公开(公告)号：KR100949844B1

公开(公告)日：2010-03-29

申请号：KR1020037014452

申请日：2002-03-26

Applicant: 크리 인코포레이티드

Inventor： 다스므리날칸티 ,  셰퍼드스코트 ,  헤글라이트너헬무트

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/94

Abstract: 산화막, 유전막 및 상기 유전막 상의 제 2 산화막을 갖는 실리콘 카바이드용 커패시터 및 배선 구조가 제공된다. 산화막들의 두께는 산화막들과 유전막의 두께의 약 0.5 내지 약 33 퍼센트이다. 또한, 유전체 구조로서 실리콘 산화질화막을 갖는 실리콘 카바이드용 커패시터 및 배선 구조가 제공된다. 이러한 유전체 구조는 금속층들 사이에 개재되어 금속-절연체-금속 커패시터를 제공하거나 배선 구조의 금속간 유전체로 사용되어 개선된 평균 고장 수명을 갖는 소자 및 구조를 제공할 수 있다. 또한, 이러한 커패시터 및 구조를 제조하는 방법이 제공된다.
커패시터, 실리콘 카바이드

公开(公告)号：KR1020140085595A

公开(公告)日：2014-07-07

申请号：KR1020147015854

申请日：2012-06-26

Applicant: 크리, 인코포레이티드

Inventor： 다르,사리트 ,  청,린 ,  류,세형 ,  아가르왈,아난트,쿠마르 ,  팔무르,존,윌리암스 ,  마키,에릭 ,  거개너스,제이슨 ,  리히텐왈너,다니엘,제너

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 채널 이동도가 증가한 반도체 소자 및 그의 제조 방법의 실시형태가 개시된다. 한 실시형태에서, 반도체 소자는 채널 영역을 포함하는 기판, 및 채널 영역 위의 기판 상의 게이트 스택을 포함한다. 게이트 스택은 알칼리 토금속을 포함한다. 한 실시형태에서, 알칼리 토금속은 바륨(Ba)이다. 다른 실시형태에서, 알칼리 토금속은 스트론튬(Sr)이다. 알칼리 토금속은 반도체 소자의 채널 이동도의 상당한 개선을 초래한다.

公开(公告)号：KR1020010101792A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：KR1020017009919

申请日：2000-11-16

Applicant: 코닌클리케 필립스 엔.브이.

Inventor： 알로크데브 ,  아놀드에밀

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/045 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/872 ,  Y10S438/931

Abstract: 다른화학처리에전혀추가적으로노출되지않은특별하게준비된반도체표면상의정류컨택트를포함하며, 패시베이션및 자신을둘러싸며접하는반도체기판의면에에지종결영역을갖는향상된전기적특성을갖는반도체전력디바이스가개시된다. 상기에지종결영역은바람직하게는아르곤과같은전기적으로비활성이온을기판면의일부를비정질형태로만들기에충분한에너지및 도즈량으로상기기판면으로주입함으로써형성되며, 상기디바이스에자기정렬(self-aligned)되는것이바람직하다. 패시베이션되며에지종결처리된디바이스는패시베이션보호의추가적인장점을갖는본래의반도체의특성에가까운특성을갖는패시베이션된디바이스에비해향상된특성을보인다. 또한상기디바이스를사용하며제조하는방법도개시된다.

Abstract translation: 公开了具有改善的电特性的半导体功率器件，其包括在特别制备的半导体表面上的整流触点，其中少量或不附加暴露于其它化学处理，其中氧化物钝化和边缘终端位于邻近并围绕功率器件的半导体衬底的表面。 优选地，边缘终止区域通过以足够的能量和剂量将电惰性离子（例如氩）注入衬底面而形成，以使衬底面的一部分非晶化，并且优选地与器件自对准。 钝化的边缘终端器件相对于具有接近本地半导体的特性的钝化器件具有改进的特性，具有钝化保护的附加优点。 还公开了制造和使用装置的方法。

公开(公告)号：KR1020160142793A

公开(公告)日：2016-12-13

申请号：KR1020160069760

申请日：2016-06-03

Applicant: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.

Inventor： 시에치 ,  탕푸 ,  기벤스마이클 ,  라이사넨페트리 ,  마스얀빌럼 ,  시아오치앙지앙

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L23/3171 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L21/76297 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/045 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/1025

Abstract: 일부실시예들에서, 반도체표면이바람직하게는히드라진, 히드라진유도체또는그 조합을사용한질화에의해효과적으로패시베이션될수 있다. 상기표면은트랜지스터채널영역의반도체표면일수 있다. 일부실시예들에서, 자연산화물이상기반도체표면으로부터제거되고, 상기표면이후속적으로질화된다. 다른일부실시예들에서, 반도체표면산화물층이상기반도체표면에형성되고, 상기패시베이션은상기표면에서반도체산질화물층을형성함에의해달성되고, 상기질화가상기산질화물층을형성하도록상기표면산화물에질소를기여한다. 상기반도체산화물층은원자층퇴적(ALD)에의해퇴적될수 있고, 상기질화는또한상기 ALD의부분으로서수행될수 있다.

Abstract translation: 在一些实施方案中，可以通过氮化，优选使用肼，肼衍生物或其组合来有效地钝化半导体表面。 该表面可以是晶体管沟道区的半导体表面。 在一些实施方案中，将天然氧化物从半导体表面上除去，随后将表面氮化。 在一些其它实施例中，在半导体表面形成半导体表面氧化物层，并且通过在表面形成半导体氮氧化物层来实现钝化，其中氮化对表面氧化物产生氮以形成氧氮化物层。 半导体氧化物层可以通过原子层沉积（ALD）沉积，并且氮化也可以作为ALD的一部分进行。

公开(公告)号：KR101660142B1

公开(公告)日：2016-09-26

申请号：KR1020147015854

申请日：2012-06-26

Applicant: 크리, 인코포레이티드

Inventor： 다르,사리트 ,  청,린 ,  류,세형 ,  아가르왈,아난트,쿠마르 ,  팔무르,존,윌리암스 ,  마키,에릭 ,  거개너스,제이슨 ,  리히텐왈너,다니엘,제너

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 채널이동도가증가한반도체소자및 그의제조방법의실시형태가개시된다. 한실시형태에서, 반도체소자는채널영역을포함하는기판, 및채널영역위의기판상의게이트스택을포함한다. 게이트스택은알칼리토금속을포함한다. 한실시형태에서, 알칼리토금속은바륨(Ba)이다. 다른실시형태에서, 알칼리토금속은스트론튬(Sr)이다. 알칼리토금속은반도체소자의채널이동도의상당한개선을초래한다.

公开(公告)号：KR1020120065962A

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：KR1020117011670

申请日：2010-07-08

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 와다게이지 ,  다마소히데토

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/045 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7802

Abstract: 본 발명은 절연성 부재에 있어서의 전기 특성 열화를 억제할 수 있는 구성을 갖는 반도체 장치를 제공한다. n
- SiC층(12)과, n
- SiC층(12)의 주표면 상에 형성된 소스 컨택트 전극(16)과, n
- SiC층(12)의 주표면 상에서 소스 컨택트 전극(16)과 간격을 두고 배치된 게이트 전극(17)과, 소스 컨택트 전극(16)과 게이트 전극(17) 사이에 위치하는 층간 절연막(210)을 구비한다. 소스 컨택트 전극(16)과 층간 절연막(210)이 인접한 상태에서 1200℃ 이하로 가열한 경우에 층간 절연막(210)의 전기 저항 저하율이 5％ 이하이다.

公开(公告)号：KR1020080075224A

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：KR1020087016786

申请日：2006-12-21

Applicant: 크리 인코포레이티드

Inventor： 워드3세알랜 ,  헤닝제이슨패트릭

IPC: H01L21/314 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/045 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/405 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/732 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: An improved termination structure for high field semiconductor devices in silicon carbide is disclosed. The termination structure includes a silicon carbide-based device for high-field operation, an active region in the device, an edge termination passivation for the active region, in which the edge termination passivation includes, an oxide layer on at least some of the silicon carbide portions of the device for satisfying surface states and lowering interface density, a non-stoichiometric layer of silicon nitride on the oxide layer for avoiding the incorporation of hydrogen and for reducing parasitic capacitance and minimizing trapping, and, a stoichiometric layer of silicon nitride on the nonstoichiometric layer for encapsulating the. nonstoichiometric layer and the oxide layer.

Abstract translation: 公开了一种用于碳化硅中的高场半导体器件的改进的端接结构。 端接结构包括用于高场操作的基于碳化硅的器件，器件中的有源区，用于有源区的边缘终止钝化，其中边缘终端钝化包括在至少一些硅上的氧化物层 用于满足表面状态和降低界面密度的器件的碳化物部分，氧化物层上的非化学计量的氮化硅层，用于避免引入氢并减少寄生电容并最小化陷阱，以及化学计量的氮化硅层 用于封装的非化学计量层。 非化学计量层和氧化物层。

公开(公告)号：KR101600721B1

公开(公告)日：2016-03-07

申请号：KR1020147002125

申请日：2012-06-26

Applicant: 크리, 인코포레이티드

Inventor： 다르,사리트 ,  청,린 ,  류,세형 ,  아가르왈,아난트,쿠마르 ,  팔무르,존,윌리암스 ,  마키,에릭 ,  거개너스,제이슨 ,  리히텐왈너,다니엘,제너

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 채널이동도가증가한반도체소자및 그의제조방법의실시형태가개시된다. 한실시형태에서, 반도체소자는채널영역을포함하는기판, 및채널영역위의기판상의게이트스택을포함한다. 게이트스택은알칼리토금속을포함한다. 한실시형태에서, 알칼리토금속은바륨(Ba)이다. 다른실시형태에서, 알칼리토금속은스트론튬(Sr)이다. 알칼리토금속은반도체소자의채널이동도의상당한개선을초래한다.

公开(公告)号：KR1020150097399A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：KR1020150018161

申请日：2015-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라,겐이치 ,  아즈모,슈지

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8213 ,  H01L21/02167 ,  H01L29/7869

Abstract: 채널의 컨덕턴스의 저하를 방지할 수 있는 트랜지스터의 제조 방법을 제공한다. 채널 영역(34)이 되는 부분을 포함하는 탄화규소로 이루어지는 웨이퍼(W)의 표층을 향해 산소 GCIB(16)를 조사한다.

Abstract translation: 提供一种用于制造能够防止通道的电导劣化的晶体管的方法。 氧气GCIB（16）被发射到晶片（W）的表面层，晶片（W）包括成为沟道区域（34）并由SiC制成的部分。

公开(公告)号：KR1020040005945A

公开(公告)日：2004-01-16

申请号：KR1020037014452

申请日：2002-03-26

Applicant: 크리 인코포레이티드

Inventor： 다스므리날칸티 ,  셰퍼드스코트 ,  헤글라이트너헬무트

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/94

Abstract: 산화막, 유전막 및 상기 유전막 상의 제 2 산화막을 갖는 실리콘 카바이드용 커패시터 및 배선 구조가 제공된다. 산화막들의 두께는 산화막들과 유전막의 두께의 약 0.5 내지 약 33 퍼센트이다. 또한, 유전체 구조로서 실리콘 산화질화막을 갖는 실리콘 카바이드용 커패시터 및 배선 구조가 제공된다. 이러한 유전체 구조는 금속층들 사이에 개재되어 금속-절연체-금속 커패시터를 제공하거나 배선 구조의 금속간 유전체로 사용되어 개선된 평균 고장 수명을 갖는 소자 및 구조를 제공할 수 있다. 또한, 이러한 커패시터 및 구조를 제조하는 방법이 제공된다.