公开(公告)号：TW201205696A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：TW099140942

申请日：2010-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 張博平 ,  黃貴偉 ,  林威宏 ,  劉重希

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75302 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81234 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81947 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係提供一種接合方法,包含提供一含工作件基座之基材載具,並放置複數個第一工作件至這些工作件基座中。舉起並放置複數個第二工作件,這些第二工作件之每一者皆置於這些第一工作件之其中一者上。接著,回焊這些第一及第二工作件之間的焊料凸塊,以同時相互接合這些第一及第二工作件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种接合方法,包含提供一含工作件基座之基材载具,并放置复数个第一工作件至这些工作件基座中。举起并放置复数个第二工作件,这些第二工作件之每一者皆置于这些第一工作件之其中一者上。接着,回焊这些第一及第二工作件之间的焊料凸块,以同时相互接合这些第一及第二工作件。

公开(公告)号：TW201205697A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：TW099144706

申请日：2010-12-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 黃貴偉 ,  林威宏 ,  王林偉 ,  張博平 ,  鄭明達 ,  劉重希

IPC: H01L

CPC classification number: B23K31/02 ,  B23K1/0016 ,  H01L21/563 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75302 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81947 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/144 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/082 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/24612 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供形成凸塊結構的方法,包含提供第一工件,其包含具有上表面的介電層,面對第一工件放置第二工件,放置加熱工具接觸第二工件,以及使用加熱工具加熱第二工件,進行回焊製程,在第一與第二工件之間的第一焊錫凸塊熔融,形成第二焊錫凸塊,在第二焊錫凸塊固化之前,將第二工件從第一工件拉開,直到第二焊錫凸塊的切線與介電層的上表面之間形成的角度大於約50度,其中切線從第二焊錫凸塊連接介電層的點繪製。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供形成凸块结构的方法,包含提供第一工件,其包含具有上表面的介电层,面对第一工件放置第二工件,放置加热工具接触第二工件,以及使用加热工具加热第二工件,进行回焊制程,在第一与第二工件之间的第一焊锡凸块熔融,形成第二焊锡凸块,在第二焊锡凸块固化之前,将第二工件从第一工件拉开,直到第二焊锡凸块的切线与介电层的上表面之间形成的角度大于约50度,其中切线从第二焊锡凸块连接介电层的点绘制。

公开(公告)号：TW201243987A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW101105750

申请日：2012-02-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 黃貴偉 ,  林威宏 ,  陳孟澤 ,  林俊成 ,  蔡鈺芃 ,  張博平 ,  劉重希

IPC: H01L ,  B65G

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L24/75

Abstract: 本發明實施例提供處理薄積體電路晶粒的真空吸嘴與方法。真空吸嘴用以吸附積體電路晶粒,包括一真空埠連接至上表面的一真空源,且具有一下表面;至少一真空孔延伸穿過真空吸嘴並於真空吸嘴的下表面露出;其中真空吸嘴的下表面被配置以物理性接觸積體電路晶粒的一表面。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供处理薄集成电路晶粒的真空吸嘴与方法。真空吸嘴用以吸附集成电路晶粒,包括一真空端口连接至上表面的一真空源,且具有一下表面;至少一真空孔延伸穿过真空吸嘴并于真空吸嘴的下表面露出;其中真空吸嘴的下表面被配置以物理性接触集成电路晶粒的一表面。