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公开(公告)号：KR1020110050208A
公开(公告)日：2011-05-13
申请号：KR1020090107088
申请日：2009-11-06
申请人： 삼성전자주식회사
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/26 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L29/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/732 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/01079 , H01L2924/10155 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A stack type semiconductor device having different backside structure chips and electronic apparatus including the same are provided to suppress data change due to an external effect of the transistor region in the semiconductor chip by preventing charge loss due to the diffusion of a metal contaminant. CONSTITUTION: In a stack type semiconductor device having different backside structure chips and electronic apparatus including the same, a first semiconductor chip(110A) is loaded on a basic frame(140). The bottom of the first semiconductor chip has a first surface roughness. A second semiconductor chip(110B) is loaded in the first on semiconductor chip. The bottom of the semiconductor chip has a second surface roughness which is higher than the first roughness by 1.2nm. A third and fourth semiconductor chips are mounted in the second semiconductor chip.
摘要翻译： 目的：提供具有不同的背面结构芯片的堆叠型半导体器件和包括其的电子设备，以通过防止由于金属污染物的扩散引起的电荷损失来抑制由于半导体芯片中的晶体管区域的外部影响引起的数据变化。 构成：在具有不同的背面结构芯片的堆叠型半导体器件和包括其的电子设备中，第一半导体芯片（110A）装载在基本框架（140）上。 第一半导体芯片的底部具有第一表面粗糙度。 第二半导体芯片（110B）装载在第一半导体芯片上。 半导体芯片的底部具有比第一粗糙度高1.2nm的第二表面粗糙度。 第三和第四半导体芯片安装在第二半导体芯片中。
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公开(公告)号：KR101874057B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020110024522
申请日：2011-03-18
申请人： 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디.
IPC分类号： H01L25/10 , H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L23/552 , H01L21/56 , H01L25/065
CPC分类号： H01L24/73 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/367 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/732 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/16152 , H01L2924/167 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 집적회로패키지시스템의제조방법은컴포넌트측부와시스템측부를구비한베이스패키지기판을제작하는단계, 제1 집적회로다이를컴포넌트측부에결합시키는단계및 적층상호접속부들을컴포넌트측부에결합하여제1 집적회로다이를둘러싸는단계를포함하는베이스패키지를형성하는단계; 칩측부를구비한적층패키지기판을제작하는단계, 하부적층집적회로다이를칩 측부에결합시키는단계및 결합측부에적층패키지기판을부착하는단계를포함하는적층집적회로패키지를형성하는단계; 베이스패키지의적층상호접속부들상의적층집적회로패키지의적층상호접속부들을포함하는적층집적회로패키지를베이스패키지상에적층하는단계; 및적층상호접속부들을리플로우시키는것에의해적층솔더칼럼을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101398739B1
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020120100489
申请日：2012-09-11
申请人： 엘에스산전 주식회사
CPC分类号： H01L23/40 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/72 , H01L24/73 , H01L24/91 , H01L2023/4062 , H01L2023/4087 , H01L2224/371 , H01L2224/40106 , H01L2224/40227 , H01L2224/732 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H05K1/0203 , H05K1/0215 , H05K3/301 , H05K3/3421 , H05K7/2049 , H05K2201/10409 , H05K2201/10689 , H01L2924/00 , H01L2224/84
摘要： 본 발명은, PCB와; 상기 PCB의 상부에 결합되는 전력 소자와; 상기 전력 소자의 상부에 위치하는 연결 부재와; 상기 전력 소자를 상기 PCB에 고정시키는 주고정수단을 포함하는 전력 소자와 PCB의 결합 어셈블리 에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 전력 소자의 PCB의 결합력을 높일 수 있게 되며, 전기 효율을 높여 발열량을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 연결 부재를 통해 보다 빠른 발열이 가능해져 냉각 효과를 향상시킬 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1020140034989A
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：KR1020120100489
申请日：2012-09-11
申请人： 엘에스산전 주식회사
CPC分类号： H01L23/40 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/72 , H01L24/73 , H01L24/91 , H01L2023/4062 , H01L2023/4087 , H01L2224/371 , H01L2224/40106 , H01L2224/40227 , H01L2224/732 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H05K1/0203 , H05K1/0215 , H05K3/301 , H05K3/3421 , H05K7/2049 , H05K2201/10409 , H05K2201/10689 , H01L2924/00 , H01L2224/84
摘要： The present invention relates to a combination assembly of a power device and a PCB, which includes: the PCB; the power device which is combined with the upper side of the PCB; a connection member which is located on the upper side of the power device; and a main fixing unit which fixes the power device to the PCB. According to the present invention, the coherence between the power device and the PCB is improved, the generation of heat is reduced by improving electrical efficiency and a cooling effect is improved by quickly discharging heat through the connection member.
摘要翻译： 本发明涉及功率器件和PCB的组合组件，其包括：PCB; 与PCB的上侧结合的电源装置; 连接构件，位于动力装置的上侧; 以及将功率器件固定到PCB的主要固定单元。 根据本发明，功率器件和PCB之间的相干性得到改善，通过提高电效率来降低发热量，并且通过快速地通过连接构件放出热量来改善冷却效果。
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公开(公告)号：KR1020110105364A
公开(公告)日：2011-09-26
申请号：KR1020110024522
申请日：2011-03-18
申请人： 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디.
IPC分类号： H01L25/10 , H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L23/552 , H01L21/56 , H01L25/065
CPC分类号： H01L24/73 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/367 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/732 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/16152 , H01L2924/167 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L25/50 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 집적회로 패키지 시스템의 제조 방법은 컴포넌트 측부와 시스템 측부를 구비한 베이스 패키지 기판을 제작하는 단계, 제1 집적회로 다이를 컴포넌트 측부에 결합시키는 단계 및 적층 상호접속부들을 컴포넌트 측부에 결합하여 제1 집적회로 다이를 둘러싸는 단계를 포함하는 베이스 패키지를 형성하는 단계; 칩 측부를 구비한 적층 패키지 기판을 제작하는 단계, 하부 적층 집적회로 다이를 칩 측부에 결합시키는 단계 및 결합 측부에 적층 패키지 기판을 부착하는 단계를 포함하는 적층 집적회로 패키지를 형성하는 단계; 베이스 패키지의 적층 상호접속부들 상의 적층 집적회로 패키지의 적층 상호접속부들을 포함하는 적층 집적회로 패키지를 베이스 패키지 상에 적층하는 단계; 및 적층 상호접속부들을 리플로우시키는 것에 의해 적층 솔더 칼럼을 형성하는 단계를 포함한다.
摘要翻译： 一种集成电路封装系统的制造方法，包括：形成基底封装，包括：制造具有元件侧和系统侧的基底封装基板，将第一集成电路管芯耦合到元件侧，以及将堆叠互连件连接到元件 侧围绕第一集成电路管芯; 形成堆叠集成电路封装，包括：制造具有芯片侧的堆叠封装基板，将下层堆叠集成电路管芯耦合到芯片侧，并且在堆叠封装衬底的耦合侧上附接堆叠互连; 将所述堆叠集成电路封装堆叠在所述基底封装上，其中所述堆叠集成电路封装包括所述堆叠集成电路封装的所述堆叠互连， 以及通过回流堆叠的互连件形成堆叠的焊料柱。
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