公开(公告)号：KR20180040673A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：KR20187007309

申请日：2016-09-09

申请人： TANAKA PRECIOUS METAL IND

发明人： HARADA RYOSUKE ,  SHIGETOMI TOSHIYUKI ,  ISHIZAKA TASUKU ,  AOYAMA TATSUTAKA

IPC分类号： C23C16/18 ,  C07F15/00 ,  C23C16/44

CPC分类号： C07C251/08 ,  C07F15/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/285

摘要： 본발명은화학증착법에의해루테늄박막또는루테늄화합물박막을제조하기위한화학증착용원료에있어서, 다음식으로표시되는, 루테늄에 2개의디아자디엔배위자, 및 2개의알킬배위자가배위한유기루테늄화합물을포함하는화학증착용원료에관한것이다. 본발명에서적용하는유기루테늄화합물은, 저온성막에대응할수 있는데다가, 산소가스를사용하지않고루테늄박막또는루테늄화합물박막을제조할수 있다.

公开(公告)号：KR101807451B1

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：KR1020167022135

申请日：2015-04-09

申请人： 제이엑스금속주식회사

发明人： 가노우가쿠 ,  오모리다츠야

IPC分类号： C01G3/05 ,  C25B1/26 ,  C23C16/08 ,  H01L21/285

CPC分类号： C25B1/26 ,  C01G3/05 ,  C01P2006/80 ,  C23C16/08 ,  C25B9/10 ,  C25B13/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28556

摘要： 불순물이적은고순도의유기금속착물을제공하는것이가능한염화구리, CVD 원료, 구리배선막및 염화구리의제조방법을제공한다. 순도 6N 이상이고, 또한 Ag 의함유량이 0.5 wtppm 이하인염화구리이다.

摘要翻译： 它提供了使得可以氯化铜，CVD原料的方法，所述铜布线膜和氯化铜是提供一种有机金属配合物具有高纯度的低杂质。 和6N以上，Ag的含量的纯度为0.5重量ppm以下的氯化铜。

公开(公告)号：KR101800656B1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：KR1020160101119

申请日：2016-08-09

申请人： 하이엔드테크놀로지(주)

发明人： 이석재

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/02 ,  G03F7/20 ,  H01L31/18

CPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L31/18

摘要： 본발명은포토레지스트음각패턴및 표면개질을이용한금속메쉬타입투명전도막의제조방법에관한것으로서, (S1) 기판(10)의상면또는기판(10)의상면및 하면에포토레지스트층(20)을형성하는단계; (S2) 상기포토레지스트층(20)에양각부(21)와음각부(22)가메쉬형태로배열된음각문양부를형성하는단계; (S3) 상기포토레지스트층(20)의음각문양부위에제1 금속막전도층(40)을증착시키거나, 또는증착이완료된기판위상기제1 금속막전도층(40)에도금공정을통해제2 금속막전도층(50)을성장시키는단계; (S4) 증착또는도금이완료된상기기판의표면을드라이아이스분말로표면개질하는단계; 및 (S5) 상기포토레지스트층(20)의양각부(22)를제거하는단계;를포함하여구성되는것을특징으로하며, 두꺼운금속막전도층을형성한후 습식식각공정을하지않게하고, 드라이아이스를이용한표면개질을통해탈리를용이하게함으로써, 그로인한공정복잡성을개선하고불량률을줄이는효과가있다. 또한음각부내에증착된상부및 하부저반사층을통해시인성을크게감소시키며, 하부에서는접착층역할을, 상부층에서는보호층역할을하도록하여고신뢰성을갖는투명전도막을제공하는효과가있다.

摘要翻译： （S1）在基板（10）的上表面和下表面或基板（10）的上表面上形成光致抗蚀剂层（20），金属网状透明导电膜 形成; （S2）在光致抗蚀剂层（20）上形成浮雕图案，浮雕图案（21）布置成倒角形状; （S3）在光致抗蚀剂层20的图案部分上沉积第一金属膜导电层40，或者完成沉积的基板相基金属导电层40也经受金工艺 2金属导电层50; （S4）用干冰粉对完成了沉积或电镀的基板的表面进行表面改性; 并且从光致抗蚀剂层20去除光致抗蚀剂层20.光致抗蚀剂层20可以通过形成厚金属膜导电层来形成， 可以提高过程的复杂性并降低缺陷率。 也大大降低了通过沉积在所述凹部的顶部和底部低反射层的可视性，下部具有设置粘接剂层的效果提供，在具有高可靠性的上层透明导电膜和一个保护层的作用。

公开(公告)号：KR1020170088418A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：KR1020177017566

申请日：2016-05-16

申请人： 제이엑스금속주식회사

发明人： 모리이야스시 ,  오츠키도미오

IPC分类号： C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22C1/02

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22D7/005 ,  C22C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/05 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/285 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76873

摘要： 하전입자방사화분석에의한산소함유량이 0.6 wtppm 이하, 또는산소함유량이 2 wtppm 이하또한탄소함유량이 0.6 wtppm 이하인것을특징으로하는구리합금스퍼터링타겟. 또, 구리원료를진공또는불활성가스분위기중에서용해하고, 그후, 용해중인분위기에환원가스를부가하고, 이어서, 용탕에합금원소를첨가하여합금화시키고, 얻어진잉곳을타겟형상으로가공하는것을특징으로하는구리합금스퍼터링타겟의제조방법. 스퍼터링시에파티클의발생이적은구리합금스퍼터링타겟및 그제조방법을제공하는것을과제로한다.

摘要翻译： 其中，通过带电粒子活化分析得到的氧含量为0.6重量ppm以下，或氧含量为2重量ppm以下，碳含量为0.6重量ppm以下。 另外，本发明的特征在于，将铜原料溶解于真空或惰性气体气氛中，在熔融状态下向大气中添加还原性气体，在熔融金属中添加合金元素使合金化，将得到的铸锭加工成目标形状 一种制造铜合金溅射靶的方法。 提供了一种在溅射过程中难以产生颗粒的铜合金溅射靶及其制造方法。

公开(公告)号：KR1020170057402A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020177010706

申请日：2015-09-24

申请人： 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤

发明人： 하라다료스케 ,  시게토미도시유키 ,  스즈키가즈하루 ,  나베야슌이치 ,  소네다카유키 ,  구마쿠라아키코

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/448 ,  C07F17/02 ,  C07F15/00 ,  H01L21/285

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07F15/00 ,  C07F15/0046 ,  C07F17/02 ,  C09D1/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28506

摘要： 본발명은 CVD 화합물에대한요구특성, 즉증기압이높고, 저온(약 250℃이하)에서성막가능하고, 또한, 적당한열 안정성을갖는화학증착용원료를제공한다. 본발명은화학증착법에의해루테늄박막또는루테늄화합물박막을제조하기위한화학증착용원료에있어서, 다음식으로나타내는, 루테늄에시클로헥사디에닐기또는그의유도체및 펜타디에닐기또는그의유도체가배위한유기루테늄화합물을포함하는화학증착용원료에관한것이다. 상기식 중, 치환기 R내지 R는, 각각수소원자, 쇄상또는환상의탄소수소, 아민, 이민, 에테르, 케톤, 에스테르중 어느것이다. 치환기 R내지 R의탄소수는, 각각 6 이하이다.

摘要翻译： 用于CVD化合物所需的本发明的特性，即高蒸气压，并且可以在低温下（低于约250℃）来沉积，还提供一种具有合适的热稳定性的化学汽相淀积材料。 本发明涉及由下面的等式示出了用于制造钌薄膜或钌化合物薄膜通过化学气相沉积，和环己酮的环戊二烯基或它们的衍生物和戊二烯基团或衍生物倍于有机钌，钌化学气相沉积材料 含有化合物的化学气相沉积原料本发明涉 在该式中，取代基R1至R26，每个中的任何一个为氢原子，直链或环状的碳 - 氢，胺，亚胺，醚，酮和酯。 取代基R至R的碳原子数为6或更少。

公开(公告)号：KR1020170041777A

公开(公告)日：2017-04-17

申请号：KR1020177005670

申请日：2015-07-31

申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤

发明人： 히로미다이치 ,  시모카와히데토시 ,  이치카와아츠유키

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  G01L21/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01J37/3447 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4401 ,  G01L21/00 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3476 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/24585 ,  H01J2237/3322 ,  H01L21/203 ,  H01L21/285 ,  H01L21/2855

摘要： 스퍼터장치는, 기판에막을형성하기위한스퍼터링공간을규정하는공간규정부재를갖는다. 상기공간규정부재는, 오목부를갖고, 상기오목부의저부에는개구부가형성되어있다. 상기스퍼터장치는, 상기개구부를상기스퍼터링공간으로부터차폐하는차폐부재를구비하고있다. 상기개구부는, 상기스퍼터링공간내의압력을계측가능한압력계가장착가능하도록형성되고, 상기차폐부재는, 적어도일부가상기오목부에매립되도록배치되어있다.

摘要翻译： 溅射设备具有用于限定用于在衬底上形成膜的溅射空间的空间限定构件。 空间限定构件具有凹部，并且凹部的底部中形成有开口。 溅射设备包括屏蔽部件，该屏蔽部件将开口从溅射空间屏蔽。 其中，在被形成的空间内的溅射压力被测量可用压力表的开口，将被安装，其中，所述屏蔽部件被设置成使得至少一部分被嵌入在所述凹槽中。

公开(公告)号：KR1020160148483A

公开(公告)日：2016-12-26

申请号：KR1020160075332

申请日：2016-06-16

申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.

发明人： 탕푸 ,  기븐스마이클유진 ,  우드러프제이콥허프만 ,  시에치 ,  마스얀빌럼

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76829 ,  C23C16/02 ,  C23C16/045 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/285 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/28556

摘要： 일부태양들에있어서, 금속칼코겐화물박막의형성방법들이제공된다. 일부방법들에따르면, 반응공간내의기판위에사이클퇴적공정으로금속칼코겐화물박막이퇴적된다. 여기서적어도하나의사이클은상기기판을제1기상금속반응물및 제2기상칼코겐반응물과순차적으로및 교호하여접촉시키는단계를포함한다. 일부태양들에있어서, 상기방법은기판과도전층사이에금속칼코겐화물유전체층을형성하는단계를포함한다. 일부실시예들에있어서상기방법은금속칼코겐화물유전체층을포함하는 MIS-타입콘택구조물을형성하는단계를포함한다.

摘要翻译： 在一些方面，提供了形成金属硫族化物薄膜的方法。 根据一些方法，金属硫族化物薄膜在循环沉积过程中在反应空间中沉积在基底上，其中至少一个循环包括交替地和顺序地接触基底与第一气相金属反应物和第二气相 硫属反应物。 在一些方面，提供了在基板表面上形成三维结构的方法。 在一些实施例中，该方法包括在衬底和导电层之间形成金属硫属元素化物介质层。 在一些实施例中，该方法包括形成包括金属硫族化物介电层的MIS型接触结构。

公开(公告)号：KR1020160050485A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：KR1020140148676

申请日：2014-10-29

申请人： 희성금속 주식회사

发明人： 권오집 ,  홍길수 ,  양승호 ,  윤원규

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  B22F3/15

CPC分类号： C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  C23C14/3414 ,  B22F3/15

摘要： 본발명은 (a) 루테늄(Ru) 함유원료분말을성형몰드에투입하는단계; (b) 상기성형몰드에압력을가하여성형체를형성하는단계; 및 (c) 상기성형체를소결하는단계를포함하는루테늄또는루테늄합금계스퍼터링타겟의제조방법을제공한다.

摘要翻译： 本发明提供了一种钌或钌合金溅射靶的预制方法，以及预先制备的钌或钌合金溅射靶。 本发明提供了一种用于钌或钌合金溅射靶的预制方法，其中钌具有高纯度，并且在含钌原料粉末填充模具之后烧结成形体时，精细地控制晶粒的尺寸，并且 模具主要被加压，使得成形体是预制的。 钌或钌合金溅射靶的预制方法包括：（a）将含钌（Ru）原料粉末放入模具中的步骤; （b）通过对模具加压而形成成形体的步骤; 和（c）烧结成形体的步骤。

公开(公告)号：KR1020150128535A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：KR1020140186010

申请日：2014-12-22

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 린유훙 ,  린쉥수안 ,  창치웨이 ,  추유후아

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76855 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/02 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66568 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/1304

摘要： 도핑된금속산화물중간층을갖는금속-반도체컨택을형성하는방법이개시된다. 반도체기판의상부표면에타겟영역을갖는반도체기판의상부표면상에절연층이형성된다. 절연층을통해개구가에칭되며, 개구는타겟영역의일부의상부표면을노출시킨다. 개구내에도핑된금속산화물중간층이형성되고타겟영역의상부표면에접촉한다. 개구의나머지는금속플러그로채워지며, 도핑된금속산화물중간층이금속플러그와기판사이에배치된다. 도핑된금속산화물중간층은주석산화물, 티타늄산화물또는아연산화물중의하나로부터형성되고, 불소로도핑된다.

摘要翻译： 公开了一种形成具有掺杂的金属氧化物中间层的金属 - 半导体接触的方法。 在半导体衬底的上表面上具有目标区域的半导体衬底的上表面上形成绝缘层。 通过绝缘层蚀刻开口，并且开口暴露目标区域的一部分的上表面。 掺杂的金属氧化物中间层形成在开口内部并与目标区域的上表面接触。 开口的剩余部分填充有金属塞，并且掺杂的金属氧化物中间层设置在金属插塞和基板之间。 掺杂的金属氧化物中间层由氧化锡或氧化钛或氧化锌中的一种材料形成并掺杂氟。

公开(公告)号：KR101455478B1

公开(公告)日：2014-10-27

申请号：KR1020120155062

申请日：2012-12-27

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 왕승리 ,  시딩캉 ,  린친샹 ,  선세이핑 ,  완크레먼트싱젠

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76856 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/285 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/485 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 본 발명은 반도체 디바이스의 접촉 구조에 관한 것이다. 반도체 디바이스를 위한 접촉 구조에 대한 예시적인 구조는 주면 및 상기 주면 아래의 트렌치를 포함하는 기판; 상기 트렌치를 충진하는 변형 물질로서, 상기 변형 물질의 격자 상수는 상기 기판의 격자 상수와 상이한 것인, 상기 변형 물질; 상기 변형 물질 위의 개구부를 갖는 층간 유전체(ILD)층으로서, 상기 개구부는 절연체 측벽 및 변형 물질 저부를 포함하는 것인, 층간 유전체층; 상기 개구부의 측벽 및 저부를 코팅하고, 1 nm 내지 10 nm의 범위 내의 두께를 갖는 유전체층; 및 상기 유전체층의 코팅된 개구부를 충진하는 금속층를 포함한다.