公开(公告)号：TW201733005A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105137777

申请日：2016-11-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 依據本揭露的一些實施例，鰭式場效電晶體裝置包括基板、堆疊結構、源極與汲極區、側壁絕緣體以及金屬連接件。包括有閘極堆疊的堆疊結構配置於基板上。源極與汲極區配置於堆疊結構旁。側壁絕緣體配置於源極與汲極區上。側壁絕緣體包括底部與上部。底部與上部之間形成交界，且底部位在上部以及源極與汲極區之間。金屬連接件堆疊於源極與汲極區上且側壁絕緣體位在金屬連接件與堆疊結構之間。

Abstract in simplified Chinese: 依据本揭露的一些实施例，鳍式场效应管设备包括基板、堆栈结构、源极与汲极区、侧壁绝缘体以及金属连接件。包括有闸极堆栈的堆栈结构配置于基板上。源极与汲极区配置于堆栈结构旁。侧壁绝缘体配置于源极与汲极区上。侧壁绝缘体包括底部与上部。底部与上部之间形成交界，且底部位在上部以及源极与汲极区之间。金属连接件堆栈于源极与汲极区上且侧壁绝缘体位在金属连接件与堆栈结构之间。

公开(公告)号：TWI597848B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105132841

申请日：2016-10-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201730979A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105139818

申请日：2016-12-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/311 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一種包括以下步驟的製作鰭型場效電晶體的方法。提供基材，基材包括多個溝渠及位於溝渠之間的多個半導體鰭。在溝渠中形成多個絕緣體。執行鰭切割製程以移除半導體鰭的某些部分，直至在絕緣體之間形成多個凹部為止。形成閘極堆疊結構，以局部地覆蓋半導體鰭及絕緣體。

Abstract in simplified Chinese: 一种包括以下步骤的制作鳍型场效应管的方法。提供基材，基材包括多个沟渠及位于沟渠之间的多个半导体鳍。在沟渠中形成多个绝缘体。运行鳍切割制程以移除半导体鳍的某些部分，直至在绝缘体之间形成多个凹部为止。形成闸极堆栈结构，以局部地覆盖半导体鳍及绝缘体。

公开(公告)号：TW201729292A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105138903

申请日：2016-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66545

Abstract: 在半導體元件之製造方法中，依序形成虛設閘極層與硬罩幕層於基材上。形成第一摻雜部於虛設閘極層中，第一摻雜部相對於虛設閘極層之其它部分具有蝕刻選擇比。形成數個蝕刻罩幕位於硬罩幕層之數個部分上。蝕刻硬罩幕層與虛設閘極層，以將第一摻雜部與虛設閘極層之其它部分圖案化成數個第一虛設閘極與數個第二虛設閘極。第一虛設閘極與第二虛設閘極具有不同之寬度。形成介電層以周圍式地圍住每個第一虛設閘極與每個第二虛設閘極。以數個第一金屬閘極以及數個第二金屬閘極取代第一虛設閘極以及第二虛設閘極。

Abstract in simplified Chinese: 在半导体组件之制造方法中，依序形成虚设闸极层与硬罩幕层于基材上。形成第一掺杂部于虚设闸极层中，第一掺杂部相对于虚设闸极层之其它部分具有蚀刻选择比。形成数个蚀刻罩幕位于硬罩幕层之数个部分上。蚀刻硬罩幕层与虚设闸极层，以将第一掺杂部与虚设闸极层之其它部分图案化成数个第一虚设闸极与数个第二虚设闸极。第一虚设闸极与第二虚设闸极具有不同之宽度。形成介电层以周围式地围住每个第一虚设闸极与每个第二虚设闸极。以数个第一金属闸极以及数个第二金属闸极取代第一虚设闸极以及第二虚设闸极。

公开(公告)号：TW201725614A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105139064

申请日：2016-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/3085 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795

Abstract: 揭露接觸結構、鰭式場效電晶體元件及其形成方法。一種接觸結構包括源極/汲極區、罩幕層、接觸件以及遮蔽圖案。所述源極/汲極區位於兩個閘堆疊之間。罩幕層位於所述閘堆疊上方且具有對應所述源極/汲極區的開口。所述接觸件電性連接至所述源極/汲極區、穿過所述罩幕層的所述開口，且突出於所述罩幕層的上方和下方。所述遮蔽圖案位於所述罩幕層與所述接觸件之間且與所述罩幕層實體接觸。

Abstract in simplified Chinese: 揭露接触结构、鳍式场效应管组件及其形成方法。一种接触结构包括源极/汲极区、罩幕层、接触件以及屏蔽图案。所述源极/汲极区位于两个闸堆栈之间。罩幕层位于所述闸堆栈上方且具有对应所述源极/汲极区的开口。所述接触件电性连接至所述源极/汲极区、穿过所述罩幕层的所述开口，且突出于所述罩幕层的上方和下方。所述屏蔽图案位于所述罩幕层与所述接触件之间且与所述罩幕层实体接触。

公开(公告)号：TW201724217A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105139534

申请日：2016-11-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  巫柏奇 ,  WU, PO CHI ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/2253 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一種半導體結構包含基板、至少一主動半導體鰭片、至少一絕緣結構、閘極電極，以及閘極介電質。至少一主動半導體鰭片配置於基板上。至少一絕緣結構配置於基板上且相鄰於主動半導體鰭片，其中絕緣結構之頂表為非凹面的且低於主動半導體鰭片之另一頂表面。閘極電極配置於主動半導體鰭片上方。閘極介電質，配置於閘極電極與主動半導體鰭片之間。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构包含基板、至少一主动半导体鳍片、至少一绝缘结构、闸极电极，以及闸极介电质。至少一主动半导体鳍片配置于基板上。至少一绝缘结构配置于基板上且相邻于主动半导体鳍片，其中绝缘结构之顶表为非凹面的且低于主动半导体鳍片之另一顶表面。闸极电极配置于主动半导体鳍片上方。闸极介电质，配置于闸极电极与主动半导体鳍片之间。

公开(公告)号：TWI587511B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW104132973

申请日：2015-10-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳建穎 ,  CHEN, CHANG YIN ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  倪俊龍 ,  NI, CHUN LUNG ,  林志忠 ,  LIN, JR JUNG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TWI575662B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW104136966

申请日：2015-11-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795

公开(公告)号：TW201612972A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104109025

申请日：2015-03-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳建穎 ,  CHEN, CHANGYIN ,  程潼文 ,  CHENG, TUNGWEN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHECHENG ,  林志忠 ,  LIN, JRJUNG ,  林志翰 ,  LIN, CHIHHAN

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481

Abstract: 一種製備鰭式場效電晶體元件的方法，包含下列步驟。先形成複數個鰭狀結構於一基板中，其中基板具有一中央區以及一外圍區環繞中央區，再沉積一閘極材料層於此些鰭狀結構上。最後供應一蝕刻氣體蝕刻閘極材料層以形成複數個閘極，其中蝕刻氣體的供應係中央區的流量與外圍區的流量之比值介於0.33至3之間。

Abstract in simplified Chinese: 一种制备鳍式场效应管组件的方法，包含下列步骤。先形成复数个鳍状结构于一基板中，其中基板具有一中央区以及一外围区环绕中央区，再沉积一闸极材料层于此些鳍状结构上。最后供应一蚀刻气体蚀刻闸极材料层以形成复数个闸极，其中蚀刻气体的供应系中央区的流量与外围区的流量之比值介于0.33至3之间。

公开(公告)号：TW201919112A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107108083

申请日：2018-03-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 謝文碩 ,  HSIEH, WEN SHUO ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  劉得湧 ,  LIU, TE YUNG ,  蔡世昌 ,  TSAI, SHIH CHANG

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 鰭式場效電晶體的閘極隔離插塞的形成方法包含形成長形閘極，形成與長形閘極之第一和第二側壁接觸的第一和第二間隙物，使用第一蝕刻步驟和第二蝕刻步驟將長形閘極分離為第一閘極部分和第二閘極部分，以及在第一閘極部分與第二閘極部分之間形成閘極隔離插塞，其中閘極隔離插塞之長度大於第一閘極部分或第二閘極部分之長度。

Abstract in simplified Chinese: 鳍式场效应管的闸极隔离插塞的形成方法包含形成长形闸极，形成与长形闸极之第一和第二侧壁接触的第一和第二间隙物，使用第一蚀刻步骤和第二蚀刻步骤将长形闸极分离为第一闸极部分和第二闸极部分，以及在第一闸极部分与第二闸极部分之间形成闸极隔离插塞，其中闸极隔离插塞之长度大于第一闸极部分或第二闸极部分之长度。