公开(公告)号：KR101916088B1

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：KR1020120034044

申请日：2012-04-02

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김영룡 ,  장재권

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0214 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： 반도체패키지를제공한다. 반도체패키지는, 기판패드를포함하는회로기판, 회로기판과마주하며이격되어배치되며, 칩패드를포함하는반도체칩 및회로기판및 반도체칩을전기적으로연결하는연결패턴을포함한다. 반도체칩은, 상기반도체칩 내에, 반도체칩의상면에대하여수직하게배치되는다수의제1 회로패턴들과, 칩패드및 제1 회로패턴들을전기적으로연결하는제1 비아를포함한다. 칩패드는, 연결패턴이접촉되는제1 영역및 제1 영역의외각의제2 영역을포함하되, 제1 비아는상기제2 영역에연결된다.

公开(公告)号：KR101870572B1

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：KR1020170064252

申请日：2017-05-24

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 쳉리휘 ,  챠이포하오 ,  린징쳉

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/768 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/18 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 반도체장치들을패키징하는방법들및 패키지화된반도체장치들이개시된다. 일부실시예들에서, 반도체장치패키징방법은관통비아들을절연물질에연결시키는단계를포함하고, 복수의관통비아들의각각이제 1 폭을포함한다. 다이들이절연물질에연결된다. 관통비아들의각각에근접하여절연물질의부분이제거된다. 상기제거된복수의관통비아들의각각에근접한절연물질의부분이제 2 폭을가지고, 상기제 2 폭은제 1 폭보다좁다.

公开(公告)号：KR101840846B1

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：KR1020120015238

申请日：2012-02-15

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 이호진 ,  이규하 ,  최길현 ,  최용순 ,  강필규 ,  박병률 ,  정현수

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은관통전극을갖는반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 기판의상면에서부터상기기판의하면을향해연장된관통전극을형성하고, 상기관통전극과상기기판사이에비아절연막을형성하고, 상기기판의하면을리세스하여상기기판의리세스된하면밖으로상기관통전극을돌출시키고, 상기기판의리세스된하면상에상기돌출된관통전극을덮지않는제1 하부절연막을형성하고, 그리고상기관통전극을노출시키는것을포함할수 있다. 제1 하부절연막은유동성화학기상증착막일수 있다.

摘要翻译： 本发明的基材涉及一种半导体器件及其制造具有贯通电极相同的方法，从所述衬底的所述上表面上和形成通孔，根据向所述基板延伸，通过绝缘层的贯通电极和基板之间，以形成， 根据当凹陷的工序中的基板律伸出的贯通电极出和基板时忠诚的处理，以形成第一下部绝缘膜不覆盖通孔的突出上，并暴露所述贯通电极 它可以包含。 第一下绝缘膜可以是流体化学气相沉积膜。

公开(公告)号：KR20180010190A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：KR20177033400

申请日：2016-05-19

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81

摘要： 패키지는, 인터커넥트들(132)을갖는기판및 인터커넥트들에커플링된제1 컴포넌트(133)를갖는구조체(130)에인접하는다이(110)를포함한다. 기판은다이의면에대하여 10도초과의각도로배향된다. 다이(110)는페이스업 또는페이스다운될수 있다. 패키지는구조체의인터커넥트들(132)에다이를커플링하는제1 재분배층(150) 및다이(110)를적어도부분적으로커버하는몰드화합물(120)을포함한다.

摘要翻译： 该封装包括接触具有衬底的结构130的管芯110，该衬底具有互连132以及耦合到互连的第一部件133。 衬底的取向与芯片平面成10度角。 模具110可以面朝上或面朝下。 封装包括将结构的互连132耦合到其的第一重新分布层150和至少部分地覆盖管芯110的模制化合物120。

公开(公告)号：KR101817966B1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：KR1020150111692

申请日：2015-08-07

申请人： 전자부품연구원

发明人： 김건년 ,  박광범 ,  김원효 ,  곽연화

IPC分类号： G01L1/22 ,  H01L21/768

CPC分类号： G01L1/2287 ,  G01L1/205 ,  G01L1/22 ,  H01L21/768

摘要： 본발명은플렉서블촉각센서및 이의제조방법에관한것으로, 플렉서블촉각센서는폴리머층, 상기폴리머층의상부에형성된제1 금속층, 상기제1 금속층의상부에형성되고변형에따라저항값이변화하는스트레인게이지와상기스트레인게이지에연결된금속배선을포함하는제1 센서층, 상기제1 센서층을보호하는제1 커버층, 상기폴리머층의하부에형성된제2 금속층, 상기제2 금속층의하부에형성되고변형에따라저항값이변화하는스트레인게이지와상기스트레인게이지에연결된금속배선을포함하는제2 센서층 및상기제2 센서층을보호하는제2 커버층을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170124016A

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：KR1020160053522

申请日：2016-04-29

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 칸토로미르코 ,  권태용 ,  박재영 ,  황동훈 ,  유소라 ,  이한기

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854

摘要： 집적회로소자는소자영역에서기판으로부터돌출된핀형활성영역과, 소자영역에서핀형활성영역의양 측벽을덮는내부소자분리막과, 소자간분리영역에형성된외부딥 트렌치를채우는외부소자분리막을포함하고, 내부소자분리막은외부딥 트렌치의내측벽에서소자영역으로부터멀어지는방향으로돌출된다.

摘要翻译： 该集成电路器件包括一个外部器件隔离膜用于填充销型有源区中，并形成在覆盖所述针形的有效区的侧壁在器件区域内的隔离膜中的深沟槽外，从在元件区中的衬底伸出的元件之间的隔离区， 内部器件隔离膜在远离外部深沟槽的内壁处的器件区域的方向上突出。

公开(公告)号：KR1020170108143A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：KR1020177024238

申请日：2016-02-01

申请人： 인벤사스 코포레이션

发明人： 캇카르라즈시 ,  우조시프리안에메카 ,  시타람아르칼굿알.

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/364 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2064

摘要： 장치는일반적으로마이크로전자디바이스에관한것이다. 그러한장치에서, 제1 기판이제1 표면을갖고, 제1 표면상에제1 상호접속부들이위치되며, 제2 기판이제1 표면으로부터이격되는제2 표면을갖고, 제1 표면과제2 표면사이에간극이있다. 제2 상호접속부들이제2 표면상에위치된다. 제1 상호접속부들의하부표면들과제2 상호접속부들의상부표면들이제1 기판과제2 기판사이의전기전도성을위해서로결합된다. 전도성칼라가제1 및제2 상호접속부들의측벽들주위에있고, 유전체층이전도성칼라주위에있다.

摘要翻译： 器件通常涉及微电子器件。 在这样的装置中，第一衬底现在具有一个表面，第一互连位于第一表面上，第二衬底现在具有与一个表面隔开的第二表面，并且间隙 有。 第二个互连现在位于两个表面上。 第一互连的下表面任务2互连的上表面现在粘合在一起，用于一个衬底任务2衬底之间的导电性。 导电套环围绕第一和第二互连的侧壁，并且介电层围绕导电套环。

公开(公告)号：KR1020170104757A

公开(公告)日：2017-09-18

申请号：KR1020160027539

申请日：2016-03-08

申请人： 주식회사 아모센스

发明人： 우경환 ,  박익성 ,  조현춘

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/48 ,  H01L21/268 ,  H01L21/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

摘要： 본발명은세라믹기판의비아홀충진방법및 이를이용하여충진된세라믹기판의비아홀충진체에관한것으로세라믹기재에비아홀을형성하고, 상기비아홀내에도전체를형성한후 진공상태에서상기도전체를멜팅시키고다시냉각시킴으로써세라믹기판의비아홀을기공없이간단하게도전체로충진시킬수 있어세라믹기판의제조과정을단순화하고, 제조비용을절감하며, 세라믹기판의작동신뢰성을향상시키고, 고전력반도체모듈에서사용시 안정적인작동신뢰성을확보한다.

摘要翻译： 本发明形成了一个通孔是填充有这样的陶瓷基板的通孔填充材料的陶瓷基体，所述陶瓷基片的方法的通孔填充，并在道路和整个的再次熔化，真空的整个上气道中的形成后的通孔 冷却通过它sikilsu足够简单以填充整个不经由陶瓷基板的通孔的孔的，以简化的陶瓷基板的制造过程中，和高功率半导体模块中使用时降低制造成本，提高了陶瓷基片的操作可靠性，并且，确保可靠的运行可靠性 的。

公开(公告)号：KR1020170103524A

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：KR1020160026543

申请日：2016-03-04

申请人： 에스케이하이닉스 주식회사

发明人： 이남재

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11568

摘要： 본기술은반도체메모리장치및 이의제조방법에관한것으로, 반도체메모리장치는반도체기판상에순차적으로적층되어형성된하부막및 식각촉매막과, 상기식각촉매막상에교대로적층된다수의층간절연막및 다수의도전패턴들, 및상기다수의층간절연막, 상기다수의도전패턴들, 및상기식각촉매막을관통하는채널플러그를포함하며, 상기채널플러그는하부측벽의기울기와상부측벽의기울기는서로상이하다.

摘要翻译： 本发明涉及一种半导体存储器件及其制造方法，其中半导体存储器件包括依次形成在半导体衬底上的下部膜和蚀刻催化剂膜，以及多个层间绝缘膜和多个 并且通道插塞穿过多个层间绝缘膜，多个导电图案和蚀刻催化剂膜，其中下侧壁的倾斜和上侧壁的倾斜彼此不同。

公开(公告)号：KR101778286B1

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：KR1020110000276

申请日：2011-01-03

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 박상용 ,  염은선

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

摘要： 3차원구조의반도체장치의제조방법이제공된다. 3차원반도체장치의제조방법은기판상에, 차례로적층된제 1 내지제 4 막들을포함하는적층구조체를형성하는것, 적층구조체의측벽에제 3 막의측벽을노출시키는희생스페이서를형성하는것 및희생스페이서에의해노출된제 3 막의측벽을리세스하여, 제 2 막과제 4 막사이에리세스영역을형성하는것을포함한다.

摘要翻译： 提供了一种制造具有三维结构的半导体器件的方法。 在基板上的三维半导体装置的制造，haneungeot形成包括层叠的顺序一个层叠结构的第一至第四薄膜，haneungeot形成牺牲间隔物的第三膜侧壁暴露在叠层结构的侧壁和牺牲间隔物的方法 为了暴露由第二膜任务暴露的第三膜的侧壁，在第二膜任务和第四膜之间形成侵蚀区域。