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公开(公告)号：TWI557246B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW104107886
申请日：2015-03-12
发明人： 中山徳行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 井藁正史 , IWARA, MASASHI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/203
CPC分类号： H01L21/02565 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/62695 , C04B2235/3286 , C04B2235/3852 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
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公开(公告)号：TWI550145B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW104120446
申请日：2015-06-24
发明人： 中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 松村文彦 , MATSUMURA, FUMIHIKO , 井藁正史 , IWARA, MASASHI
IPC分类号： C30B29/22 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/465 , H01L29/2206 , H01L29/245 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
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公开(公告)号：TWI422300B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW096147168
申请日：2007-12-11
发明人： 西村英一郎 , NISHIMURA EIICHIRO
IPC分类号： H05K3/46
CPC分类号： H05K3/388 , H05K1/0393
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公开(公告)号：TWI622568B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106103595
申请日：2017-02-03
发明人： 中山徳行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 松村文彦 , MATSUMURA, FUMIHIKO
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/64 , C23C14/08 , H01L21/363
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公开(公告)号：TWI613176B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW104116409
申请日：2015-05-22
发明人： 中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 松村文彦 , MATSUMURA, FUMIHIKO , 井藁正史 , IWARA, MASASHI
IPC分类号： C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/78693 , C04B35/01 , C04B35/03 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/082 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/332 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/0257 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TWI574935B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW104137984
申请日：2015-11-18
发明人： 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 松村文彥 , MATSUMURA, FUMIHIKO
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/64 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： H01L21/02565 , C03C17/245 , C03C2217/23 , C03C2218/156 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L21/465 , H01L29/247 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TWI548592B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW104107884
申请日：2015-03-12
发明人： 中山徳行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 井藁正史 , IWARA, MASASHI
IPC分类号： C01G15/00 , C04B35/01 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L21/363 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02565 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/62695 , C04B2235/3286 , C04B2235/3852 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
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公开(公告)号：TWI547441B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104112197
申请日：2015-04-16
发明人： 中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 松村文彦 , MATSUMURA, FUMIHIKO , 井藁正史 , IWARA, MASASHI
CPC分类号： C04B35/45 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/78693
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公开(公告)号：TW201625504A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104137984
申请日：2015-11-18
发明人： 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 松村文彥 , MATSUMURA, FUMIHIKO
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/64 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： H01L21/02565 , C03C17/245 , C03C2217/23 , C03C2218/156 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L21/465 , H01L29/247 , H01L29/7869
摘要： 本發明提供一種於藉由濺鍍法製成氧化物半導體薄膜之情形時可獲得低載體濃度、高載體遷移率之氧化物燒結體、及使用其之濺鍍用靶。 該氧化物燒結體以氧化物之形式含有銦、鎵及鋁。鎵之含量以Ga/(In+Ga)原子數比計為0.15以上且0.49以下，且鋁之含量以Al/(In+Ga+Al)原子數比計為0.0001以上且未達0.25。將該氧化物燒結體作為濺鍍用靶而形成之結晶質之氧化物半導體薄膜可獲得4.0×1018cm-3以下之載體濃度、10cm2V-1sec-1以上之載體遷移率。
简体摘要： 本发明提供一种于借由溅镀法制成氧化物半导体薄膜之情形时可获得低载体浓度、高载体迁移率之氧化物烧结体、及使用其之溅镀用靶。 该氧化物烧结体以氧化物之形式含有铟、镓及铝。镓之含量以Ga/(In+Ga)原子数比计为0.15以上且0.49以下，且铝之含量以Al/(In+Ga+Al)原子数比计为0.0001以上且未达0.25。将该氧化物烧结体作为溅镀用靶而形成之结晶质之氧化物半导体薄膜可获得4.0×1018cm-3以下之载体浓度、10cm2V-1sec-1以上之载体迁移率。
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公开(公告)号：TW201608066A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104120446
申请日：2015-06-24
发明人： 中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 松村文彦 , MATSUMURA, FUMIHIKO , 井藁正史 , IWARA, MASASHI
IPC分类号： C30B29/22 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/465 , H01L29/2206 , H01L29/245 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： 本發明提供一種於藉由濺鍍法而製成氧化物半導體薄膜之情形時，可獲得低載體濃度、高載體遷移率之氧化物燒結體、及使用其之濺鍍用靶。 該氧化物燒結體以氧化物之形式含有銦、鎵及選自由鎳、鈷、鈣、鍶及鉛組成之群中之一種以上之正二價元素。鎵之含量以Ga/(In+Ga)原子數比計為0.20以上且0.45以下，且上述正二價元素之含量以M/(In+Ga+M)原子數比計為0.0001以上且0.05以下。以該氧化物燒結體作為濺鍍用靶而形成之非晶質之氧化物半導體薄膜可獲得未達3.0×1018cm-3之載體濃度、10cm2V-1sec-1以上之載體遷移率。
简体摘要： 本发明提供一种于借由溅镀法而制成氧化物半导体薄膜之情形时，可获得低载体浓度、高载体迁移率之氧化物烧结体、及使用其之溅镀用靶。 该氧化物烧结体以氧化物之形式含有铟、镓及选自由镍、钴、钙、锶及铅组成之群中之一种以上之正二价元素。镓之含量以Ga/(In+Ga)原子数比计为0.20以上且0.45以下，且上述正二价元素之含量以M/(In+Ga+M)原子数比计为0.0001以上且0.05以下。以该氧化物烧结体作为溅镀用靶而形成之非晶质之氧化物半导体薄膜可获得未达3.0×1018cm-3之载体浓度、10cm2V-1sec-1以上之载体迁移率。
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