公开(公告)号：TW201620135A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW104132973

申请日：2015-10-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳建穎 ,  CHEN, CHANG YIN ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  倪俊龍 ,  NI, CHUN LUNG ,  林志忠 ,  LIN, JR JUNG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本揭露提供一種鰭式場效電晶體裝置結構及其形成方法。鰭式場效電晶體包括基板以及延伸高於基板的第一鰭式結構與第二鰭式結構。鰭式場效電晶體亦包括形成於第一鰭式結構之上的第一電晶體及形成於第二鰭式結構之上的第二電晶體。鰭式場效電晶體亦包括層間介電層結構形成於第一電晶體與第二電晶體之間的一末端對末端間距(end-to-end gap)之中，且此末端對末端間距具有一寬度為約20nm至約40nm。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种鳍式场效应管设备结构及其形成方法。鳍式场效应管包括基板以及延伸高于基板的第一鳍式结构与第二鳍式结构。鳍式场效应管亦包括形成于第一鳍式结构之上的第一晶体管及形成于第二鳍式结构之上的第二晶体管。鳍式场效应管亦包括层间介电层结构形成于第一晶体管与第二晶体管之间的一末端对末端间距(end-to-end gap)之中，且此末端对末端间距具有一宽度为约20nm至约40nm。

公开(公告)号：TWI587511B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW104132973

申请日：2015-10-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳建穎 ,  CHEN, CHANG YIN ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  倪俊龍 ,  NI, CHUN LUNG ,  林志忠 ,  LIN, JR JUNG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TW201635379A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104139099

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡俊雄 ,  TSAI, CHUN HSIUNG ,  倪俊龍 ,  NI, CHUN LUNG ,  陳科維 ,  CHEN, KEI WEI

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/225 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7851

Abstract: 本揭露提供一種鰭式場效電晶體鰭式場效電晶體(Fin field effect transistor,FinFET)結構及其製造方法，該FINFET結構包含複數鰭、閘極及第一摻雜層。於複數鰭上方實質上垂直地設置閘極，以覆蓋複數鰭之部分頂面與部分側壁。第一摻雜層覆蓋第一鰭之接合部的頂面與側壁，該第一摻雜層配置為對第一鰭之接合部提供第一導電型的摻雜物。該接合部與閘極相鄰。本揭露亦提供一種製造FinFET結構之方法。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种鳍式场效应管鳍式场效应管(Fin field effect transistor,FinFET)结构及其制造方法，该FINFET结构包含复数鳍、闸极及第一掺杂层。于复数鳍上方实质上垂直地设置闸极，以覆盖复数鳍之部分顶面与部分侧壁。第一掺杂层覆盖第一鳍之接合部的顶面与侧壁，该第一掺杂层配置为对第一鳍之接合部提供第一导电型的掺杂物。该接合部与闸极相邻。本揭露亦提供一种制造FinFET结构之方法。

公开(公告)号：TWI585855B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW104139099

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡俊雄 ,  TSAI, CHUN HSIUNG ,  倪俊龍 ,  NI, CHUN LUNG ,  陳科維 ,  CHEN, KEI WEI

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/225 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7851