公开(公告)号：KR20180029865A

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：KR20170110755

申请日：2017-08-31

申请人： LAM RES CORPORATION

发明人： XAVIER ANTONIO ,  GOZA STEVEN ,  CHANDRASEKHARAN RAMESH ,  LAVOIE ADRIEN ,  NESMITH JOSEPH

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

摘要： 기판프로세싱시스템의펌핑배기시스템에서배출물축적을감소시키기위한방법은, 기판처리프로세스동안, 프로세싱챔버내에서기판지지부상에기판을배치하는단계; 하나이상의프로세스가스들을프로세싱챔버로공급하는단계; 제 1 플로우레이트로불활성희석가스를펌핑배기시스템으로공급하는단계; 프로세싱챔버내의기판상에서기판처리를수행하는단계; 펌핑배기시스템을사용하여프로세싱챔버로부터반응물질들을배기하는단계를포함한다. 방법은, 기판처리프로세스후에, 세정프로세스동안프로세싱챔버내에서세정가스를포함한세정플라즈마를공급하는단계; 및세정프로세스동안제 1 플로우레이트미만인제 2 플로우레이트로불활성희석가스를펌핑배기시스템으로공급하는단계를포함한다.

摘要翻译： 一种用于减少衬底处理系统的泵送排气系统中的流出物累积的方法包括：在衬底处理工艺期间，将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上; 向处理室供应一种或多种处理气体; 以第一流量向所述泵送排气系统供应惰性稀释气体; 在处理室中的基板上进行基板处理; 使用泵送排气系统从处理室排出反应物。 该方法包括：在基板处理过程之后，在清洁过程期间在处理腔室中供应包括清洁气体的清洁等离子体; 以及在清洁过程期间以小于第一流量的第二流量将惰性稀释气体供应到泵送排气系统。

公开(公告)号：KR101758944B1

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：KR1020127013775

申请日：2010-12-09

申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드

发明人： 아쉬티아닌,카이한 ,  우드,미셜 ,  드루베리,존 ,  쇼다,나오히로 ,  반슈라벤디즈크,바르트 ,  니탈라,락쉬미나라야나 ,  드래게르,네리싸

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02274 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/76224

摘要： 유동성산화물필름및 고밀도플라즈마화학기상증착산화물 (HDP 산화물) 필름둘 모두를증착하는것을포함하는신규한갭 충진방법이제공된다. 다양한구체예에따르면, 유동성산화물필름은희생층및/또는보텀-업갭 충진을위한물질로서사용될수 있다. 일부구체예에서, 충진된갭의상단표면은 HDP 산화물필름이다. 결과적인충진된갭은단지 HDP 산화물필름으로충진되거나또는 HDP 산화물과유동성산화물필름의조합으로충진될수 있다. 방법은개선된탑헷감소를제공하며갭을정의하는구조물의클립핑을방지한다.

摘要翻译： 提供了一种新型的间隙填充方法，包括沉积可流动氧化物膜和高密度等离子体化学气相沉积氧化物（HDP氧化物）膜。 根据各种实施例，可流动氧化物膜可以用作用于牺牲层和/或自底向上间隙填充的材料。 在一些实施例中，填充间隙的顶部表面是HDP氧化物膜。 得到的填充间隙可以仅用HDP氧化膜填充或用HDP氧化物和可流动氧化膜的组合填充。 该方法提供改进的顶帽缩小并防止限定间隙的结构的剪切。

公开(公告)号：KR1020170023727A

公开(公告)日：2017-03-06

申请号：KR1020160106811

申请日：2016-08-23

申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.

发明人： 스즈키토시야 ,  포어빌자미제이. ,  천샹 ,  야마다료코 ,  이시카와다이 ,  남바쿠니토시

IPC分类号： H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274

摘要： 고압하에서반응공간내에서기판상에실리콘질화물박막들을형성하는방법들이제공된다. 상기방법들은복수의플라즈마강화원자층퇴적(plasma enhanced atomic layer deposition, PEALD) 사이클들을포함할수 있고, 적어도하나의 PEALD 퇴적사이클은, 상기반응공간내에서 20 Torr 내지 500 Torr의공정압력에서상기기판을질소플라즈마와접촉시키는단계를포함한다. 일부실시예들에서, 상기실리콘전구체는 HSiI와같은실릴할라이드이다. 일부실시예들에서, 상기공정들은 3차원구조물들상에향상된특성들을갖는실리콘질화물막들의퇴적을허용한다. 예를들어, 이러한실리콘질화물막들은희석된 HF 내에서상기상부표면들대 측벽들상에서약 1:1인습식식각율들의비율을가질수 있다.

摘要翻译： 提供了在高压反应空间中的基板上形成氮化硅薄膜的方法。 这些方法可以包括多个等离子体增强原子层沉积（PEALD）循环，其中至少一个PEALD沉积循环包括在反应空间内以20Torr至500Torr的工艺压力使基板与氮等离子体接触。 在一些实施方案中，硅前驱物为卤化物，如H 2 SiI 2。 在一些实施方案中，该方法允许在三维结构上沉积具有改进性质的氮化硅膜。 例如，这样的氮化硅膜可以具有在稀HF中约1:1的顶表面与侧壁的湿蚀刻速率的比率。

公开(公告)号：KR1020160118968A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：KR1020160039946

申请日：2016-04-01

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 다넥미첼 ,  헨리존 ,  탱셰인

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/32 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136

摘要： ALD (atomic layer deposition) 동안할로겐함유에천트를사용하여컨포멀한막들을증착하기위한방법들이제공된다. 방법들은기판을제 1 전구체에노출시키는단계와기판을제 2 플라즈마-활성화된반응물질에노출시키는단계사이에질소트리플루오라이드와같은할로겐함유에천트에기판을노출시키는단계를수반한다. 증착될수도있는컨포멀한막들의예들은실리콘함유막들및 금속함유막들을포함한다. 관련된장치들이또한제공된다.

公开(公告)号：KR1020150084890A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：KR1020157014819

申请日：2013-11-11

申请人： 롱이튜드 쎄미컨덕터 에스.에이.알.엘.

发明人： 우난

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10885 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10894

摘要： 반도체장치는, 반도체기판상의메모리셀 영역에배치된비트선및 반도체기판상의주변회로영역에배치된주변회로용트랜지스터의게이트전극을가진다. 게이트전극의측면에는복수층의사이드월절연막이설치되며, 비트선의측면에는단층의사이드월절연막이설치되어있다.

公开(公告)号：KR1020140114762A

公开(公告)日：2014-09-29

申请号：KR1020140026180

申请日：2014-03-05

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 ,  레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드

发明人： 히로세,요시로 ,  미즈노,노리카즈 ,  야나기타,가즈타카 ,  오쿠보,신고

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234

摘要： The present invention is to prevent the use of a catalyst gas while maintaining a layer formation rate. A method of manufacturing semiconductor according to the present invention includes a process of forming an oxide layer on a substrate by performing a cycle for preset times which includes a process of supplying a raw material gas to the substrate and a process of supplying ozone gas to the substrate. In the process of supplying the raw material gas, the raw material gas is supplied to the substrate when the catalyst gas is not supplied to the substrate. In the process of the supplying the ozone gas, the ozone gas is supplied to the substrate when an amine-based catalyst gas is supplied to the substrate.

摘要翻译： 本发明是为了防止使用催化剂气体同时保持层形成速率。 根据本发明的制造半导体的方法包括通过执行预定时间的循环来在基板上形成氧化物层的工艺，该循环包括向基板供应原料气体的过程以及向基板供应臭氧气体的过程 基质。 在供给原料气体的过程中，当催化剂气体未被供给到基板时，原料气体被供给至基板。 在供给臭氧气体的过程中，当向基板供应胺系催化剂气体时，向基板供给臭氧气体。

公开(公告)号：KR1020060077751A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：KR1020040117283

申请日：2004-12-30

申请人： 에스케이하이닉스 주식회사

发明人： 김해원 ,  조호진 ,  이금범

IPC分类号： H01L27/04

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3215

摘要： 본 발명은 반도체 소자의 커패시터 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명은 소정의 하부구조를 가지는 반도체 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계와, 상기 하부 전극에 도펀트를 도핑하는 단계와, 상기 도펀트가 도핑된 상기 하부 전극 표면을 질화하는 단계와, 상기 질화된 하부 전극 상에 비정질의 Hf
1-x Si
x O
2 유전층을 증착하는 단계와, 상기 Hf
1-x Si
x O
2 유전층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 커패시터 형성 방법을 제공한다.
커패시터, 고유전막, 누설전류, 버퍼막

摘要翻译： 本发明涉及形成于半导体器件中的电容器，本发明是一种形成具有给定基础设施的半导体衬底上的下电极和包括以下步骤的步骤：掺杂在下部电极上的掺杂剂，其中掺杂剂是掺杂 氮化下电极表面;形成无定形Hf

公开(公告)号：KR100593659B1

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：KR1020040056865

申请日：2004-07-21

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 진범준 ,  박홍배 ,  강상범 ,  신유균

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02148 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

摘要： 원자층 적층 방법에 있어서, 제1 반응 물질로서 TEMAH를 기판의 상부로 도입한 후, 상기 제1 반응 물질의 제1 부분은 상기 기판 상에 화학 흡착시키고, 제2 부분은 물리 흡착시킨다. 이어서, 상기 제1 반응 물질의 제1 부분과 상기 산화제를 화학적으로 반응시킨다. 그 결과, 상기 기판 상에는 하프늄-산화물을 함유하는 제1 고상 물질이 형성된다. 계속해서, 제2 반응 물질로서 TEMAS를 상기 제1 고상 물질의 상부로 도입한 후, 상기 제2 반응 물질의 제1 부분은 상기 제1 고상 물질 상에 화학 흡착시키고, 제2 부분은 물리 흡착시킨다. 이어서, 상기 제2 반응 물질의 제1 부분과 상기 산화제를 화학적으로 반응시킨다. 그 결과, 상기 제1 고상 물질 상에는 실리콘-산화물을 함유하는 제2 고상 물질이 형성된다. 이에 따라, 상기 기판 상에는 하프늄-실리콘-산화물을 함유하는 고체 박막 즉, 하프늄 실리콘 산화막이 형성된다.

公开(公告)号：KR1020020033577A

公开(公告)日：2002-05-07

申请号：KR1020010067185

申请日：2001-10-30

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 가이야드프레드릭 ,  씨아리-쿤 ,  이에엘리 ,  피셔폴 ,  디네마니스리니바스

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76828 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76835

摘要： PURPOSE: A method for forming an organosilicate layer is provided to easily control the dielectric constant of the organosilicate layer by controlling the reaction temperature. CONSTITUTION: A substrate is positioned in a deposition chamber. A gas mixture is then provided to the deposition chamber, wherein the gas mixture comprises an organosilane compound and an oxygen-containing gas. By applying an electric field to the gas mixture in the deposition chamber, an organosilicate layer is formed on the substrate. At this time, the organosilane compound has the general formula SiaCbHcOd where a has a range between 1 and 2, b has a range between 1 and 10, c has a range between 6 and 30, and d has a range between 0 and 6.

摘要翻译： 目的：提供形成有机硅酸盐层的方法，通过控制反应温度来容易地控制有机硅酸盐层的介电常数。 构成：衬底位于沉积室中。 然后将气体混合物提供到沉积室，其中气体混合物包含有机硅烷化合物和含氧气体。 通过对沉积室中的气体混合物施加电场，在衬底上形成有机硅酸盐层。 此时，有机硅烷化合物具有通式SiaCbHcOd，其中a具有1和2之间的范围，b具有在1和10之间的范围，c在6和30之间，d在0和6之间的范围。

公开(公告)号：KR1020010106905A

公开(公告)日：2001-12-07

申请号：KR1020000027965

申请日：2000-05-24

申请人： 주성엔지니어링(주)

发明人： 김형준 ,  김윤해 ,  이영석

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/4558 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633

摘要： 반도체 소자의 배선구조를 이루는데 사용되는 저유전율 SiOC 박막을 형성하는 방법에 관해 개시하고 있다. 본 발명의 SiOC 박막 형성방법은, CVD 반응챔버 내에 기판을 위치시키고, 실리콘과 탄소의 소스로서 비스-트리메틸시릴메탄을, 산소의 소스로서 산소함유가스를 상기 반응챔버 내에 각각 공급하여 CVD 공정을 진행하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법과 같이 비스-트리메틸시릴메탄 소스를 이용하여 SiOC 박막을 형성할 경우, 형성된 SiOC 박막 내의 실리콘 원자 사이에 CH
2 가 강하게 결합되기 때문이 우수한 막질을 갖는 SiOC 박막을 형성할 수 있다. 따라서, 반도체 소자의 배선구조를 개선하여 우수한 특성의 반도체 소자를 제조하는 데 도움을 준다.