公开(公告)号：TW201201268A

公开(公告)日：2012-01-01

申请号：TW100118995

申请日：2011-05-31

申请人： 索尼化學&信息部件股份有限公司

发明人： 西村淳一

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75312 ,  H01L2224/75313 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75316 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

摘要： 提供使切割晶圓時之加工性良好之晶圓之切割方法。具有:貼附步驟S1,係將於晶圓(10)之一面(10a)依序積層接著層(22)與具有透射性之保護膜(24)而成之附有接著膜之晶圓(39)之另一面(39b)貼附於切割帶(18);拍攝步驟S2,係拍攝附有接著膜之晶圓(39)中之晶圓之一面(10a)之影像;分割位置決定步驟S3,根據所拍攝之影像,決定分割附有接著膜之晶圓(39)之位置;切削槽形成步驟S4,於附有接著膜之晶圓(39)形成從附有接著膜之晶圓(39)之一面(39a)側未達另一面(39b)之深度之切削槽;保護構件配設步驟S5,於附有接著膜之晶圓(39)之保護膜(24)之表面配設保護構件(62);分割步驟S6,形成複數個附有接著膜之晶片(60);以及拾取步驟S7,拾取附有接著層之晶片(64)。

简体摘要： 提供使切割晶圆时之加工性良好之晶圆之切割方法。具有:贴附步骤S1,系将于晶圆(10)之一面(10a)依序积层接着层(22)与具有透射性之保护膜(24)而成之附有接着膜之晶圆(39)之另一面(39b)贴附于切割带(18);拍摄步骤S2,系拍摄附有接着膜之晶圆(39)中之晶圆之一面(10a)之影像;分割位置决定步骤S3,根据所拍摄之影像,决定分割附有接着膜之晶圆(39)之位置;切削槽形成步骤S4,于附有接着膜之晶圆(39)形成从附有接着膜之晶圆(39)之一面(39a)侧未达另一面(39b)之深度之切削槽;保护构件配设步骤S5,于附有接着膜之晶圆(39)之保护膜(24)之表面配设保护构件(62);分割步骤S6,形成复数个附有接着膜之芯片(60);以及十取步骤S7,十取附有接着层之芯片(64)。

公开(公告)号：TW201201267A

公开(公告)日：2012-01-01

申请号：TW100118993

申请日：2011-05-31

申请人： 索尼化學&信息部件股份有限公司

发明人： 西村淳一

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75312 ,  H01L2224/75316 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： 提供使在加工晶圓後之保護膜之剝離性良好之晶圓之切割方法。具有:貼附步驟S1,係將於晶圓(10)之一面(10a)依序積層接著層(22)與保護膜(24)而成之附有接著膜之晶圓(39)之保護膜(24)之面貼附於切割帶(18);拍攝步驟S2,係從附有接著膜之晶圓(39)之另一面(39b)側拍攝附有接著膜中之晶圓之晶圓之一面(10a)之影像;分割位置決定步驟S3,根據在拍攝步驟S2拍攝之影像,決定分割附有接著膜之晶圓(39)之位置;切削槽形成步驟S4,根據在分割位置決定步驟S3決定之位置,形成具備附有接著層之晶片(64)與保護膜(24)之複數個附有接著膜之晶片(60);以及拾取步驟S5,從附有接著膜之晶片(60)拾取附有接著層之晶片(64)。

简体摘要： 提供使在加工晶圆后之保护膜之剥离性良好之晶圆之切割方法。具有:贴附步骤S1,系将于晶圆(10)之一面(10a)依序积层接着层(22)与保护膜(24)而成之附有接着膜之晶圆(39)之保护膜(24)之面贴附于切割带(18);拍摄步骤S2,系从附有接着膜之晶圆(39)之另一面(39b)侧拍摄附有接着膜中之晶圆之晶圆之一面(10a)之影像;分割位置决定步骤S3,根据在拍摄步骤S2拍摄之影像,决定分割附有接着膜之晶圆(39)之位置;切削槽形成步骤S4,根据在分割位置决定步骤S3决定之位置,形成具备附有接着层之芯片(64)与保护膜(24)之复数个附有接着膜之芯片(60);以及十取步骤S5,从附有接着膜之芯片(60)十取附有接着层之芯片(64)。

公开(公告)号：TW201145417A

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：TW100108174

申请日：2011-03-10

申请人： 東芝股份有限公司 ,  京瓷化學股份有限公司

发明人： 種泰雄 ,  片村幸雄 ,  芳村淳 ,  岩見文宏 ,  櫻井一慶

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L21/565 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2742 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/279 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83908 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： 本發明之實施形態之半導體裝置之製造方法包括以下步驟:晶粒黏合步驟,其經由設置於半導體元件之一面上之接合層,將上述半導體元件接合於基材之特定位置;黏合步驟,其藉由黏合線而連接形成於上述半導體元件上之端子與形成於上述基材上之端子;及密封步驟,其密封上述半導體元件與上述黏合線。並且,對上述黏合步驟中之上述接合層之黏度進行控制,以使其不超過上述密封步驟中之上述接合層之黏度。

简体摘要： 本发明之实施形态之半导体设备之制造方法包括以下步骤:晶粒黏合步骤,其经由设置于半导体组件之一面上之接合层,将上述半导体组件接合于基材之特定位置;黏合步骤,其借由黏合线而连接形成于上述半导体组件上之端子与形成于上述基材上之端子;及密封步骤,其密封上述半导体组件与上述黏合线。并且,对上述黏合步骤中之上述接合层之黏度进行控制,以使其不超过上述密封步骤中之上述接合层之黏度。

公开(公告)号：TW201140676A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：TW100104469

申请日：2011-02-10

申请人： 積水化學工業股份有限公司

发明人： 石丸維敏

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6839 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種可高精度地對黏著劑層進行切晶，可提高附帶黏著劑層之半導體晶片之拾取性之切晶-黏晶帶。本發明之切晶-黏晶帶1包含黏著劑層3、及積層於黏著劑層3之一面3a之基材層4。於切晶時，在基材層4之外周部分黏附有切晶環26。基材層4於外周部分具有黏附起點4C。將基材層4之除黏附起點4C外之部分中之黏附於切晶環26的部分之寬度設為W(mm)，將基材層4之除黏附起點4C外之部分中之外徑設為D(mm)時，自基材層4之靠黏附起點4C側之外周前端朝向內側相距0.3W(mm)之距離之位置處的黏附起點4C的長度L(mm)在0.30D~0.44D(mm)之範圍內。

简体摘要： 本发明提供一种可高精度地对黏着剂层进行切晶，可提高附带黏着剂层之半导体芯片之十取性之切晶-黏晶带。本发明之切晶-黏晶带1包含黏着剂层3、及积层于黏着剂层3之一面3a之基材层4。于切晶时，在基材层4之外周部分黏附有切晶环26。基材层4于外周部分具有黏附起点4C。将基材层4之除黏附起点4C外之部分中之黏附于切晶环26的部分之宽度设为W(mm)，将基材层4之除黏附起点4C外之部分中之外径设为D(mm)时，自基材层4之靠黏附起点4C侧之外周前端朝向内侧相距0.3W(mm)之距离之位置处的黏附起点4C的长度L(mm)在0.30D~0.44D(mm)之范围内。

公开(公告)号：TW201006901A

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：TW098115160

申请日：2009-05-07

申请人： 日立化成工業股份有限公司

发明人： 增子崇 ,  加藤木茂樹

IPC分类号： C09J ,  H01L

CPC分类号： C09J4/06 ,  C08G73/1042 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/106 ,  C08G73/1082 ,  C09J7/20 ,  C09J163/00 ,  C09J179/08 ,  C09J2203/326 ,  C09J2463/00 ,  C09J2479/08 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48221 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/2896 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明提供一種黏著劑組成物，包括：(A)Tg小於等於100℃的熱可塑性樹脂；(B)熱硬化性成分；而且，上述(B)熱硬化性成分包含(B1)具有烯丙基的化合物及(B2)具有馬來醯亞胺基的化合物。

简体摘要： 本发明提供一种黏着剂组成物，包括：(A)Tg小于等于100℃的热可塑性树脂；(B)热硬化性成分；而且，上述(B)热硬化性成分包含(B1)具有烯丙基的化合物及(B2)具有马来酰亚胺基的化合物。

公开(公告)号：TW200942594A

公开(公告)日：2009-10-16

申请号：TW098103979

申请日：2009-02-06

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 平野孝

IPC分类号： C09J ,  H01L

CPC分类号： H01L23/295 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 一種半導體用薄膜，係具有片基材及設置於該片基材之其中一面側之接著劑層，該接著劑層係藉由樹脂組成物所構成，且該樹脂組成物包含有可交聯反應之樹脂及具有焊劑活性之化合物，又，本發明之半導體薄膜宜接著倒裝晶片型半導體元件之機能面與前述半導體用薄膜之前述接著劑層來使用。

简体摘要： 一种半导体用薄膜，系具有片基材及设置于该片基材之其中一面侧之接着剂层，该接着剂层系借由树脂组成物所构成，且该树脂组成物包含有可交联反应之树脂及具有焊剂活性之化合物，又，本发明之半导体薄膜宜接着倒装芯片型半导体组件之机能面与前述半导体用薄膜之前述接着剂层来使用。

公开(公告)号：TWI314775B

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：TW095141502

申请日：2006-11-09

申请人： 華泰電子股份有限公司 ORIENT SEMICONDUCTOR ELECTRONICS, LIMITED

发明人： 董悦明 TUNG, YUEH MING ,  孫國洋 SUN, KUO YANG ,  楊家銘 YANG, CHIA MING ,  麥鴻泰 MAI, HUNG TAI ,  劉蕙綺 LIU, HUI CHI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/27 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19103 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 一種膠膜包含一可移除之基材、一樹脂層及複數圓弧彈性體。該樹脂層為一半固化樹脂,其於一第一溫度以上為具黏性之半熔融狀態,其於一第二溫度以下為不具黏性之固態,該樹脂層黏設於該基材上;該等圓弧彈性體配置於該樹脂層中。本發明另提供一種使用該膠膜之晶片封裝製程。

简体摘要： 一种胶膜包含一可移除之基材、一树脂层及复数圆弧弹性体。该树脂层为一半固化树脂,其于一第一温度以上为具黏性之半熔融状态,其于一第二温度以下为不具黏性之固态,该树脂层黏设于该基材上;该等圆弧弹性体配置于该树脂层中。本发明另提供一种使用该胶膜之芯片封装制程。

公开(公告)号：TW200933722A

公开(公告)日：2009-08-01

申请号：TW097143118

申请日：2008-11-07

申请人： 日立化成工業股份有限公司 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.

发明人： 山田真樹 YAMADA, MASAKI ,  增野道夫 MASHINO, MICHIO

IPC分类号： H01L ,  C09J

CPC分类号： C09J11/04 ,  C08K3/013 ,  C08L9/00 ,  C08L13/00 ,  C08L2666/04 ,  C09J7/00 ,  C09J7/10 ,  C09J133/08 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2409/00 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/2852 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： 提供一種延伸之切斷性良好且可單片化,並且於鑄模時於配線基板之凹凸中之埋入性優異的半導體用接著片及切割膠帶一體型半導體用接著片。此半導體用接著片是包含含有高分子量成分及填料之樹脂組合物的半導體用接著片,其特徵在於:硬化前之接著片於0℃下之斷裂伸長率為40%或40%以下,硬化後之接著片於175℃下之彈性模數為0.1 MPa-10 MPa。

简体摘要： 提供一种延伸之切断性良好且可单片化,并且于铸模时于配线基板之凹凸中之埋入性优异的半导体用接着片及切割胶带一体型半导体用接着片。此半导体用接着片是包含含有高分子量成分及填料之树脂组合物的半导体用接着片,其特征在于:硬化前之接着片于0℃下之断裂伸长率为40%或40%以下,硬化后之接着片于175℃下之弹性模数为0.1 MPa-10 MPa。

公开(公告)号：TW200919598A

公开(公告)日：2009-05-01

申请号：TW097134992

申请日：2008-09-12

申请人： 史特斯晶片封裝公司 STATS CHIPPAC LTD.

发明人： 杜拜泰 DO, BYUNG TAI ,  沈一權 SHIM, IL KWON ,  帝瑪挪 安東尼奧B 二世 DIMAANO, ANTONIO B. JR. ,  關協和 KUAN, HEAP HOE

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/4951 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一種積體電路封裝方法【【1600】】,係包含:提供具有主動面【【300】】與背面【【302】】之積體電路晶圓【【200】】;於該背面【【302】】上形成應力緩和層【【104】】;於該應力緩和層【【104】】上形成黏著層【【106】】;將該積體電路晶圓【【200】】切割成半導體晶片【【102】】,且該半導體晶片【【102】】之背面【【302】】上具有該應力緩和層【【104】】與該黏著層【【106】】;以及將該半導體晶片【【102】】安裝於電性互連【【108】】上方。

简体摘要： 一种集成电路封装方法【【1600】】,系包含:提供具有主动面【【300】】与背面【【302】】之集成电路晶圆【【200】】;于该背面【【302】】上形成应力缓和层【【104】】;于该应力缓和层【【104】】上形成黏着层【【106】】;将该集成电路晶圆【【200】】切割成半导体芯片【【102】】,且该半导体芯片【【102】】之背面【【302】】上具有该应力缓和层【【104】】与该黏着层【【106】】;以及将该半导体芯片【【102】】安装于电性互连【【108】】上方。

公开(公告)号：TW200818347A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：TW096130285

申请日：2007-08-16

申请人： 琳得科股份有限公司 LINTEC CORPORATION

发明人： 山崎修 YAMAZAKI, OSAMU ,  市川功 ICHIKAWA, ISAO ,  佐伯尚哉 SAIKI, NAOYA

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 本發明之半導體裝置之製造方法,係將晶片與未硬化之接著劑層相疊層的配線基板進行加熱,使前述未硬化之接著劑層硬化,以製造半導體裝置的方法,其特徵為:包含靜壓加壓步驟,其在前述硬化前,藉由相對於常壓為0.05MPa以上的靜壓,對前述晶片與未硬化之接著劑層相疊層的配線基板進行加壓。上述半導體裝置之製造方法係不取決於基板設計即可簡單消滅空洞(void),而且此時亦不會發生接著劑捲曲。

简体摘要： 本发明之半导体设备之制造方法,系将芯片与未硬化之接着剂层相叠层的配线基板进行加热,使前述未硬化之接着剂层硬化,以制造半导体设备的方法,其特征为:包含静压加压步骤,其在前述硬化前,借由相对于常压为0.05MPa以上的静压,对前述芯片与未硬化之接着剂层相叠层的配线基板进行加压。上述半导体设备之制造方法系不取决于基板设计即可简单消灭空洞(void),而且此时亦不会发生接着剂卷曲。