公开(公告)号：TW201729260A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105136003

申请日：2016-11-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/512 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 在一種半導體元件之製造方法中，提供基材。形成虛設閘極於基材上。形成第一介電層，以周圍式地圍住基材上方之虛設閘極。形成第二介電層，以周圍式地圍住基材上方之第一介電層。第二介電層與第一介電層係由不同材料所組成。對第一介電層進行植入操作，以在第一介電層中形成第一摻雜部。移除虛設閘極，以在第一介電層中形成孔洞。移除虛設閘極之操作包含移除第一摻雜部的一部分，以形成具有底部徑向開口面積以及頂部徑向開口面積之孔洞，其中頂部徑向開口面積大於底部徑向開口面積。形成金屬閘極於此孔洞中。

Abstract in simplified Chinese: 在一种半导体组件之制造方法中，提供基材。形成虚设闸极于基材上。形成第一介电层，以周围式地围住基材上方之虚设闸极。形成第二介电层，以周围式地围住基材上方之第一介电层。第二介电层与第一介电层系由不同材料所组成。对第一介电层进行植入操作，以在第一介电层中形成第一掺杂部。移除虚设闸极，以在第一介电层中形成孔洞。移除虚设闸极之操作包含移除第一掺杂部的一部分，以形成具有底部径向开口面积以及顶部径向开口面积之孔洞，其中顶部径向开口面积大于底部径向开口面积。形成金属闸极于此孔洞中。

公开(公告)号：TW201727858A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105126126

申请日：2016-08-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5329

Abstract: 內連接結構包含一非絕緣結構、一襯墊層、一介電結構以及一導電結構。襯墊層位於非絕緣結構上並具有一開口於其中。介電結構位於襯墊層上。介電結構包含一通孔開口於其中。導電結構位於介電結構之通孔開口中並通過襯墊層之開口電性連接非絕緣結構，導電結構之至少一部份係沿著從非絕緣結構往介電結構之一方向漸縮。

Abstract in simplified Chinese: 内连接结构包含一非绝缘结构、一衬垫层、一介电结构以及一导电结构。衬垫层位于非绝缘结构上并具有一开口于其中。介电结构位于衬垫层上。介电结构包含一通孔开口于其中。导电结构位于介电结构之通孔开口中并通过衬垫层之开口电性连接非绝缘结构，导电结构之至少一部份系沿着从非绝缘结构往介电结构之一方向渐缩。

公开(公告)号：TW201727744A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105134439

申请日：2016-10-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/311 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本揭露之一實施例為一種半導體裝置，包含基板、至少二閘極間隔物，以及閘極堆疊。基板具有至少一半導體鰭。閘極間隔物配置在基板上，其中閘極間隔物之至少一者具有側壁，側壁面對閘極間隔物之另一者。閘極堆疊，配置在閘極間隔物之間，閘極堆疊包含高介電常數介電層與閘電極。高介電常數介電層配置在基板上並覆蓋半導體鰭之至少一部分，同時使得至少一閘極間隔物的側壁裸露。閘電極配置在高介電常數介電層上。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露之一实施例为一种半导体设备，包含基板、至少二闸极间隔物，以及闸极堆栈。基板具有至少一半导体鳍。闸极间隔物配置在基板上，其中闸极间隔物之至少一者具有侧壁，侧壁面对闸极间隔物之另一者。闸极堆栈，配置在闸极间隔物之间，闸极堆栈包含高介电常数介电层与闸电极。高介电常数介电层配置在基板上并覆盖半导体鳍之至少一部分，同时使得至少一闸极间隔物的侧壁裸露。闸电极配置在高介电常数介电层上。

公开(公告)号：TW201724445A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105139117

申请日：2016-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L23/525 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L27/088 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L2029/7858

Abstract: 一種半導體結構包含基板、至少一第一閘極結構、至少一第一間隔層、至少一源極汲極結構、至少一導體、保護層以及接觸蝕刻停止層。第一閘極結構設置於基板上。第一間隔層設置於第一閘極結構的至少一側壁上，其中第一間隔層具有上部與設置於上部與基板之間的下部。源極汲極結構相鄰於第一間隔層的下部。導體電性連接源極汲極結構。保護層至少設置於導體與第一間隔層的上部之間。接觸蝕刻停止層至少部分設置於導體與第一間隔層的下部之間，且接觸蝕刻停止層沒有設置於保護層與第一間隔層的上部之間。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构包含基板、至少一第一闸极结构、至少一第一间隔层、至少一源极汲极结构、至少一导体、保护层以及接触蚀刻停止层。第一闸极结构设置于基板上。第一间隔层设置于第一闸极结构的至少一侧壁上，其中第一间隔层具有上部与设置于上部与基板之间的下部。源极汲极结构相邻于第一间隔层的下部。导体电性连接源极汲极结构。保护层至少设置于导体与第一间隔层的上部之间。接触蚀刻停止层至少部分设置于导体与第一间隔层的下部之间，且接触蚀刻停止层没有设置于保护层与第一间隔层的上部之间。

公开(公告)号：TWI552229B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104123373

申请日：2015-07-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  林志忠 ,  LIN, JR JUNG

IPC: H01L21/335 ,  H01L27/085 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TWI701744B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：TW108113319

申请日：2019-04-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  高魁佑 ,  KAO, KUEI-YU ,  張銘慶 ,  CHANG, MING-CHING ,  楊 建倫 ,  YANG, CHAN-LON ,  陳昭成 ,  CHEN, CHAO-CHENG ,  章勳明 ,  JANG, SYUN-MING

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW202018804A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108120388

申请日：2019-06-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳建穎 ,  CHEN, CHANG-YIN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8232

Abstract: 一種半導體裝置製造方法，包括：提供具有第一區域及第二區域的結構，其中第一區域包括第一通道區域，而第二區域包括第二通道區域；在第一區域及第二區域上形成閘極堆疊層；圖案化閘極堆疊層，藉此在第一通道區域上形成第一閘極堆疊，以及在第二通道區域上形成第二閘極堆疊；以及藉由同時對第一區域及第二區域施加不同的蝕刻劑濃度，以橫向蝕刻第一閘極堆疊及第二閘極堆疊的底部，藉此於第一閘極堆疊及第二閘極堆疊的底部形成凹陷。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备制造方法，包括：提供具有第一区域及第二区域的结构，其中第一区域包括第一信道区域，而第二区域包括第二信道区域；在第一区域及第二区域上形成闸极堆栈层；图案化闸极堆栈层，借此在第一信道区域上形成第一闸极堆栈，以及在第二信道区域上形成第二闸极堆栈；以及借由同时对第一区域及第二区域施加不同的蚀刻剂浓度，以横向蚀刻第一闸极堆栈及第二闸极堆栈的底部，借此于第一闸极堆栈及第二闸极堆栈的底部形成凹陷。

公开(公告)号：TWI685974B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW105137776

申请日：2016-11-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TWI648774B

公开(公告)日：2019-01-21

申请号：TW106125713

申请日：2017-07-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI641047B

公开(公告)日：2018-11-11

申请号：TW105139114

申请日：2016-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78