스. ,  체셔다니엘피. ,  힝클리켈리 ,  헤드그레고리에이. ,  페이텔베누비.

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23F4/00 ,  B81C1/00595 ,  H01L21/32136

Abstract: 본발명은구조물의희생층을에칭하는방법에관한것이다. 본발명에따르는구조물은희생층을에칭하기위해삼불소화질소로부터유도된플라즈마에노출된다. 본발명에따르는방법은, 질화티탄및 티탄을에칭시키지만인접한이산화규소또는알루미늄합금에는영향을미치지않는다는점에서선택적이다. 본발명에따르는방법의용도는집적회로구조물및 MEMS 구조물의형성을포함한다.

公开(公告)号：KR101196617B1

公开(公告)日：2012-11-05

申请号：KR1020060007615

申请日：2006-01-25

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 첸,시아오이 ,  그림버젠,마이클 ,  찬드라추드,마드하비 ,  트란,제프리엑스. ,  쿠마,아자이 ,  탐,시몬 ,  크리쉬나머씨,라메쉬

IPC: H01L21/027

CPC classification number: C23F4/00 ,  G03F1/30 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

Abstract: 크롬을 에칭하는 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 크롬을 에칭하는 방법은 에칭 챔버에 패터닝된층을 통해 부분적으로 노출된 크롬층을 갖는 막스택을 제공하는 단계, 프로세스 챔버에 적어도 하나의 할로겐 함유 프로세스 가스를 제공하는 단계, 600Watt 미만의 다수의 전력 펄스로 프로세싱 챔버의 기판 지지체 상에 배치된 층을 바이어싱하는 단계, 및 패터닝된 마스크를 통해 크롬층을 에칭하는 단계를 포함한다. 본 명세서에 개시된 크롬층을 플라즈마 에칭하는 방법은 포토마스크를 제조하는데 특히 적합하다.

公开(公告)号：KR1020120104214A

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：KR1020127013802

申请日：2010-10-28

Applicant: 솔베이 플루오르 게엠베하

Inventor： 리바,마르셀로 ,  므로스,스테판

IPC: C23C16/44 ,  C23G5/00 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23F4/00 ,  C23G5/00

Abstract: 고형체 표면으로부터 실리콘 하이드라이드를 제거하는 방법이며, 상기 방법은 분자형 불소 또는 분자형 불소로부터 생성되는 활성종을 포함한 가스로 고형체 표면상의 실리콘 하이드라이드를 처리하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120093187A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：KR1020127008368

申请日：2010-09-29

Applicant: 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤

Inventor： 오토마사루 ,  마츠나가히로시 ,  야마다겐지

IPC: C23F1/00 ,  C23F4/00

CPC classification number: B81C1/0092 ,  C09K13/00 ,  C23G1/26 ,  H01L21/02057 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/10 ,  C23F1/30 ,  C23F4/00

Abstract: 탄소수 12, 14 혹은 16의 알킬기를 가지는 이미다졸륨 할라이드, 탄소수 14 혹은 16의 알킬기를 가지는 피리디늄 할라이드, 탄소수 14, 16 혹은 18의 알킬기를 가지는 암모늄 할라이드, 탄소수 12, 14 혹은 16의 알킬기를 가지는 베타인 화합물, 탄소수 14, 16 혹은 18의 알킬기를 가지는 아민 옥사이드 화합물 중에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 금속 미세 구조체의 패턴 도괴 억제용 처리액 및 이것을 이용한 금속 미세 구조체의 제조 방법이다.

公开(公告)号：KR101041049B1

公开(公告)日：2011-06-13

申请号：KR1020040056832

申请日：2004-07-21

Applicant: 캐논 아네르바 가부시키가이샤

Inventor： 고다이라요시미츠 ,  히로미다이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F4/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/308 ,  H01J2237/3343 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49052

Abstract: 비유기 재료로 이루어진 마스크재를 이용하여 자성 재료를 에칭하는 경우에, 애프터 코로젼 처리, 에칭 장치에 대한 내부식성 대책이 불필요하고, 자기 특성을 열화시켜 버리는 에칭 데미지를 감소시킬 수 있는 드라이 에칭 방법을 제안한다.
에칭 가스로서 수산기를 적어도 1개 이상 갖는 알콜을 이용하여, 해당 에칭 가스의 플라즈마를 형성하고, 비유기계 재료로 이루어진 마스크재를 이용하여 자성 재료를 드라이 에칭하는 방법. 수산기를 1개 갖는 알콜이 에칭 가스로서 이용되는 경우, 해당 에칭 가스는, 메탄올(CH
3 0H), 에탄올(C
2 H
5 0H), 프로판올(C
3 H
7 0H)로 이루어진 군으로부터 선택된 알콜이다.

드라이 에칭, 자성 재료, 마스크재료, 에칭 가스, 에칭 데미지

公开(公告)号：KR1020110028729A

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：KR1020090086298

申请日：2009-09-14

Applicant: 에스케이실트론 주식회사

Inventor： 구영수

IPC: C23F1/18 ,  C23F17/00

CPC classification number: H01L21/302 ,  C23F4/00 ,  C23F11/08 ,  C23G1/081 ,  C23G1/086

Abstract: PURPOSE: A method and a device for processing a wire for a wire saw are provided to prevent a wafer from being contaminated during a slicing process by eliminating a copper layer from the surface of a wire. CONSTITUTION: A method for processing a wire for a wire saw is as follows. A copper layer on the surface of a wire(10,11,12) is eliminated by supplying a processing liquid(210) to the wire. The wire, in which the surface is processed, is washed. The washed wire is dried. A rush inhibitor is supplied to the dried wire in order to prevent the surface of the wire from being oxidized.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理线锯的线材的方法和装置，以通过从线表面去除铜层来防止在切片过程中晶片被污染。 构成：用于处理线锯的线的方法如下。 通过向线材供应处理液体（210）来消除线（10,11,12）表面上的铜层。 表面被处理的线被洗涤。 经过清洗的丝线被干燥。 为了防止电线的表面被氧化，向干燥的电线提供急速抑制剂。

公开(公告)号：KR1020100138819A

公开(公告)日：2010-12-31

申请号：KR1020100059525

申请日：2010-06-23

Applicant: 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈

Inventor： 오카시사미 ,  르방-조댕뤼시 ,  살로라파엘

IPC: C23F4/00 ,  B03C11/00

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01M10/052 ,  H01M10/058 ,  Y02E60/122

Abstract: PURPOSE: A metal lithium removing method is provided to safely remove metal lithium after metal lithium is transformed into Li2CO3(Lithium Carbonate) which is stable in air and water. CONSTITUTION: A metal lithium removing method comprises a plasma applying step and a lithium carbonate dissolution step. The plasma is formed from a carbon source and an oxygen source. The metal lithium is transformed into the lithium carbonate. The lithium carbonate is dissolved in the aqueous solution.

Abstract translation: 目的：提供一种金属锂去除方法，用于在金属锂转化成在空气和水中稳定的Li2CO3（碳酸锂）之后安全地去除金属锂。 构成：金属锂除去方法包括等离子体施加工序和碳酸锂溶解工序。 等离子体由碳源和氧源形成。 将金属锂转化为碳酸锂。 将碳酸锂溶解在水溶液中。