Patent search ap:("台灣積體電路製造股份有限公司") AND inv:"陳孟澤" Page 1

1.

发明专利
晶圓級轉移成型之方法與設備审中-公开
Simplified title: 晶圆级转移成型之方法与设备

公开(公告)号：TW201618248A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104119035

申请日：2015-06-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 張博平 , JANG, BOR PING , 林勇志 , LIN, YEONG JYH , 黃見翎 , HWANG, CHIEN LING , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 余振華 , YU, CHEN HUA

IPC: H01L23/28 , H01L21/56

CPC classification number: H01L21/565 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

Abstract: 一方法，其包含將封裝結構設置在模套中，封裝結構中的元件晶粒之頂部表面係接觸模套中的釋放膜。將模塑料經由注入埠注入模套的內部空間中，注入埠係在模套的一側上。在注入模塑料的過程中，經由模套的第一通氣孔與第二通氣孔，進行通氣步驟。第一通氣孔具有第一流速，以及第二通氣孔具有第二流速，第二流速係不同於第一流速。

Abstract in simplified Chinese: 一方法，其包含将封装结构设置在模套中，封装结构中的组件晶粒之顶部表面系接触模套中的释放膜。将模塑料经由注入端口注入模套的内部空间中，注入端口系在模套的一侧上。在注入模塑料的过程中，经由模套的第一通气孔与第二通气孔，进行通气步骤。第一通气孔具有第一流速，以及第二通气孔具有第二流速，第二流速系不同于第一流速。

2.

发明专利
用於模塑底膠填充之方法及裝置有权
Simplified title: 用于模塑底胶填充之方法及设备

公开(公告)号：TWI466200B

公开(公告)日：2014-12-21

申请号：TW101114068

申请日：2012-04-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 林修任 , LIN, HSIU JEN , 林俊成 , LIN, CHUN CHENG , 呂文雄 , LU, WEN HSIUNG , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L21/56 , H01L21/77

CPC classification number: H01L24/97 , B29C33/68 , B29C43/18 , H01L21/563 , H01L21/566 , H01L2224/16225 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H01L2924/00

3.

发明专利
金屬柱導線直連元件、金屬柱導線直連封裝結構、金屬柱導線直連元件的製作方法有权
Simplified title: 金属柱导线直连组件、金属柱导线直连封装结构、金属柱导线直连组件的制作方法

公开(公告)号：TWI639201B

公开(公告)日：2018-10-21

申请号：TW102123756

申请日：2013-07-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 林威宏 , LIN, WEI HUNG , 林志偉 , LIN, CHIH WEI , 黃貴偉 , HUANG, KUEI WEI , 黃暉閔 , HUANG, HUI MIN , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L21/60 , H01L23/52

4.

发明专利
晶片封裝體的形成方法审中-公开
Simplified title: 芯片封装体的形成方法

公开(公告)号：TW201802961A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106107353

申请日：2017-03-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳星兆 , CHEN, SHING CHAO , 林志偉 , LIN, CHIH WEI , 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 黃暉閔 , HUANG, HUI MIN , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 潘國龍 , PAN, KUO LUNG , 張緯森 , CHANG, WEI SEN , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/566 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/315 , H01L23/585 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L2224/83 , H01L2224/81

Abstract: 本揭露提供了一種晶片封裝體的形成方法。方法包括於承載基底之上形成數個導電結構，及於承載基底之上設置半導體晶片。方法還包括於承載基底之上設置模子。方法更包括於模子與承載基底之間形成保護層來圍繞半導體晶片及導電結構。此外，方法包括移除模子。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供了一种芯片封装体的形成方法。方法包括于承载基底之上形成数个导电结构，及于承载基底之上设置半导体芯片。方法还包括于承载基底之上设置模子。方法更包括于模子与承载基底之间形成保护层来围绕半导体芯片及导电结构。此外，方法包括移除模子。