公开(公告)号：TWI530350B

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：TW104103151

申请日：2015-01-30

申请人： 千住金屬工業股份有限公司 ,  SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 川浩由 ,  KAWASAKI, HIROYOSHI ,  赤川隆 ,  AKAGAWA, TAKASHI ,  小池田佑一 ,  KOIKEDA, YUICHI ,  池田篤史 ,  IKEDA, ATSUSHI ,  佐佐木優 ,  SASAKI, MASARU ,  六本木貴弘 ,  ROPPONGI, TAKAHIRO ,  相馬大輔 ,  SOMA, DAISUKE ,  佐藤勇 ,  SATO, ISAMU

IPC分类号： B23K35/22 ,  B23K35/36 ,  B23K35/365

CPC分类号： B22F1/02 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/0074 ,  B22F2301/15 ,  B22F2302/45 ,  B23K35/025 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/3612 ,  B23K35/3616 ,  B23K35/362 ,  C22C1/0425 ,  C22C19/03 ,  C22F1/00 ,  C22F1/10 ,  C25D7/00

公开(公告)号：TWI527069B

公开(公告)日：2016-03-21

申请号：TW102106119

申请日：2013-02-21

申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 ,  JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

发明人： 古澤秀樹 ,  FURUSAWA, HIDEKI

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  B22F1/02 ,  B22F9/02

CPC分类号： B22F1/0059 ,  B22F1/0062 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/25 ,  H01B1/22 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

公开(公告)号：TW201609558A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104124954

申请日：2015-07-31

申请人： 日立金屬股份有限公司 ,  HITACHI METALS, LTD.

发明人： 野坂勉 ,  NOZAKA, TSUTOMU ,  森英人 ,  MORI, HIDEHITO

IPC分类号： C01G53/00 ,  C25D5/16

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/24 ,  B22F2009/245 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/30 ,  B22F2303/30 ,  B22F2998/10 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K2201/42 ,  C22C19/03 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/38 ,  C25D3/60 ,  C25D5/22 ,  C25D5/40 ,  C25D21/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1357

摘要： 本發明的焊料包覆球(10A)係具備有：含Ni及P的球狀核(11)、及依包覆核(11)之方式形成的焊料層(12)。焊料包覆球(10B)係更進一步具備有在核(11)與焊料層(12)之間形成的鍍Cu層(13)。焊料包覆球(10C)係更進一步具備有在鍍Cu層(13)與焊料層(12)之間形成的鍍Ni層(14)。

简体摘要： 本发明的焊料包覆球(10A)系具备有：含Ni及P的球状核(11)、及依包覆核(11)之方式形成的焊料层(12)。焊料包覆球(10B)系更进一步具备有在核(11)与焊料层(12)之间形成的镀Cu层(13)。焊料包覆球(10C)系更进一步具备有在镀Cu层(13)与焊料层(12)之间形成的镀Ni层(14)。

公开(公告)号：TW201606107A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104112397

申请日：2015-04-17

申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 張守斌 ,  ZHANG, SHOUBIN

IPC分类号： C23C14/34 ,  C22C19/03 ,  C22C21/00 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01J37/3429 ,  B22F3/02 ,  B22F2301/052 ,  B22F2301/15 ,  B22F2302/45 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C23C4/067 ,  C23C4/123 ,  C23C14/14 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491

摘要： 本案發明之濺鍍靶係含有：選自Ni及Al的至少1種金屬元素：0.5~10at%、及B或P：0.01~10000重量ppm，且其餘部分由Si及不可避免雜質構成的燒結體，前述燒結體的體積電阻率為10Ω．cm以下，且理論密度比為85%~99%、抗折強度為65N/mm2以上。

简体摘要： 本案发明之溅镀靶系含有：选自Ni及Al的至少1种金属元素：0.5~10at%、及B或P：0.01~10000重量ppm，且其余部分由Si及不可避免杂质构成的烧结体，前述烧结体的体积电阻率为10Ω．cm以下，且理论密度比为85%~99%、抗折强度为65N/mm2以上。

公开(公告)号：TW201600612A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104108759

申请日：2015-03-19

申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 ,  JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

发明人： 大橋一允 ,  OHASHI, KAZUMASA ,  小田国博 ,  ODA, KUNIHIRO

IPC分类号： C22C19/03 ,  B22F3/14 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/15 ,  B22F5/003 ,  B22F9/082 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/03 ,  C23C14/14 ,  G11B5/647 ,  G11B5/851 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491 ,  B22F3/14

摘要： 一種鎳-磷合金濺鍍靶之製造方法，其特徵在於：將磷含量為15~21wt%，剩餘部分由鎳及不可避免之雜質構成的鎳-磷合金熔解，進行霧化加工，製作平均粒徑100μm以下之鎳-磷合金霧化加工粉後，將純鎳霧化粉混合於此鎳-磷合金霧化加工粉，對其進行熱壓。本發明之課題在於提供一種離目標組成之偏移小的鎳-磷合金濺鍍靶的製造方法。

简体摘要： 一种镍-磷合金溅镀靶之制造方法，其特征在于：将磷含量为15~21wt%，剩余部分由镍及不可避免之杂质构成的镍-磷合金熔解，进行雾化加工，制作平均粒径100μm以下之镍-磷合金雾化加工粉后，将纯镍雾化粉混合于此镍-磷合金雾化加工粉，对其进行热压。本发明之课题在于提供一种离目标组成之偏移小的镍-磷合金溅镀靶的制造方法。

公开(公告)号：TW201521934A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW103125808

申请日：2014-07-29

申请人： 千住金屬工業股份有限公司 ,  SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 倉田良一 ,  KURATA, RYOICHI ,  赤川隆 ,  AKAGAWA, TAKASHI ,  川浩由 ,  KAWASAKI, HIROYOSHI

IPC分类号： B23K35/22 ,  B23K35/36

CPC分类号： C22C19/03 ,  B22F1/0011 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/082 ,  B22F2009/0824 ,  B22F2009/0848 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/30 ,  B22F2304/10 ,  B22F2304/15 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/36 ,  B23K35/40 ,  B32B15/01 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  C22C19/00 ,  C22C19/058 ,  C22C30/04 ,  C22F1/00 ,  C22F1/10

摘要： 本發明提供一種鎳球，即使含有既定量以上的Ni以外的不純物元素，其α射線量少且真球度高。為了抑制軟性錯誤並減低接續不良，使U的含量為5ppb以下，使Th的含量為5ppb以下，使純度為99.9%以上、99.995%以下、使α射線量為0.0200cph/cm2以下，使Pb、Bi的任一個的含量或Pb及Bi的合計含量為1ppm以上，使真球度為0.90以上。

简体摘要： 本发明提供一种镍球，即使含有既定量以上的Ni以外的不纯物元素，其α射线量少且真球度高。为了抑制软性错误并减低接续不良，使U的含量为5ppb以下，使Th的含量为5ppb以下，使纯度为99.9%以上、99.995%以下、使α射线量为0.0200cph/cm2以下，使Pb、Bi的任一个的含量或Pb及Bi的合计含量为1ppm以上，使真球度为0.90以上。

公开(公告)号：TWI383950B

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW098113282

申请日：2009-04-22

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 盧俊安 ,  LU, CHUN AN ,  林鴻欽 ,  LIN, HONG CHING ,  邱國展 ,  CHIOU, KUO CHAN ,  黃思博 ,  HUANG, SZU PO

IPC分类号： B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC分类号： B22F9/30 ,  B22F1/025 ,  B22F2998/00 ,  C01G1/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  C09D11/52 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/052 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/25 ,  B22F2301/205 ,  B22F2301/30 ,  B22F2301/35

公开(公告)号：TW201100558A

公开(公告)日：2011-01-01

申请号：TW099110948

申请日：2010-04-08

申请人： 徐光錫

发明人： 徐光錫 ,  金種銀 ,  金太永

IPC分类号： C22B ,  B22F

CPC分类号： B22F9/24 ,  B22F2009/245 ,  B22F2999/00 ,  B22F1/0025 ,  B22F2001/0037 ,  B22F2301/25 ,  B22F2301/35 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/30

摘要： 本發明可提供一種用以產生金屬奈米結構的方法,具體而言,本發明可提供一種在多元醇還原反應(於其中金屬鹽被使用作為前驅物)中使用離子液體來均勻產生各種形狀之奈米結構(例如立方體或八面體奈米顆粒、奈米線等等)的方法。

简体摘要： 本发明可提供一种用以产生金属奈米结构的方法,具体而言,本发明可提供一种在多元醇还原反应(于其中金属盐被使用作为前驱物)中使用离子液体来均匀产生各种形状之奈米结构(例如立方体或八面体奈米颗粒、奈米线等等)的方法。