公开(公告)号：KR101459198B1

公开(公告)日：2014-11-07

申请号：KR1020127016899

申请日：2010-12-07

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 보마크티 ,  가니타히르 ,  라할-오라비나디아엠 ,  조시수바시 ,  슈타이거왈드조셉엠 ,  클라우스제이슨더블유 ,  황잭 ,  맥키윅즈라이언

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 트랜지스터는 기판, 기판 상의 스페이서의 쌍, 기판 상 및 스페이서의 쌍 사이의 유전체층, 게이트 유전체층 상 및 스페이서의 쌍 사이의 게이트 전극층, 게이트 전극층 상 및 스페이서의 쌍 사이의 절연 캡층과, 스페이서의 쌍에 인접한 확산 영역의 쌍을 포함한다. 절연 캡층은 에칭 중단 구조를 형성하고 이는 게이트에 대해 자가 정렬되고 콘택 에칭이 게이트 전극을 노출시키는 것으로부터 방지하며, 이렇게 함으로써 게이트와 콘택 사이의 단락을 방지한다. 절연 캡층은 자가 정렬된 콘택이, 더 넓은 콘택의 초기 패터닝을 허용하는 것을 가능하게 하고 이는 패터닝 제한에 대해 더 강건하다.

摘要翻译： 晶体管是邻近于所述介电层，所述栅极介电层和栅电极层，栅极电极层相和帽层和一对间隔件的一对所述一对基板，在基板上的一对间隔物，所述基板和所述一对间隔物之间​​的间隔件之间的间隔的间绝缘 还有一对扩散区域。 绝缘覆盖层，以形成蚀刻停止结构，其被自对准到栅极接触防止被蚀刻以露出栅电极，以及通过这种方式，防止在栅极与触点之间的短路。 绝缘帽层可以实现自对准触点，从而允许对较宽触点进行初始图案化，这对图案化约束更加稳健。

公开(公告)号：KR1020130140231A

公开(公告)日：2013-12-23

申请号：KR1020137033304

申请日：2010-12-07

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 보마크티 ,  가니타히르 ,  라할-오라비나디아엠 ,  조시수바시 ,  슈타이거왈드조셉엠 ,  클라우스제이슨더블유 ,  황잭 ,  맥키윅즈라이언

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

摘要： 트랜지스터는 기판, 기판 상의 스페이서의 쌍, 기판 상 및 스페이서의 쌍 사이의 유전체층, 게이트 유전체층 상 및 스페이서의 쌍 사이의 게이트 전극층, 게이트 전극층 상 및 스페이서의 쌍 사이의 절연 캡층과, 스페이서의 쌍에 인접한 확산 영역의 쌍을 포함한다. 절연 캡층은 에칭 중단 구조를 형성하고 이는 게이트에 대해 자가 정렬되고 콘택 에칭이 게이트 전극을 노출시키는 것으로부터 방지하며, 이렇게 함으로써 게이트와 콘택 사이의 단락을 방지한다. 절연 캡층은 자가 정렬된 콘택이, 더 넓은 콘택의 초기 패터닝을 허용하는 것을 가능하게 하고 이는 패터닝 제한에 대해 더 강건하다.

公开(公告)号：KR102254439B1

公开(公告)日：2021-05-20

申请号：KR1020207037113

申请日：2010-12-07

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 보마크티 ,  가니타히르 ,  라할-오라비나디아엠 ,  조시수바시 ,  슈타이거왈드조셉엠 ,  클라우스제이슨더블유 ,  황잭 ,  맥키윅즈라이언

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L29/08 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

摘要： 트랜지스터는기판, 기판상의스페이서의쌍, 기판상 및스페이서의쌍 사이의유전체층, 게이트유전체층상 및스페이서의쌍 사이의게이트전극층, 게이트전극층상 및스페이서의쌍 사이의절연캡층과, 스페이서의쌍에인접한확산영역의쌍을포함한다. 절연캡층은에칭중단구조를형성하고이는게이트에대해자가정렬되고콘택에칭이게이트전극을노출시키는것으로부터방지하며, 이렇게함으로써게이트와콘택사이의단락을방지한다. 절연캡층은자가정렬된콘택이, 더넓은콘택의초기패터닝을허용하는것을가능하게하고이는패터닝제한에대해더 강건하다.

公开(公告)号：KR101685886B1

公开(公告)日：2016-12-12

申请号：KR1020167003449

申请日：2010-12-07

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 보마크티 ,  가니타히르 ,  라할-오라비나디아엠 ,  조시수바시 ,  슈타이거왈드조셉엠 ,  클라우스제이슨더블유 ,  황잭 ,  맥키윅즈라이언

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 트랜지스터는기판, 기판상의스페이서의쌍, 기판상 및스페이서의쌍 사이의유전체층, 게이트유전체층상 및스페이서의쌍 사이의게이트전극층, 게이트전극층상 및스페이서의쌍 사이의절연캡층과, 스페이서의쌍에인접한확산영역의쌍을포함한다. 절연캡층은에칭중단구조를형성하고이는게이트에대해자가정렬되고콘택에칭이게이트전극을노출시키는것으로부터방지하며, 이렇게함으로써게이트와콘택사이의단락을방지한다. 절연캡층은자가정렬된콘택이, 더넓은콘택의초기패터닝을허용하는것을가능하게하고이는패터닝제한에대해더 강건하다.

摘要翻译： 晶体管包括衬底，衬底上的一对间隔物，衬底上的栅介质层和一对间隔物之间​​，栅极电介质层上的栅电极层和一对衬垫之间的绝缘帽层 栅极电极层和一对间隔物之间​​，以及与该对间隔物相邻的一对扩散区域。 绝缘盖层形成了与栅极自对准的防蚀结构，并防止接触蚀刻暴露栅电极，从而防止栅极和接触之间的短路。 绝缘体盖层能够进行自对准触点，允许对图案化限制更坚固的较宽触点的初始图案化。

公开(公告)号：KR1020160138584A

公开(公告)日：2016-12-05

申请号：KR1020167032674

申请日：2010-12-07

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 보마크티 ,  가니타히르 ,  라할-오라비나디아엠 ,  조시수바시 ,  슈타이거왈드조셉엠 ,  클라우스제이슨더블유 ,  황잭 ,  맥키윅즈라이언

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 트랜지스터는기판, 기판상의스페이서의쌍, 기판상 및스페이서의쌍 사이의유전체층, 게이트유전체층상 및스페이서의쌍 사이의게이트전극층, 게이트전극층상 및스페이서의쌍 사이의절연캡층과, 스페이서의쌍에인접한확산영역의쌍을포함한다. 절연캡층은에칭중단구조를형성하고이는게이트에대해자가정렬되고콘택에칭이게이트전극을노출시키는것으로부터방지하며, 이렇게함으로써게이트와콘택사이의단락을방지한다. 절연캡층은자가정렬된콘택이, 더넓은콘택의초기패터닝을허용하는것을가능하게하고이는패터닝제한에대해더 강건하다.

公开(公告)号：KR101987928B1

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：KR1020187027315

申请日：2010-12-07

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 보마크티 ,  가니타히르 ,  라할-오라비나디아엠 ,  조시수바시 ,  슈타이거왈드조셉엠 ,  클라우스제이슨더블유 ,  황잭 ,  맥키윅즈라이언

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR1020150080635A

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：KR1020157016332

申请日：2010-12-07

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 보마크티 ,  가니타히르 ,  라할-오라비나디아엠 ,  조시수바시 ,  슈타이거왈드조셉엠 ,  클라우스제이슨더블유 ,  황잭 ,  맥키윅즈라이언

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 트랜지스터는기판, 기판상의스페이서의쌍, 기판상 및스페이서의쌍 사이의유전체층, 게이트유전체층상 및스페이서의쌍 사이의게이트전극층, 게이트전극층상 및스페이서의쌍 사이의절연캡층과, 스페이서의쌍에인접한확산영역의쌍을포함한다. 절연캡층은에칭중단구조를형성하고이는게이트에대해자가정렬되고콘택에칭이게이트전극을노출시키는것으로부터방지하며, 이렇게함으로써게이트와콘택사이의단락을방지한다. 절연캡층은자가정렬된콘택이, 더넓은콘택의초기패터닝을허용하는것을가능하게하고이는패터닝제한에대해더 강건하다.

摘要翻译： 晶体管包括衬底，衬底上的一对间隔物，衬底上的栅介质层和一对间隔物之间​​，栅极电介质层上的栅电极层和一对衬垫之间的绝缘帽层 栅极电极层和一对间隔物之间​​，以及与该对间隔物相邻的一对扩散区域。 绝缘盖层形成了与栅极自对准的防蚀结构，并防止接触蚀刻暴露栅电极，从而防止栅极和接触之间的短路。 绝缘体盖层能够进行自对准触点，允许对图案化限制更坚固的较宽触点的初始图案化。

公开(公告)号：KR101510034B1

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020137033304

申请日：2010-12-07

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 보마크티 ,  가니타히르 ,  라할-오라비나디아엠 ,  조시수바시 ,  슈타이거왈드조셉엠 ,  클라우스제이슨더블유 ,  황잭 ,  맥키윅즈라이언

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 트랜지스터는기판, 기판상의스페이서의쌍, 기판상 및스페이서의쌍 사이의유전체층, 게이트유전체층상 및스페이서의쌍 사이의게이트전극층, 게이트전극층상 및스페이서의쌍 사이의절연캡층과, 스페이서의쌍에인접한확산영역의쌍을포함한다. 절연캡층은에칭중단구조를형성하고이는게이트에대해자가정렬되고콘택에칭이게이트전극을노출시키는것으로부터방지하며, 이렇게함으로써게이트와콘택사이의단락을방지한다. 절연캡층은자가정렬된콘택이, 더넓은콘택의초기패터닝을허용하는것을가능하게하고이는패터닝제한에대해더 강건하다.

公开(公告)号：KR1020140119201A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020147025871

申请日：2010-12-07

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 보마크티 ,  가니타히르 ,  라할-오라비나디아엠 ,  조시수바시 ,  슈타이거왈드조셉엠 ,  클라우스제이슨더블유 ,  황잭 ,  맥키윅즈라이언

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/7812 ,  H01L29/7813

摘要： 트랜지스터는 기판, 기판 상의 스페이서의 쌍, 기판 상 및 스페이서의 쌍 사이의 유전체층, 게이트 유전체층 상 및 스페이서의 쌍 사이의 게이트 전극층, 게이트 전극층 상 및 스페이서의 쌍 사이의 절연 캡층과, 스페이서의 쌍에 인접한 확산 영역의 쌍을 포함한다. 절연 캡층은 에칭 중단 구조를 형성하고 이는 게이트에 대해 자가 정렬되고 콘택 에칭이 게이트 전극을 노출시키는 것으로부터 방지하며, 이렇게 함으로써 게이트와 콘택 사이의 단락을 방지한다. 절연 캡층은 자가 정렬된 콘택이, 더 넓은 콘택의 초기 패터닝을 허용하는 것을 가능하게 하고 이는 패터닝 제한에 대해 더 강건하다.

摘要翻译： 晶体管包括衬底，衬底上的一对间隔物，衬底上的栅介质层和一对间隔物之间​​，栅极电介质层上的栅电极层和一对衬垫之间的绝缘帽层 栅极电极层和一对间隔物之间​​，以及与该对间隔物相邻的一对扩散区域。 绝缘盖层形成了与栅极自对准的防蚀结构，并防止接触蚀刻暴露栅电极，从而防止栅极和接触之间的短路。 绝缘体盖层能够进行自对准触点，允许对图案化限制更坚固的较宽触点的初始图案化。

公开(公告)号：KR102115127B1

公开(公告)日：2020-05-25

申请号：KR1020197016116

申请日：2010-12-07

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 보마크티 ,  가니타히르 ,  라할-오라비나디아엠 ,  조시수바시 ,  슈타이거왈드조셉엠 ,  클라우스제이슨더블유 ,  황잭 ,  맥키윅즈라이언

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L29/08 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/3205