公开(公告)号：TWI588950B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW103145536

申请日：2014-12-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡鈺芃 ,  TSAI, YUPENG ,  呂文雄 ,  LU, WENHSIUNG ,  黃暉閔 ,  HUANG, HUIMIN ,  林威宏 ,  LIN, WEIHUNG ,  鄭明達 ,  CHENG, MINGDA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNGSHI

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201533793A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103145999

申请日：2014-12-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡再宗 ,  TSAI, TSAI TSUNG ,  呂文雄 ,  LU, WEN HSIUNG ,  蔡鈺芃 ,  TSAI, YU PENG ,  林威宏 ,  LIN, WEI HUNG ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L21/304 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 製造半導體裝置的方法包含提供晶圓，研磨該晶圓的背側，放置背側膜於該晶圓的該背側上，切割該晶圓以從該晶圓切單複數個晶粒，以及藉由雷射操作在該複數個晶粒的各個晶粒之背側膜上形成標記。

Abstract in simplified Chinese: 制造半导体设备的方法包含提供晶圆，研磨该晶圆的背侧，放置背侧膜于该晶圆的该背侧上，切割该晶圆以从该晶圆切单复数个晶粒，以及借由激光操作在该复数个晶粒的各个晶粒之背侧膜上形成标记。

公开(公告)号：TW201312663A

公开(公告)日：2013-03-16

申请号：TW101103214

申请日：2012-02-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志偉 ,  LIN, CHIH WEI ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  呂文雄 ,  LU, WEN HSIUNG ,  林修任 ,  LIN, HSIU JEN ,  張博平 ,  JANG, BOR PING ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  李明機 ,  LII, MIRNG JI ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  陳孟澤 ,  CHEN, MENG TSE ,  林俊成 ,  LIN, CHUN CHENG ,  蔡鈺芃 ,  TSAI, YU PENG ,  黃貴偉 ,  HUANG, KUEI WEI ,  林威宏 ,  LIN, WEI HUNG

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/52 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明揭示半導體裝置的封裝方法及結構。在一實施例中，一種封裝的半導體裝置包括一重佈線層，其具有一第一表面及與第一表面相對的一第二表面。至少一積體電路耦接至重佈線層的第一表面，且複數個金屬凸塊耦接至重佈線層的第二表面。一成型材料設置於積體電路及重佈線層的第一表面上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示半导体设备的封装方法及结构。在一实施例中，一种封装的半导体设备包括一重布线层，其具有一第一表面及与第一表面相对的一第二表面。至少一集成电路耦接至重布线层的第一表面，且复数个金属凸块耦接至重布线层的第二表面。一成型材料设置于集成电路及重布线层的第一表面上。

公开(公告)号：TWI467668B

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW101103214

申请日：2012-02-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志偉 ,  LIN, CHIH WEI ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  呂文雄 ,  LU, WEN HSIUNG ,  林修任 ,  LIN, HSIU JEN ,  張博平 ,  JANG, BOR PING ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  李明機 ,  LII, MIRNG JI ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  陳孟澤 ,  CHEN, MENG TSE ,  林俊成 ,  LIN, CHUN CHENG ,  蔡鈺芃 ,  TSAI, YU PENG ,  黃貴偉 ,  HUANG, KUEI WEI ,  林威宏 ,  LIN, WEI HUNG

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/52 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI459496B

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW101105750

申请日：2012-02-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃貴偉 ,  HUANG, KUEI WEI ,  林威宏 ,  LIN, WEI HUNG ,  陳孟澤 ,  CHEN, MENG TSE ,  林俊成 ,  LIN, CHUN CHENG ,  蔡鈺芃 ,  TSAI, YU PENG ,  張博平 ,  JANG, BOR PING ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L21/677 ,  B65G47/91

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L24/75

公开(公告)号：TW201243987A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW101105750

申请日：2012-02-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 黃貴偉 ,  林威宏 ,  陳孟澤 ,  林俊成 ,  蔡鈺芃 ,  張博平 ,  劉重希

IPC: H01L ,  B65G

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L24/75

Abstract: 本發明實施例提供處理薄積體電路晶粒的真空吸嘴與方法。真空吸嘴用以吸附積體電路晶粒,包括一真空埠連接至上表面的一真空源,且具有一下表面;至少一真空孔延伸穿過真空吸嘴並於真空吸嘴的下表面露出;其中真空吸嘴的下表面被配置以物理性接觸積體電路晶粒的一表面。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供处理薄集成电路晶粒的真空吸嘴与方法。真空吸嘴用以吸附集成电路晶粒,包括一真空端口连接至上表面的一真空源,且具有一下表面;至少一真空孔延伸穿过真空吸嘴并于真空吸嘴的下表面露出;其中真空吸嘴的下表面被配置以物理性接触集成电路晶粒的一表面。

公开(公告)号：TWI681470B

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：TW107139398

申请日：2018-11-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 郭炫廷 ,  KUO, HSUAN-TING ,  謝靜華 ,  HSIEH, CHING-HUA ,  陳正庭 ,  CHEN, CHENG-TING ,  林修任 ,  LIN, HSIU-JEN ,  裴浩然 ,  PEI, HAO-JAN ,  蔡鈺芃 ,  TSAI, YU-PENG ,  張家綸 ,  CHANG, CHIA-LUN ,  曹智強 ,  TSAO, CHIH-CHIANG ,  鍾 宇軒 ,  CHUNG, PHILIP YU-SHUAN

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TW201739032A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW105140594

申请日：2016-12-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡鈺芃 ,  TSAI, YU PENG ,  翁聖豐 ,  WENG, SHENG FENG ,  邱聖翔 ,  CHIU, SHENG HSIANG ,  陳孟澤 ,  CHEN, MENG TSE ,  林志偉 ,  LIN, CHIH WEI ,  林威宏 ,  LIN, WEI HUNG ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  謝靜華 ,  HSIEH, CHING HUA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H05K9/0073 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供封裝結構及其形成方法。封裝結構包含位於基底層上的積體電路晶粒及第一遮蔽部件。封裝結構還包含封裝層，封住積體電路晶粒及第一遮蔽部件。封裝結構更包含第二遮蔽部件，從基底層的側表面朝向第一遮蔽部件延伸，以與第一遮蔽部件電性連接。第二遮蔽部件的側表面背向基底層的側表面，且大致上與封裝層的側表面共平面。

Abstract in simplified Chinese: 提供封装结构及其形成方法。封装结构包含位于基底层上的集成电路晶粒及第一屏蔽部件。封装结构还包含封装层，封住集成电路晶粒及第一屏蔽部件。封装结构更包含第二屏蔽部件，从基底层的侧表面朝向第一屏蔽部件延伸，以与第一屏蔽部件电性连接。第二屏蔽部件的侧表面背向基底层的侧表面，且大致上与封装层的侧表面共平面。

公开(公告)号：TWI549174B

公开(公告)日：2016-09-11

申请号：TW103145999

申请日：2014-12-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡再宗 ,  TSAI, TSAI TSUNG ,  呂文雄 ,  LU, WEN HSIUNG ,  蔡鈺芃 ,  TSAI, YU PENG ,  林威宏 ,  LIN, WEI HUNG ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L21/304 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201539678A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW103145536

申请日：2014-12-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡鈺芃 ,  TSAI, YUPENG ,  呂文雄 ,  LU, WENHSIUNG ,  黃暉閔 ,  HUANG, HUIMIN ,  林威宏 ,  LIN, WEIHUNG ,  鄭明達 ,  CHENG, MINGDA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNGSHI

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在此揭露一種封裝及切割半導體裝置的方法以及一種封裝半導體裝置。在某些實施方式中，封裝及切割半導體裝置的方法包含在晶圓上進行第一切割製程，以形成溝槽貫穿過切割線區域中之鈍化層及互連結構，並穿過切割線區域中一部分的半導體基材。接著，在晶圓的前側上形成模塑化合物層而填充溝槽。在晶圓的背側進行研磨製程以薄化半導體基材之後，於晶圓上進行第二切割製程以分離各個晶片。第二切割製程切穿溝槽中之模塑化合物層以及溝槽之下的半導體基材。

Abstract in simplified Chinese: 在此揭露一种封装及切割半导体设备的方法以及一种封装半导体设备。在某些实施方式中，封装及切割半导体设备的方法包含在晶圆上进行第一切割制程，以形成沟槽贯穿过切割线区域中之钝化层及互链接构，并穿过切割线区域中一部分的半导体基材。接着，在晶圆的前侧上形成模塑化合物层而填充沟槽。在晶圆的背侧进行研磨制程以薄化半导体基材之后，于晶圆上进行第二切割制程以分离各个芯片。第二切割制程切穿沟槽中之模塑化合物层以及沟槽之下的半导体基材。