利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

98 条记录 (耗时 0.047 秒)

    低缺陷且以石墨烯為基礎的裝置及互連
    3.
    发明专利
    低缺陷且以石墨烯為基礎的裝置及互連 审中-公开
    低缺陷且以石墨烯为基础的设备及互连

    公开(公告)号：TW201730970A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105136715

    申请日：2016-11-10

    申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 紀莫曼 保羅 ,  ZIMMERMAN, PAUL ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A. ,  蔡 威爾曼 ,  TSAI, WILMAN

    IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60

    CPC分类号： H01L29/1606 ,  C01B32/182 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/778

    摘要： 使分子能夠適合作為諸如穿隧場效電晶體(TFET)等電子裝置中的通道材料之具實體尺寸及結合特性的分子石墨烯(MG)。分子石墨烯可以是被利用作為主動或被動電子裝置內的離散元素或作為重複單元之大多環芳香烴碳氫化合物(PAH)。在一些實施例中，官能性PAH係配置在基板表面上並且延伸在複數個貫穿基板通孔之間。基板上的異質表面被用來將官能性PAH分子直接沉積到對此列通孔有縫隙的表面處。以導電材料回填通孔作為自校直的源極/汲極接點。直接自組裝技術可被用來形成耦合到導電通孔材料之局部互連線。在一些實施例中，包含一線性陣列的PAH分子之以石墨烯為基礎的互連係形成在基板上。

    简体摘要： 使分子能够适合作为诸如穿隧场效应管(TFET)等电子设备中的信道材料之具实体尺寸及结合特性的分子石墨烯(MG)。分子石墨烯可以是被利用作为主动或被动电子设备内的离散元素或作为重复单元之大多环芳香烃碳氢化合物(PAH)。在一些实施例中，官能性PAH系配置在基板表面上并且延伸在复数个贯穿基板通孔之间。基板上的异质表面被用来将官能性PAH分子直接沉积到对此列通孔有缝隙的表面处。以导电材料回填通孔作为自校直的源极/汲极接点。直接自组装技术可被用来形成耦合到导电通孔材料之局部互连接。在一些实施例中，包含一线性数组的PAH分子之以石墨烯为基础的互连系形成在基板上。

    自旋霍耳效應磁性隨機存取記憶體位元胞
    5.
    发明专利
    自旋霍耳效應磁性隨機存取記憶體位元胞 审中-公开
    自旋霍耳效应磁性随机存取内存比特胞

    公开(公告)号：TW201721645A

    公开(公告)日：2017-06-16

    申请号：TW105125006

    申请日：2016-08-05

    申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 王奕 ,  WANG, YIH ,  曼尼佩楚尼 沙西坎斯 ,  MANIPATRUNI, SASIKANTH ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A.

    IPC分类号： G11C11/16

    CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/18 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： 雙電晶體(2T)、一磁隧道接面(1MTJ)、自旋力矩轉移(STT)、自旋霍耳效應(SHE)、磁性隨機存取記憶體(MRAM)可被組構以提供各別的寫入電流及讀取電流路徑。在該組態中，寫入電流可通過鄰近MTJ裝置所設置的SHE電極。穿過該SHE電極之寫入電流流動的方向決定寫入電流的自旋極化，MTJ裝置中之自由磁體層的磁場取向，且因而，該MTJ裝置的電阻。該寫入電流可在足以致使二進制資訊在MTJ裝置中之可靠儲存的位準。在比該寫入電流更低位準的讀取電流通過該MTJ。

    简体摘要： 双晶体管(2T)、一磁隧道接面(1MTJ)、自旋力矩转移(STT)、自旋霍耳效应(SHE)、磁性随机存取内存(MRAM)可被组构以提供各别的写入电流及读取电流路径。在该组态中，写入电流可通过邻近MTJ设备所设置的SHE电极。穿过该SHE电极之写入电流流动的方向决定写入电流的自旋极化，MTJ设备中之自由磁体层的磁场取向，且因而，该MTJ设备的电阻。该写入电流可在足以致使二进制信息在MTJ设备中之可靠存储的位准。在比该写入电流更低位准的读取电流通过该MTJ。

    具有用於低洩漏待命及高速主動模式的動態臨界電壓的電晶體
    7.
    发明专利
    具有用於低洩漏待命及高速主動模式的動態臨界電壓的電晶體 审中-公开
    具有用于低泄漏待命及高速主动模式的动态临界电压的晶体管

    公开(公告)号：TW201719902A

    公开(公告)日：2017-06-01

    申请号：TW105124237

    申请日：2016-07-29

    申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 艾維可 尤嘉 ,  AVCI, UYGAR E. ,  莫瑞斯 丹尼爾 ,  MORRIS, DANIEL H. ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A.

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/78391 ,  H01L29/4908

    摘要： 描述的是設備，其包括電晶體，該電晶體包括：一層鐵電材料；一層絕緣材料；以及氧化層或金屬層，其夾在該層鐵電材料和該層絕緣材料之間，其中該鐵電材料的厚度小於該層絕緣材料的厚度；並且該設備包括驅動器，其耦合於電晶體。描述的是設備，其包括：電晶體，該電晶體包括：高K材料製成的第一氧化層；第二氧化層；以及一層奈米晶體，其夾在第一和第二氧化層之間，其中第一氧化層的厚度大於第二氧化層的厚度；並且該設備包括驅動器，其耦合於電晶體。

    简体摘要： 描述的是设备，其包括晶体管，该晶体管包括：一层铁电材料；一层绝缘材料；以及氧化层或金属层，其夹在该层铁电材料和该层绝缘材料之间，其中该铁电材料的厚度小于该层绝缘材料的厚度；并且该设备包括驱动器，其耦合于晶体管。描述的是设备，其包括：晶体管，该晶体管包括：高K材料制成的第一氧化层；第二氧化层；以及一层奈米晶体，其夹在第一和第二氧化层之间，其中第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度；并且该设备包括驱动器，其耦合于晶体管。