나노 박막의 두께 방향 열전도도 측정 방법
    5.
    发明授权
    나노 박막의 두께 방향 열전도도 측정 방법 有权
    计算纳米级薄膜的横截面热导率的方法

    公开(公告)号:KR101682998B1

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:KR1020150106117

    申请日:2015-07-27

    摘要: 본발명의일 실시예는기판상에나노박막을배치하는단계; 상기나노박막을주사탐침열현미경(scanning thermal microscope, SThM)의탐침(thermoelectric probe)으로가열하는단계; 상기탐침에높이방향의변위가발생하면, 상기탐침으로부터상기나노박막으로전달된열량과, 상기탐침과접촉하고있던상기나노박막의일 면상의온도를산출하는단계; 및상기탐침으로부터상기나노박막으로전달된열량및 상기탐침과접촉하고있던상기나노박막의일 면상의온도를이용하여, 상기나노박막의두께방향열전도도를측정하는단계;를포함하는, 나노박막의두께방향열전도도측정방법을개시한다.

    롤 스탬프의 접촉변위 제어장치
    8.
    发明授权
    롤 스탬프의 접촉변위 제어장치 有权
    滚印机接触位移控制装置

    公开(公告)号:KR101813145B1

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:KR1020160132260

    申请日:2016-10-12

    IPC分类号: B41F33/00 B41F16/00

    CPC分类号: B41F16/00 B41F17/14 B41F33/00

    摘要: 본발명은기판에서소자를전사받거나또는기판에소자를전사하는과정에서롤 스탬프와기판사이의간격을균일하게유지시키는롤 스탬프의접촉변위제어장치에관한것으로서, 롤스탬프와, 높이조절부와, 센서부와, 제어부를포함한다. 롤스탬프는기판의전사면상에배치되어기판의이송속도와대응되는속도로회전한다. 높이조절부는롤 스탬프에장착되어롤 스탬프의높이를조절한다. 센서부는기판이접근하는롤 스탬프의전방에배치되고, 기판의전사면에존재하는하부전사점까지의표면거리와, 롤스탬프가회전되면서하부전사점과만나는롤 스탬프의상부전사점까지의측부거리를각각측정한다. 제어부는측부거리를이용하여롤 스탬프의축 중심으로부터상부전사점까지의반경거리을산출하고, 하부전사점과상부전사점이서로만나는시점에표면거리와반경거리의차이인접촉변위만큼롤 스탬프의높이가조절되도록높이조절부를제어한다.

    摘要翻译: 本发明涉及一种用于辊邮票的接触位移控制装置均匀地保持辊印模和在传送设备接收或从衬底或基板上,卷邮票和一个高度调节单元传送所述元件的工序中的基板之间的间隙中, 一个传感器单元和一个控制单元。 辊印设置在基板的转印表面上并且以与基板的转印速度相对应的速度旋转。 高度调节器安装在辊印模上以调节辊印的高度。 所述传感器构件布置在辊印模基板的前面是可访问的,表面距离kkajiui存在于基板的转印面和辊印记下转移点是侧面街道而转动每一kkajiui交点与下部转移点的辊压模的上转移点 据测定。 所述控制单元,从而利用从辊邮票的轴向中心侧的距离,和所述表面距离的高度和通过辊印模接触位移差半径georiui在较低转印点的时间调整,并且上层的搬运点算出的上转移点kkajiui半径georieul彼此相遇 由此控制高度调节部分。

    마이크로 소자 전사방법 및 마이크로 소자 전사방법으로 제조된 마이크로 소자 기판
    9.
    发明授权
    마이크로 소자 전사방법 및 마이크로 소자 전사방법으로 제조된 마이크로 소자 기판 有权
    采用微器件转移法和微器件转移法制造的微器件衬底

    公开(公告)号:KR101800367B1

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:KR1020160107759

    申请日:2016-08-24

    摘要: 본발명은마이크로소자전사방법에관한것으로서, 가압단계와, 제 1 점착력형성단계와, 제 2 점착력형성단계와, 이형단계를포함한다. 가압단계는점착층에마이크로소자가부착된캐리어필름과, 금속전극위에솔더가도포된기판을접촉시켜가압한다. 제 1 점착력형성단계는가압단계에의해마이크로소자와금속전극사이에배치된솔더가눌리면서마이크로소자와솔더간의제 1 점착력이형성된다. 제 2 점착력형성단계는가압단계에의하여마이크로소자가점착층에압입되어접합되면서마이크로소자와점착층간의제 2 점착력이형성된다. 이형단계는마이크로소자가솔더에점착된상태로캐리어필름을기판으로부터이형시킨다. 제 2 점착력의크기는마이크로소자가점착층에압입되는압입깊이에비례하고, 제 2 점착력이제 1 점착력보다작게형성되는범위내에서점착층에대한마이크로소자의압입깊이가형성된다.

    摘要翻译: 本发明包括,加压步骤,一第一形成步骤和粘合强度,粘合强度,以形成一个第二步骤中,释放步骤涉及一种微型器件的转移方法。 在压制步骤中,其上附着有微型器件的载体膜和其上涂覆有焊料的基板被压在粘合剂层上。 第一粘合力形成步骤焊料nulrimyeonseo微元件和设置在所述微装置并通过所述按压工序的金属电极之间的焊料之间形成的第一粘合强度。 微元件由压接工序压入粘合剂层中形成的微元件和压敏粘合剂层的第二粘合强度的第二粘合形成工序。 释放步骤使微装置粘附到焊料上,从基底释放载体膜。 的第二粘合强度的大小正比于压痕深度是微器件被压入粘合剂层,形成在第二粘合强度现在压在微元件,用于与第一粘合强度,形成更小的范围内的压敏粘合剂层的深度。