公开(公告)号：TW201607048A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104136664

申请日：2014-06-23

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 艾維可 尤嘉 ,  AVCI, UYGAR E. ,  金瑞松 ,  KIM, RASEONG ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7391

摘要： 敘述有未摻雜汲極欠疊環繞區域的穿隧場效電晶體(TFET)。例如，穿隧場效電晶體(TFET)包含同質接面主動區域形成在基板上。同質接面主動區域包含：摻雜源極區域、未摻雜通道區域、環繞區域及摻雜汲極區域。閘極電極及閘極介電層形成在未摻雜通道區域上，且在源極及環繞區域之間。

简体摘要： 叙述有未掺杂汲极欠叠环绕区域的穿隧场效应管(TFET)。例如，穿隧场效应管(TFET)包含同质接面主动区域形成在基板上。同质接面主动区域包含：掺杂源极区域、未掺杂信道区域、环绕区域及掺杂汲极区域。闸极电极及闸极介电层形成在未掺杂信道区域上，且在源极及环绕区域之间。

公开(公告)号：TW201532038A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103132262

申请日：2014-09-18

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 曼尼佩楚尼 沙西坎斯 ,  MANIPATRUNI, SASIKANTH ,  尼可諾夫 狄米崔 ,  NIKONOV, DMITRI E. ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A.

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C7/12 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/5607 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82

摘要： 一種用以減少寫入錯誤率的裝置，該裝置包含：一第一選擇線；一第二選擇線；一位元線；一第一位元單元，包括一電阻式記憶體元件和一電晶體，該第一位元單元耦合到該第一選擇線和該位元線；一緩衝器，具有耦合到該第一選擇線的一輸入和耦合到該第二選擇線的一輸出；以及一第二位元單元，包括一電阻式記憶體元件和一電晶體，該第二位元單元耦合到該第二選擇線和該位元線。一種磁性隨機存取記憶體(Magnetic random access memory；MRAM)，包含：多個列，各列包括：多個位元單元，各位元單元具有耦合到一電晶體的一MTJ裝置；以及多個緩衝器，該緩衝器各用以緩衝用於該多個位元單元之間的一組位元單元的一選擇線信號；以及多個位元線，各列共享在該列中的該多個位元單元之間的一單一位元線。

简体摘要： 一种用以减少写入错误率的设备，该设备包含：一第一选择线；一第二选择线；一比特线；一第一比特单元，包括一电阻式内存组件和一晶体管，该第一比特单元耦合到该第一选择线和该比特线；一缓冲器，具有耦合到该第一选择线的一输入和耦合到该第二选择线的一输出；以及一第二比特单元，包括一电阻式内存组件和一晶体管，该第二比特单元耦合到该第二选择线和该比特线。一种磁性随机存取内存(Magnetic random access memory；MRAM)，包含：多个列，各列包括：多个比特单元，各比特单元具有耦合到一晶体管的一MTJ设备；以及多个缓冲器，该缓冲器各用以缓冲用于该多个比特单元之间的一组比特单元的一选择线信号；以及多个比特线，各列共享在该列中的该多个比特单元之间的一单一比特线。

公开(公告)号：TW201432964A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW102133684

申请日：2013-09-17

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 曼尼佩楚尼 沙西坎斯 ,  MANIPATRUNI, SASIKANTH ,  尼可諾夫 狄米崔 ,  NIKONOV, DMITRI E. ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A.

IPC分类号： H01L43/08

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L27/22 ,  H01L27/222 ,  H01L43/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一個實施例包括：金屬層，其包括第一和第二金屬部；鐵磁層，其包括直接接觸該第一金屬部之第一鐵磁部和直接接觸該第二金屬部之第二鐵磁部；及第一金屬非磁性互連，其將該第一鐵磁部耦合至該第二鐵磁部。自旋互連輸送適用於自旋邏輯電路之自旋極化電流。互連可被包括於諸如反相器或緩衝器之電流中繼器中。互連可執行自旋信號之再生。某些實施例使用垂直的非磁性金屬互連而將自旋互連延伸成為三維(例如，垂直地跨越裝置之層)。自旋互連(其可傳遞自旋電流信號而沒有自旋與電信號間之電流的重複轉換)藉由減少功率需求、縮減電路尺寸、及增加電路速度而致能自旋邏輯電路。

简体摘要： 一个实施例包括：金属层，其包括第一和第二金属部；铁磁层，其包括直接接触该第一金属部之第一铁磁部和直接接触该第二金属部之第二铁磁部；及第一金属非磁性互连，其将该第一铁磁部耦合至该第二铁磁部。自旋互连输送适用于自旋逻辑电路之自旋极化电流。互连可被包括于诸如反相器或缓冲器之电流中继器中。互连可运行自旋信号之再生。某些实施例使用垂直的非磁性金属互连而将自旋互连延伸成为三维(例如，垂直地跨越设备之层)。自旋互连(其可传递自旋电流信号而没有自旋与电信号间之电流的重复转换)借由减少功率需求、缩减电路尺寸、及增加电路速度而致能自旋逻辑电路。

公开(公告)号：TWI619251B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105119976

申请日：2014-11-21

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 艾維可 尤嘉 ,  AVCI, UYGAR E. ,  寇利爾 羅沙 ,  KOTLYAR, ROZA ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A.

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/68 ,  H01L29/786 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L29/125 ,  G11C5/06 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7831

公开(公告)号：TWI608604B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW104104781

申请日：2015-02-12

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 艾維可 尤嘉 ,  AVCI, UYGAR E. ,  寇利爾 羅沙 ,  KOTLYAR, ROZA ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A.

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/66977 ,  G06F3/041 ,  H01L21/18 ,  H01L23/66 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/88 ,  H01L2223/6677

公开(公告)号：TW201721644A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW105124331

申请日：2016-08-01

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 曼尼佩楚尼 沙西坎斯 ,  MANIPATRUNI, SASIKANTH ,  尼可諾夫 狄米崔 ,  NIKONOV, DMITRI E. ,  查德瑞 安納拉 ,  CHAUDHRY, ANURAG ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A.

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  G11C11/221 ,  H01L27/228 ,  H01L43/00

摘要： 說明了一種設備，其包含：第一電晶體；第二電晶體，具有第一端；耦接至該第一電晶體之第一端；第一導體，耦接至該第二電晶體的第二端；磁電(ME)層，耦接至該第一導體；以及鐵磁(FM)層，耦接至該ME層且耦接至該第一電晶體的第二端。

简体摘要： 说明了一种设备，其包含：第一晶体管；第二晶体管，具有第一端；耦接至该第一晶体管之第一端；第一导体，耦接至该第二晶体管的第二端；磁电(ME)层，耦接至该第一导体；以及铁磁(FM)层，耦接至该ME层且耦接至该第一晶体管的第二端。

公开(公告)号：TW201719648A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105124239

申请日：2016-07-29

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 曼尼佩楚尼 沙西坎斯 ,  MANIPATRUNI, SASIKANTH ,  尼可諾夫 狄米崔 ,  NIKONOV, DMITRI E. ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A. ,  查德瑞 安納拉 ,  CHAUDHRY, ANURAG

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01L27/228 ,  H01L43/00 ,  H03K19/18 ,  H03K19/23

摘要： 所述為一種設備，其包含：輸入鐵磁體，用以接收第一電荷電流並產生第一自旋電流；第一層，被組態為經由自旋軌道耦合(SOC)將該第一自旋電流轉換成第二電荷電流，其中至少一部份該第一層是耦合至該輸入鐵磁體；以及第二層，被組態為經由自旋軌道耦合(SOC)將該第二電荷電流轉換成第二自旋電流。

简体摘要： 所述为一种设备，其包含：输入铁磁体，用以接收第一电荷电流并产生第一自旋电流；第一层，被组态为经由自旋轨道耦合(SOC)将该第一自旋电流转换成第二电荷电流，其中至少一部份该第一层是耦合至该输入铁磁体；以及第二层，被组态为经由自旋轨道耦合(SOC)将该第二电荷电流转换成第二自旋电流。

公开(公告)号：TWI583261B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW103133282

申请日：2014-09-25

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 尼可諾夫 狄米崔 ,  NIKONOV, DMITRI E. ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A.

IPC分类号： H05G2/00

CPC分类号： H05G2/00

公开(公告)号：TWI574508B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW105102030

申请日：2013-10-30

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 曼尼佩楚尼 沙西坎斯 ,  MANIPATRUNI, SASIKANTH ,  尼可諾夫 狄米崔 ,  NIKONOV, DMITRI E. ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A.

IPC分类号： H03K19/16

CPC分类号： H03K19/16 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3268 ,  H03K17/80

公开(公告)号：TW201705479A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105119976

申请日：2014-11-21

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 艾維可 尤嘉 ,  AVCI, UYGAR E. ,  寇利爾 羅沙 ,  KOTLYAR, ROZA ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A.

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/68 ,  H01L29/786 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L29/125 ,  G11C5/06 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7831

摘要： 本文所描述之揭示的實施例包含穿隧場效電晶體(TFET)，其具有汲極區，導電類型與汲極區相反的源極區，配置於源極區與汲極區之間的通道區，配置於通道區上方的閘極，以及配置於源極區與通道區之接面附近的異質袋。該異質袋包含與通道區不同的半導體材料，且包含低於通道區中之能帶隙的穿隧能障，並在通道區中形成量子井，以在施加於該閘極之電壓高於臨界電壓時增加通過穿隧場效電晶體的電流。

简体摘要： 本文所描述之揭示的实施例包含穿隧场效应管(TFET)，其具有汲极区，导电类型与汲极区相反的源极区，配置于源极区与汲极区之间的信道区，配置于信道区上方的闸极，以及配置于源极区与信道区之接面附近的异质袋。该异质袋包含与信道区不同的半导体材料，且包含低于信道区中之能带隙的穿隧能障，并在信道区中形成量子井，以在施加于该闸极之电压高于临界电压时增加通过穿隧场效应管的电流。