公开(公告)号：TW201624576A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104136617

申请日：2015-11-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊柏峰 ,  YOUNG, BO FENG ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林木滄 ,  LIN, MU TSANG ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  張哲豪 ,  ZHANG, ZHE HAO

IPC: H01L21/441 ,  H01L29/06 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半導體元件之結構與形成方法。半導體元件結構包括了半導體基底與半導體基底上之閘極電極。半導體元件結構亦包括鄰近閘極電極之一源極/汲極結構。半導體元件結構更包括於該閘極電極之一側壁上之一間隔物元件，而間隔物元件包括具有一第一外表面之一上部以及具有一第二外表面之一下部。介於第一外表面與閘極電極之側壁之間的數個橫向距離為大體相同。介於第二外表面與閘極電極之側壁之間的數個橫向距離則沿自下部之一頂部朝向半導體基底增加。

Abstract in simplified Chinese: 提供了半导体组件之结构与形成方法。半导体组件结构包括了半导体基底与半导体基底上之闸极电极。半导体组件结构亦包括邻近闸极电极之一源极/汲极结构。半导体组件结构更包括于该闸极电极之一侧壁上之一间隔物组件，而间隔物组件包括具有一第一外表面之一上部以及具有一第二外表面之一下部。介于第一外表面与闸极电极之侧壁之间的数个横向距离为大体相同。介于第二外表面与闸极电极之侧壁之间的数个横向距离则沿自下部之一顶部朝向半导体基底增加。

公开(公告)号：TW201532276A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103144712

申请日：2014-12-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  陳臆仁 ,  CHEN, YI JEN ,  張永融 ,  CHANG, YUNG JUNG

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/265 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 提供了形成半導體元件結構之方法的實施例。方法包括於半導體基底上形成閘極堆疊，並於閘極堆疊之側壁上形成密封結構。方法還包括於半導體基底、密封結構、及閘極堆疊上形成虛置遮蔽層。方法更包括於虛置遮蔽層上進行離子佈植製程以於半導體基底中形成源極及汲極區。此外，方法包括在形成源極及汲極區之後，移除虛置遮蔽層。

Abstract in simplified Chinese: 提供了形成半导体组件结构之方法的实施例。方法包括于半导体基底上形成闸极堆栈，并于闸极堆栈之侧壁上形成密封结构。方法还包括于半导体基底、密封结构、及闸极堆栈上形成虚置屏蔽层。方法更包括于虚置屏蔽层上进行离子布植制程以于半导体基底中形成源极及汲极区。此外，方法包括在形成源极及汲极区之后，移除虚置屏蔽层。

公开(公告)号：TW202018804A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108120388

申请日：2019-06-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳建穎 ,  CHEN, CHANG-YIN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8232

Abstract: 一種半導體裝置製造方法，包括：提供具有第一區域及第二區域的結構，其中第一區域包括第一通道區域，而第二區域包括第二通道區域；在第一區域及第二區域上形成閘極堆疊層；圖案化閘極堆疊層，藉此在第一通道區域上形成第一閘極堆疊，以及在第二通道區域上形成第二閘極堆疊；以及藉由同時對第一區域及第二區域施加不同的蝕刻劑濃度，以橫向蝕刻第一閘極堆疊及第二閘極堆疊的底部，藉此於第一閘極堆疊及第二閘極堆疊的底部形成凹陷。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备制造方法，包括：提供具有第一区域及第二区域的结构，其中第一区域包括第一信道区域，而第二区域包括第二信道区域；在第一区域及第二区域上形成闸极堆栈层；图案化闸极堆栈层，借此在第一信道区域上形成第一闸极堆栈，以及在第二信道区域上形成第二闸极堆栈；以及借由同时对第一区域及第二区域施加不同的蚀刻剂浓度，以横向蚀刻第一闸极堆栈及第二闸极堆栈的底部，借此于第一闸极堆栈及第二闸极堆栈的底部形成凹陷。

公开(公告)号：TWI685974B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW105137776

申请日：2016-11-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TWI650805B

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：TW106136109

申请日：2017-10-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊柏峰 ,  YOUNG, BO FENG ,  巫柏奇 ,  WU, PO CHI ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/40

公开(公告)号：TWI648774B

公开(公告)日：2019-01-21

申请号：TW106125713

申请日：2017-07-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI641047B

公开(公告)日：2018-11-11

申请号：TW105139114

申请日：2016-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI633603B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：TW105134439

申请日：2016-10-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/311 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI623025B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW105136003

申请日：2016-11-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201816855A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106116613

申请日：2017-05-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L21/78

Abstract: 本發明實施例提供一種製造鰭結構的方法，包括在第一蝕刻步驟中，蝕刻半導體基板以同時形成第一凹口於第一元件區域中及第二凹口於第二元件區域中。第一條狀半導體形成於第一凹口間，第二條狀半導體形成於第二凹口間。於第二蝕刻步驟中，蝕刻第二元件區域中的半導體基板以延伸第二凹口。填充介電材料於第一凹口及第二凹口中以個別於第一及第二凹口中形成第一及第二隔離區域。下凹第一隔離區域及第二隔離區域。第一及第二元件區域的半導體基板的部分個別突出高於第一及第二隔離區域的頂表面以個別形成第一及第二鰭狀半導體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种制造鳍结构的方法，包括在第一蚀刻步骤中，蚀刻半导体基板以同时形成第一凹口于第一组件区域中及第二凹口于第二组件区域中。第一条状半导体形成于第一凹口间，第二条状半导体形成于第二凹口间。于第二蚀刻步骤中，蚀刻第二组件区域中的半导体基板以延伸第二凹口。填充介电材料于第一凹口及第二凹口中以个别于第一及第二凹口中形成第一及第二隔离区域。下凹第一隔离区域及第二隔离区域。第一及第二组件区域的半导体基板的部分个别突出高于第一及第二隔离区域的顶表面以个别形成第一及第二鳍状半导体。