公开(公告)号：TW568347B

公开(公告)日：2003-12-21

申请号：TW092209038

申请日：2003-05-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 曾煥良 ,  張榮祥 ,  王林偉

IPC: H01L

Abstract: 一種負載埠傳輸手臂(Load Port Transfer Arm；LPT Arm)之外蓋(Cover)，固定在負載埠傳輸手臂與反應室之間，且此負載埠傳輸手臂之外蓋至少包含ㄇ字型主體、第一導流板(Flow Regulator Plate)、以及第二導流板。其中，第一導流板與第二導流板均固接在ㄇ字型主體之底部，且第一導流板位於第二導流板上方並與第二導流板相隔一預設距離。第一導流板與第二導流板上均至少包括複數個通孔，且第一導流板之通孔與第二導流板之通孔錯開。五、(一)、本案代表圖為：第╴╴╴4╴╴╴╴圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
200：外蓋
202：遮蔽部
204：側壁部
206：側壁部
208：導流板
210：導流板
212：通孔
214：通孔

Abstract in simplified Chinese: 一种负载端口传输手臂(Load Port Transfer Arm；LPT Arm)之外盖(Cover)，固定在负载端口传输手臂与反应室之间，且此负载端口传输手臂之外盖至少包含ㄇ字体主体、第一导流板(Flow Regulator Plate)、以及第二导流板。其中，第一导流板与第二导流板均固接在ㄇ字体主体之底部，且第一导流板位于第二导流板上方并与第二导流板相隔一默认距离。第一导流板与第二导流板上均至少包括复数个通孔，且第一导流板之通孔与第二导流板之通孔错开。五、(一)、本案代表图为：第╴╴╴4╴╴╴╴图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 200：外盖 202：屏蔽部 204：侧壁部 206：侧壁部 208：导流板 210：导流板 212：通孔 214：通孔

公开(公告)号：TWI645504B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：TW106123784

申请日：2017-07-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 王林偉 ,  WANG, LIN WEI ,  任勇彰 ,  JEN, YUNG CHANG ,  陳政廷 ,  CHEN, CHENG TING ,  張正峰 ,  CHANG, CHEN FON

IPC: H01L21/687 ,  B65D85/90 ,  H01L21/677

公开(公告)号：TWI435398B

公开(公告)日：2014-04-21

申请号：TW099144706

申请日：2010-12-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃貴偉 ,  HUANG, KUEI WEI ,  林威宏 ,  LIN, WEI HUNG ,  王林偉 ,  WANG, LIN WEI ,  張博平 ,  JANG, BOR PING ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K31/02 ,  B23K1/0016 ,  H01L21/563 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75302 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81947 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/144 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/082 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/24612 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI489538B

公开(公告)日：2015-06-21

申请号：TW101128180

申请日：2012-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃見翎 ,  HWANG, CHIEN LING ,  蕭義理 ,  HSIAO, YI LI ,  張博平 ,  JANG, BOR PING ,  廖信宏 ,  LIAO, HSIN HUNG ,  王林偉 ,  WANG, LIN WEI ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B28D5/00 ,  B23K26/02 ,  B23K26/083 ,  B28D5/029 ,  H01L21/67092 ,  Y10T83/748

公开(公告)号：TW201344772A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW101128180

申请日：2012-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃見翎 ,  HWANG, CHIEN LING ,  蕭義理 ,  HSIAO, YI LI ,  張博平 ,  JANG, BOR PING ,  廖信宏 ,  LIAO, HSIN HUNG ,  王林偉 ,  WANG, LIN WEI ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B28D5/00 ,  B23K26/02 ,  B23K26/083 ,  B28D5/029 ,  H01L21/67092 ,  Y10T83/748

Abstract: 一種切割半導體晶圓之裝置，包括一半導體晶圓支撐座以及複數個切割裝置。複數個切割裝置係提供一半導體晶圓之一表面之同時切割，用以同時形成並聯之複數條切割線。

Abstract in simplified Chinese: 一种切割半导体晶圆之设备，包括一半导体晶圆支撑座以及复数个切割设备。复数个切割设备系提供一半导体晶圆之一表面之同时切割，用以同时形成并联之复数条切割线。

公开(公告)号：TW201205697A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：TW099144706

申请日：2010-12-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 黃貴偉 ,  林威宏 ,  王林偉 ,  張博平 ,  鄭明達 ,  劉重希

IPC: H01L

CPC classification number: B23K31/02 ,  B23K1/0016 ,  H01L21/563 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75302 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81947 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/144 ,  H05K1/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/082 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/24612 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供形成凸塊結構的方法,包含提供第一工件,其包含具有上表面的介電層,面對第一工件放置第二工件,放置加熱工具接觸第二工件,以及使用加熱工具加熱第二工件,進行回焊製程,在第一與第二工件之間的第一焊錫凸塊熔融,形成第二焊錫凸塊,在第二焊錫凸塊固化之前,將第二工件從第一工件拉開,直到第二焊錫凸塊的切線與介電層的上表面之間形成的角度大於約50度,其中切線從第二焊錫凸塊連接介電層的點繪製。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供形成凸块结构的方法,包含提供第一工件,其包含具有上表面的介电层,面对第一工件放置第二工件,放置加热工具接触第二工件,以及使用加热工具加热第二工件,进行回焊制程,在第一与第二工件之间的第一焊锡凸块熔融,形成第二焊锡凸块,在第二焊锡凸块固化之前,将第二工件从第一工件拉开,直到第二焊锡凸块的切线与介电层的上表面之间形成的角度大于约50度,其中切线从第二焊锡凸块连接介电层的点绘制。