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    積體電路裝置及其製造方法
    55.
    发明专利
    積體電路裝置及其製造方法 审中-公开
    集成电路设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201403825A

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：TW102121473

    申请日：2013-06-18

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 伍震威 ,  NG, CHUN-WAI ,  周學良 ,  CHOU, HSUEH LIANG ,  蘇柏智 ,  SU, PO CHIH ,  柳瑞興 ,  LIU, RUEY HSIN

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/401 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/36 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7856

    摘要： 本發明提供一種積體電路裝置及其製造方法。上述積體電路裝置包括一墊層，其具有第一摻雜類型的主體部分，主體部分橫向鄰接於第二摻雜類型的漂移區部分；一溝槽，形成於墊層中，延伸穿過主體部分和漂移區部分之間的介面；一閘極，形成於溝槽中，且位於墊層的一頂面上方，閘極沿著位於主體部分和漂移區部分之間的介面延伸；一介電材料，形成於溝槽中，且位於閘極的相對側上；以及一場板，嵌入於位於閘極的相對側的其中之一個上的介電材料中。

    简体摘要： 本发明提供一种集成电路设备及其制造方法。上述集成电路设备包括一垫层，其具有第一掺杂类型的主体部分，主体部分横向邻接于第二掺杂类型的漂移区部分；一沟槽，形成于垫层中，延伸穿过主体部分和漂移区部分之间的界面；一闸极，形成于沟槽中，且位于垫层的一顶面上方，闸极沿着位于主体部分和漂移区部分之间的界面延伸；一介电材料，形成于沟槽中，且位于闸极的相对侧上；以及一场板，嵌入于位于闸极的相对侧的其中之一个上的介电材料中。

    包括匹配電容器對的半導體裝置、形成至少一種電容器的方法及形成電阻器的方法
    57.
    发明专利
    包括匹配電容器對的半導體裝置、形成至少一種電容器的方法及形成電阻器的方法 审中-公开
    包括匹配电容器对的半导体设备、形成至少一种电容器的方法及形成电阻器的方法

    公开(公告)号：TW201320163A

    公开(公告)日：2013-05-16

    申请号：TW101137114

    申请日：2012-10-08

    申请人： 美國博通公司 ,  BROADCOM CORPORATION

    发明人： 陳向東 ,  CHEN, XIANGDONG ,  陳國順 ,  CHEN, HENRY

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L28/20 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/94

    摘要： 本發明涉及包括匹配電容器對的半導體裝置及形成一種電容器的方法以及形成電阻器的方法。公開了鰭片型場效應電晶體半導體裝置的多種實施方式，其中包括：在半導體基底中的鰭片結構；在矽基底中在第一側面附近的第一溝槽以及在第二側面附近的第二溝槽；在第一溝槽以及第二溝槽內的隔離層；在第一側面附近的第一絕緣體結構以及在第二側面附近的第二絕緣體結構；以及在第一絕緣體結構附近的第一導體結構以及在第二絕緣體結構附近的第二導體結構。可以形成共用共同源極、汲極、和/或通道的匹配電容器對。

    简体摘要： 本发明涉及包括匹配电容器对的半导体设备及形成一种电容器的方法以及形成电阻器的方法。公开了鳍片型场效应晶体管半导体设备的多种实施方式，其中包括：在半导体基底中的鳍片结构；在硅基底中在第一侧面附近的第一沟槽以及在第二侧面附近的第二沟槽；在第一沟槽以及第二沟槽内的隔离层；在第一侧面附近的第一绝缘体结构以及在第二侧面附近的第二绝缘体结构；以及在第一绝缘体结构附近的第一导体结构以及在第二绝缘体结构附近的第二导体结构。可以形成共享共同源极、汲极、和/或信道的匹配电容器对。

    調整閘極功函數的方法與具有金屬閘極的電晶體 METHOD OF GATE WORK FUNCTION ADJUSTMENT AND METAL GATE TRANSISTOR
    58.
    发明专利
    調整閘極功函數的方法與具有金屬閘極的電晶體 METHOD OF GATE WORK FUNCTION ADJUSTMENT AND METAL GATE TRANSISTOR 审中-公开
    调整闸极功函数的方法与具有金属闸极的晶体管 METHOD OF GATE WORK FUNCTION ADJUSTMENT AND METAL GATE TRANSISTOR

    公开(公告)号：TW201241884A

    公开(公告)日：2012-10-16

    申请号：TW100135728

    申请日：2011-10-03

    申请人： 南亞科技股份有限公司

    发明人： 吳鐵將 ,  陳逸男 ,  劉獻文

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7856

    摘要： 一種調整閘極功函數的方法,首先,提供一基底,一金屬閘極設置在基底中,一源極摻雜區和一汲極摻雜區分別設置在金屬閘極的相對兩側之基底中,其中金屬閘極分為一鄰近源極區與源極摻雜區相鄰和一鄰近汲極區與汲極摻雜區相鄰,並且鄰近源極區與鄰近汲極區相鄰,然後,形成一遮罩層覆蓋源極摻雜區和汲極摻雜區,接著,進行一植入製程將氮植入金屬閘極,使得鄰近源極區具有一第一氮濃度且鄰近汲極區具有一第二氮濃度,第一氮濃度高於第二氮濃度,最後移除該遮罩層。

    简体摘要： 一种调整闸极功函数的方法,首先,提供一基底,一金属闸极设置在基底中,一源极掺杂区和一汲极掺杂区分别设置在金属闸极的相对两侧之基底中,其中金属闸极分为一邻近源极区与源极掺杂区相邻和一邻近汲极区与汲极掺杂区相邻,并且邻近源极区与邻近汲极区相邻,然后,形成一遮罩层覆盖源极掺杂区和汲极掺杂区,接着,进行一植入制程将氮植入金属闸极,使得邻近源极区具有一第一氮浓度且邻近汲极区具有一第二氮浓度,第一氮浓度高于第二氮浓度,最后移除该遮罩层。

    多臨界電壓場效電晶體裝置 MULTIPLE VT FIELD-EFFECT TRANSISTOR DEVICES
    59.
    发明专利
    多臨界電壓場效電晶體裝置 MULTIPLE VT FIELD-EFFECT TRANSISTOR DEVICES 审中-公开
    多临界电压场效应管设备 MULTIPLE VT FIELD-EFFECT TRANSISTOR DEVICES

    公开(公告)号：TW201110347A

    公开(公告)日：2011-03-16

    申请号：TW099111648

    申请日：2010-04-14

    申请人： 萬國商業機器公司

    发明人： 張 約瑟芬B ,  張禮蘭 ,  孟 蕾妮T ,  那拉顏南 米捷 ,  史萊特 傑弗瑞W

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L29/66795

    摘要： 提供多臨界電壓(Vt)場效電晶體(FET)裝置及其製造技術。在一態樣中,提供一種FET裝置,其包括:一源極區;一汲極區;至少一通道,其使該源極區與該汲極區互連;及一閘極,其環繞該通道之至少一部分,該閘極經組態以歸因於貫穿該閘極之至少一能帶邊緣金屬之選擇性置放而具有多個臨界電壓。

    简体摘要： 提供多临界电压(Vt)场效应管(FET)设备及其制造技术。在一态样中,提供一种FET设备,其包括:一源极区;一汲极区;至少一信道,其使该源极区与该汲极区互连;及一闸极,其环绕该信道之至少一部分,该闸极经组态以归因于贯穿该闸极之至少一能带边缘金属之选择性置放而具有多个临界电压。

    鰭式場效電晶體及其製造方法 FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    60.
    发明专利
    鰭式場效電晶體及其製造方法 FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    鳍式场效应管及其制造方法 FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

    公开(公告)号：TW200917484A

    公开(公告)日：2009-04-16

    申请号：TW097132892

    申请日：2008-08-28

    申请人： 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

    发明人： 金成玟 KIM, SUNG MIN ,  金旻相 KIM, MIN SANG ,  李志明 LEE, JI MYOUNG ,  金洞院 KIM, DONG WON

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66795

    摘要： 提供一種FinFET以及一種製造該顯示器的方法。一FinFET可以包括至少一主動鰭片、該至少一閘極絕緣層圖案、一第一電極圖案、一第二電極圖案以及至少一對源極/汲極擴張區。該至少一主動鰭片可以形成於一基板之上。該至少一閘極絕緣層圖案可以形成於該至少一主動鰭片之上。該第一電極圖案可以形成於該至少一閘極絕緣層圖案之上。再者,該第一電極圖案可以與該至少一主動鰭片交叉。該第二電極圖案可以形成於該第一電極圖案之上。再者,該第二電極圖案可以有比該第一電極圖案的寬度為更大的寬度。該等至少一對源極/汲極擴張區可以形成於該第一電極圖案的二側之上的該至少一主動鰭片的表面之上。因而,該FinFET可以具有改善的容量以及降低的GIDL電流。

    简体摘要： 提供一种FinFET以及一种制造该显示器的方法。一FinFET可以包括至少一主动鳍片、该至少一闸极绝缘层图案、一第一电极图案、一第二电极图案以及至少一对源极/汲极扩张区。该至少一主动鳍片可以形成于一基板之上。该至少一闸极绝缘层图案可以形成于该至少一主动鳍片之上。该第一电极图案可以形成于该至少一闸极绝缘层图案之上。再者,该第一电极图案可以与该至少一主动鳍片交叉。该第二电极图案可以形成于该第一电极图案之上。再者,该第二电极图案可以有比该第一电极图案的宽度为更大的宽度。该等至少一对源极/汲极扩张区可以形成于该第一电极图案的二侧之上的该至少一主动鳍片的表面之上。因而,该FinFET可以具有改善的容量以及降低的GIDL电流。